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最新专利技术
  • 组对结构的单管闪存阵列
    组对结构的单管闪存阵列_上海领耐半导体技术有限公司_202511403639.9
    本发明提供一种组对结构的单管闪存阵列。该组对结构的单管闪存阵列中，基底包括多个有源区以及隔离结构，一个有源区包括沿第一方向延伸的多个第一段以及沿第二方向延伸的多个第二段，第一段和第二段在有源区的延伸方向上交替排布且均相对于有源区的延伸方向倾...
    2025-11-29
  • 半导体器件及其形成方法、存储系统
    半导体器件及其形成方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410534453.6
    本公开实施例提供了一种半导体器件及其形成方法、存储系统，其中，该半导体器件包括：多条导电线，沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排布；第一方向与第二方向相互交叉；以及接触结构，沿第三方向延伸并至少连接至多条导电线中的第一导电线，接触结构包括与第一...
    2025-11-29
  • 一种控制短路的多次可编程存储器件及其制备方法
    一种控制短路的多次可编程存储器件及其制备方法_江苏稻源科技集团有限公司_202511031799.5
    本发明公开了一种控制短路的多次可编程存储器件及其制备方法，涉及半导体领域，包括：衬底，衬底的表面设置有外延层，且衬底与外延层之间设置有埋氧化层；外延层远离埋氧化层的一端依次设置有隧穿层和浮栅区，浮栅区的表面淀积有绝缘层；浮栅区的两侧分别设置...
    2025-11-29
  • 一种多次可编程存储器件及其制备方法
    一种多次可编程存储器件及其制备方法_江苏稻源科技集团有限公司_202511031798.0
    本发明公开了一种多次可编程存储器件及其制备方法，涉及半导体领域，该存储器件包括：衬底，衬底的内部设置有埋氧化层，衬底的顶端开设有第一凹槽；衬底的顶端与第一凹槽的内壁均设置有氧化层，位于第一凹槽内壁的氧化层的顶端设置有浮栅区，浮栅区的顶端设置...
    2025-11-29
  • Nord闪存器件的形成方法
    Nord闪存器件的形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510888209.4
    本发明提供了一种Nord闪存器件的形成方法，包括：有源区的表面形成多个间隔的栅极结构和多个间隔的栅极；在多个栅极结构两侧的有源区上均形成第一源线侧墙，同时在多个栅极两侧的有源区上均形成第二源线侧墙；使用第一源线侧墙和第二源线侧墙为掩膜向有源...
    2025-11-29
  • 形成半导体结构的方法、半导体结构、存储器及电子装置
    形成半导体结构的方法、半导体结构、存储器及电子装置_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410530828.1
    本申请公开了形成半导体结构的方法、半导体结构、存储器及电子装置，该方法通过提供包括衬底和隔离结构的基底，该隔离结构形成在隔离区且包括凸出于衬底表面的第一隔离部，接着对该第一隔离部沿垂直于隔离区延伸方向的第二方向进行部分刻蚀，从而将第一隔离部...
    2025-11-29
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司_202511386596.8
    本公开涉及半导体技术领域，提供了一种半导体结构及其制备方法，用于改善栅诱导漏极泄露(GIDL)以及行锤效应的问题。该半导体结构包括：衬底；字线结构，位于衬底上且沿第一方向延伸，字线结构包括沿第二方向自下至上排布的第一字线层、第二字线层以及位...
    2025-11-29
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_长鑫科技集团股份有限公司_202511014236.5
    本公开提供了一种半导体结构及其形成方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括：衬底；叠层结构包括沿第一方向间隔排布的多个存储单元，存储单元包括有源层以及沿第一方向设置于有源层上的栅极层和设置于有源层与栅极层之间的衬垫层，有源层包括沿第二方向...
    2025-11-29
  • 半导体器件的制备方法和半导体器件
    半导体器件的制备方法和半导体器件_深圳市新凯来工业机器有限公司_202510788802.1
    本申请提供一种半导体器件的制备方法和半导体器件，涉及半导体技术领域，用以解决如何改善在制备半导体器件的过程中衬底发生翘曲的技术问题。该制备方法包括提供衬底；在衬底的第一侧形成叠层结构，在形成叠层结构的过程中，在衬底的第二侧形成应力层，第一侧...
    2025-11-29
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510446165.X
    一种半导体器件可以包括：字线，在衬底上沿第一方向延伸并且在第二方向上彼此间隔开；沟道层，在字线上；位线，接触沟道层的上表面并且沿第二方向延伸；第一导电划分线，在沟道层上并且在第一方向上彼此间隔开；接触插塞，接触沟道层的上表面并且在第一方向和...
    2025-11-29
  • 制造集成电路装置的方法
    制造集成电路装置的方法_三星电子株式会社_202510278512.2
    一种制造集成电路装置的方法包括：提供包括单元阵列区域和外围电路区域的衬底；在单元阵列区域和外围电路区域中形成导电层；在导电层上形成覆盖绝缘层；通过使用覆盖绝缘层作为第一蚀刻掩模，在单元阵列区域中形成直接接触和位线；在直接接触的侧壁和位线的侧...
    2025-11-29
  • 包括垂直有源图案的半导体器件
    包括垂直有源图案的半导体器件_三星电子株式会社_202510115676.3
    一种半导体器件，所述半导体器件包括存储区域和外围区域。所述存储区域包括：单元垂直有源图案，顺序地堆叠在所述单元垂直有源图案上的单元上源极/漏极图案和单元接触插塞，以及位于所述单元上源极/漏极图案的侧表面和所述单元接触插塞的侧表面上的单元隔离...
    2025-11-29
  • 包括绝缘结构的半导体器件
    包括绝缘结构的半导体器件_三星电子株式会社_202510062634.8
    一种半导体存储器件，包括：位线，在第一方向上延伸；多个绝缘结构，设置在位线上并且在第一水平方向上彼此间隔开；半导体图案，设置在多个绝缘结构的侧壁上；栅电极，设置在半导体图案上并在与第一水平方向相交的第二水平方向上延伸；栅极绝缘膜，设置在栅电...
    2025-11-29
  • 半导体器件和制造半导体器件的方法
    半导体器件和制造半导体器件的方法_三星电子株式会社_202411600694.2
    一种半导体器件包括：衬底，包括单元区域和外围区域；字线，在单元区域上在第一方向上延伸；位线，在第二方向上跨字线延伸，第二方向与第一方向相交，并且该位线包括：第一位线和第二位线，在第一方向上交替布置，每条第一位线包括：位线尾部，在第二方向上延...
    2025-11-29
  • 一种存储器及存储器的制作方法
    一种存储器及存储器的制作方法_华为技术有限公司_202410554375.6
    本申请提供一种存储器及存储器制作方法，其包括衬底、多条位线、N个晶体管，多条所述位线沿着第一方向间隔排列于所述衬底表面，每条所述位线连接有M个所述晶体管，沿着第二方向，每行包括S个间隔设置的所述晶体管，位线与晶体管导通，晶体管包括沟道、栅极...
    2025-11-29
  • 存储器器件及其制作方法
    存储器器件及其制作方法_长江存储科技有限责任公司_202410547214.4
    本公开实施例提供了一种存储器器件及其制作方法，其中，该存储器器件包括：半导体结构；半导体结构包括：半导体柱，沿第一方向延伸；栅极结构，位于半导体柱的至少一侧；以及第一掺杂区，位于半导体柱沿第一方向相对的两端；沿栅极结构指向半导体柱的方向上，...
    2025-11-29
  • 半导体器件及其制造方法、存储器系统
    半导体器件及其制造方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410545466.3
    本公开实施例提供了一种半导体器件及其制造方法、存储器系统，所述半导体结构的制造方法包括：在基底上形成第一掩膜层，在所述第一掩膜层中形成并排设置的多个第一开口；基于所述多个第一开口对所述基底进行第一次刻蚀，形成并排设置的多个第一沟槽；扩大所述...
    2025-11-29
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410545452.1
    本申请提供了一种半导体器件及其制备方法、存储系统，先提供半导体层，再在半导体层沿第一方向的一侧形成掩模层，然后利用掩模层对半导体层进行刻蚀，形成沿第二方向延伸的第一凹槽和位于相邻第一凹槽之间的初始半导体柱，以及覆盖初始半导体柱的第一掩模图案...
    2025-11-29
  • 半导体结构及其制造方法、存储系统
    半导体结构及其制造方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410544455.3
    本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。该半导体结构包括多个半导体柱、栅极结构、第一介质层和电容接触结构。栅极结构位于半导体柱沿第一方向的第一侧。第一介质层位于半导体柱的第一侧且沿第二方向延伸至栅极结构。电容接触结构沿第二方向穿过...
    2025-11-29
  • 存储器及其形成方法、存储器系统
    存储器及其形成方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410537553.4
    本公开提供了一种存储器及其形成方法、存储器系统，存储器的形成方法包括：形成多个存储块；其中，形成存储块包括：形成第一半导体结构；第一半导体结构包括存储单元阵列；存储单元阵列包括多个存储电容；存储电容包括第一极板、第二极板以及位于第一极板和第...
    2025-11-29
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