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最新专利技术
  • 并排毛细管结合限域液面的组合纺丝头、静电纺丝设备及三室嵌合并列结构纳米纤维的批量制备方法
    并排毛细管结合限域液面的组合纺丝头、静电纺丝设备及三室嵌合并列结构纳米纤维的批量制备方法_上海理工大学_202511175915.0
    本发明公开了并排毛细管结合限域液面的组合纺丝头、静电纺丝设备及三室嵌合并列结构纳米纤维的批量制备方法。所述并排毛细管结合限域液面纺丝头包括多组两两紧邻并排的金属毛细管组合和一金属空心楔；任一组所述金属毛细管组合包括两套金属毛细管中的各一根；...
    2026-01-29
  • 免穿集绪器弹性连接机构
    免穿集绪器弹性连接机构_徐士俊_202511349463.3
    本发明涉及制丝工程缫丝设备领域，目的是克服背景技术中的不足，提供一种免穿集绪器弹性连接机构，该机构应具有结构简单、拆装方便、连接牢固的特点。本发明的技术方案是：免穿集绪器弹性连接机构，包括设置在故障杠杆前端的插板以及设置在免穿集绪器后端的插...
    2026-01-29
  • 一种晶体材料的加工方法及加工而成的晶体
    一种晶体材料的加工方法及加工而成的晶体_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202510823694.7
    本发明属于晶体材料超精密加工领域，涉及等离子改性技术及高温加工技术，尤其是一种等离子体辅助挥发的晶体超光滑表面加工方法及加工而成的晶体。本发明公开了一种晶体材料的加工方法，所述的加工方法包括改性处理、加热处理；其中通过改性处理在晶体材料表面...
    2026-01-29
  • 光伏电池的表面强化的硅片基体的制备方法
    光伏电池的表面强化的硅片基体的制备方法_中能创光电科技(常州)有限公司_202511434197.4
    本发明涉及光伏电池技术领域，特别是一种光伏电池的表面强化的硅片基体的制备方法，对硅片基体制绒后进行两次表面强化处理，得到表面强化的硅片基体，两次表面强化处理具体为：在第一次表面强化处理时采用刻蚀溶液A对硅片基体的表面形貌缺陷进行圆滑处理，在...
    2026-01-29
  • 一种HVPE-GaN衬底载具上寄生多晶的去除方法及装置
    一种HVPE-GaN衬底载具上寄生多晶的去除方法及装置_山东晶镓半导体有限公司_202510843774.9
    本发明属于氮化镓单晶生长技术领域，具体为一种HVPE‑GaN衬底载具上寄生多晶的去除方法及装置。方法：将所述衬底载具置于反应炉中，先通入惰性气体，再通入氢气而后升温至1000‑1050℃进行反应，去除衬底载具上的寄生多晶。本发明的方法优势显...
    2026-01-29
  • 一种碳化单晶硅生长设备及制备方法
    一种碳化单晶硅生长设备及制备方法_桂林雷光科技有限公司_202511260381.1
    本发明涉及半导体生产设备技术领域，具体涉及一种碳化单晶硅生长设备及制备方法，包括操作主箱、输送设备和安装壳，安装壳固定安装在操作主箱顶部，还包括制备组件；制备组件包括固定架、装夹支架、调整桁架、适配架、装载构件、调动构件和加工构件，四个固定...
    2026-01-29
  • 一种提高大尺寸碳化硅温场均匀性的方法及装置
    一种提高大尺寸碳化硅温场均匀性的方法及装置_哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司_202511098474.9
    本发明涉及半导体材料制备技术领域，尤其涉及一种提高大尺寸碳化硅温场均匀性的方法及装置，包括：通过分布式传感器网络实时获取轴向和径向温度数据，采用多源协同加热系统动态补偿温场，基于热‑电磁耦合模型计算补偿参数，同步驱动动态保温结构，对温场进行...
    2026-01-29
  • 一种纳米碳化硅晶须及其制备方法
    一种纳米碳化硅晶须及其制备方法_中国科学院过程工程研究所_202410547246.4
    本发明涉及一种纳米碳化硅晶须及其制备方法，所述制备方法包括：(1)使用酸液对粉煤灰进行酸法处理，使粉煤灰中的关键杂质元素的含量占处理后的粉煤灰的总质量的2～11％，得到酸处理的粉煤灰；(2)将所述酸处理的粉煤灰与第一碳源混合，得到混合料；(...
    2026-01-29
  • 一种晶棒的制造方法、单晶炉以及硅片
    一种晶棒的制造方法、单晶炉以及硅片_晶科能源股份有限公司_202511324035.5
    本公开涉及光伏技术领域，提供一种晶棒的制造方法、单晶炉以及硅片，单晶炉包括主炉室、副炉室、等离子体掺杂装置和控制器。主炉室具有第一腔室；副炉室具有第二腔室，第二腔室与第一腔室相连通，第二腔室用于容纳在主炉室内完成拉晶工艺的晶棒；等离子体掺杂...
    2026-01-29
  • 一种掺杂单晶硅轴向电阻率的调控方法、单晶炉
    一种掺杂单晶硅轴向电阻率的调控方法、单晶炉_麦斯克电子材料股份有限公司_202511273733.7
    一种掺杂单晶硅轴向电阻率的调控方法、单晶炉，涉及掺杂单晶硅技术领域，包括以下步骤：掺杂剂按照第一规格单晶硅电阻率上限所需的量作为首次添加量加入熔硅内；拉制第一规格单晶硅，并获取第一规格单晶硅尾部的电阻率，依据单晶硅尾部的电阻率、剩余熔硅质量...
    2026-01-29
  • 一种高寿命硅片及硅片吸杂方法
    一种高寿命硅片及硅片吸杂方法_隆基绿能科技股份有限公司_202510828034.8
    本申请涉及一种硅片，其中，所述硅片中的锑元素的浓度为4E+14cm‑3至2E+16cm‑3，优选为4.30E+14cm‑3至1.9E+16cm‑3；进一步优选为4.45E+14cm‑3至1.87E+16cm‑3；以及所述硅片的少子寿命大于等...
    2026-01-29
  • 一种单晶金刚石的生长装置
    一种单晶金刚石的生长装置_西南科技大学_202511138216.9
    本申请提供的一种单晶金刚石的生长装置，该装置包括：微波谐振腔体；固定式水冷基片台，设置在微波谐振腔体内；移动式基片罩，设置有开口，通过固定式水冷基片台伸入开口，使得移动式基片罩罩设固定式水冷基片台，且在移动式基片罩的顶壁设置有通孔，以允许单...
    2026-01-29
  • 一种高质量WSe2单晶薄膜的新型气相外延生长方法
    一种高质量WSe2单晶薄膜的新型气相外延生长方法_北京科技大学_202511139526.2
    本发明提出一种高质量WSe2单晶薄膜的新型气相外延生长方法，涉及半导体材料科学与微纳制造工程技术领域，包括衬底的预处理、前驱体装载、温场与真空建立和单晶薄膜生长四个步骤；本发明采用改进型气相外延工艺，通过对源料供给、温场分布、气氛控制和衬底...
    2026-01-29
  • 用于制备外延晶圆的方法、系统及外延晶圆
    用于制备外延晶圆的方法、系统及外延晶圆_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202510770537.4
    本公开涉及一种用于制备外延晶圆的方法、用于制备外延晶圆的系统以及外延晶圆。该方法包括：在外延生长设备的基座上沉积形成预定厚度的膜层；以及对承载在已形成有该膜层的基座上的晶圆进行外延生长以获得外延晶圆，其中，预定厚度根据晶圆在经过外延生长后要...
    2026-01-29
  • 一种二维金属单质Cd晶体材料及其制备方法
    一种二维金属单质Cd晶体材料及其制备方法_温州大学新材料与产业技术研究院_202510369619.8
    本发明属于二维材料制备领域，具体公开了一种二维金属单质Cd晶体材料及其制备方法。该制备方法具体为：将Cd与BiOCl粉末混合获得前驱体，将前驱体置于中心高温区并对其加热，利用载气将挥发的气态前驱体输送到下游低温区衬底，在衬底上生成二维Cd晶...
    2026-01-29
  • 一种晶片外延生长用承载盘
    一种晶片外延生长用承载盘_厦门市九万光芯科技有限公司_202411331592.5
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种晶片外延生长用承载盘，包括盘体、盖板、调节组件和定位机构，盘体的上部开设有若干个凹槽，凹槽内设置有承载块，用于对放置进凹槽内的晶片进行承载，盘体的内部开设有空腔和若干个安装口，且若干个安装口均与空腔连通，...
    2026-01-29
  • 一种Micro LED外延石墨载盘制造方法及系统
    一种Micro LED外延石墨载盘制造方法及系统_江西兆驰半导体有限公司_202511416391.X
    本发明公开了一种Micro LED外延石墨载盘制造方法及系统，该方法包括：同步采集Micro LED晶圆的晶圆数据，构建晶圆坐标系；对同一位置坐标点对应的PL波长与COT波长进行加权计算，输出三维点云数据集并存储以得到目标数据；读取目标数据...
    2026-01-29
  • 外延片的制备方法和外延片
    外延片的制备方法和外延片_埃特曼(厦门)光电科技有限公司_202511206694.9
    本申请涉及一种外延片的制备方法和外延片，其中，外延片的制备方法包括：提供衬底；执行分子束外延生长工艺，重复多个生长周期，以在衬底上形成外延叠层结构；其中，外延叠层结构包括多组沿生长方向堆叠的叠层单元，每个生长周期形成一组叠层单元，每组叠层单...
    2026-01-29
  • 一种碳化硅晶体生长装置及方法
    一种碳化硅晶体生长装置及方法_北京天科合达半导体股份有限公司_202511456081.0
    本申请公开的碳化硅晶体生长装置及方法，包括籽晶托、晶体生长限制件和坩埚，晶体生长限制件分别与籽晶托和坩埚连接，从靠近籽晶托至远离籽晶托的方向，晶体生长限制件包括籽晶容纳区、生长缓冲区和竖直生长区，籽晶位于籽晶容纳区，籽晶容纳区的高度与籽晶的...
    2026-01-29
  • 一种新型引放方法
    一种新型引放方法_云南嘉泰来新材料有限公司_202510880689.X
    本发明涉及单晶硅制造技术领域，具体涉及一种新型引放方法，包括以下步骤：采用直拉法控制硅单晶生长；向熔体中引入具有特定晶向的籽晶；在熔料完成后，将加热器功率设定为引晶功率，保持炉内温度恒定；籽晶接触固液相接面，引晶时，对温度进行动态调控，使其...
    2026-01-29
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