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最新专利技术
  • 中子射线屏蔽材、半导体装置用屏蔽材、半导体装置用包装体、核反应堆用屏蔽材、核反应堆容纳容器、核反应堆建筑物、核聚变堆用屏蔽材、核聚变堆及核聚变堆建筑物
    中子射线屏蔽材、半导体装置用屏蔽材、半导体装置用包装体、核反应堆用屏蔽材、核反应堆容纳容器、核反应堆建筑物、核聚变堆用屏蔽材、核聚变堆及核聚变堆建筑物_迪睿合株式会社_202480031685.8
    中子射线屏蔽材是屏蔽中子射线的中子射线屏蔽材，具有含树脂的层和含硼化氢的层，所述含树脂的层及所述含硼化氢的层的任一个设于中子射线的线源侧。
    2025-12-19
  • 用于晶圆级已知良好管芯混合键合的封装架构
    用于晶圆级已知良好管芯混合键合的封装架构_英特尔公司_202380097773.3
    本文公开了微电子组件、相关装置及方法。在一些实施例中，微电子组件可包括：在第一层中的第一管芯；以及在第二层中的第二管芯和第三管芯，该第二层通过混合键合互连耦合至第一层，该互连具有第一焊盘和第二焊盘，其中第一焊盘耦合至第二管芯中的第一过孔，且...
    2025-12-19
  • 剥离装置、剥离系统以及剥离方法
    剥离装置、剥离系统以及剥离方法_东京毅力科创株式会社_202480026352.6
    剥离装置将层叠有第一基板和第二基板的重合基板剥离成第一基板和第二基板。剥离装置具备：第一保持部，其保持重合基板的第一基板；第二保持部，其保持重合基板的第二基板；剥离引导部，其进入重合基板的第一基板与第二基板之间来形成开始剥离的剥离开始部位；...
    2025-12-19
  • 基板收纳容器
    基板收纳容器_未来儿股份有限公司_202380098079.3
    本发明提供基板收纳容器。基板收纳容器(1)具备：容器主体(2)；盖体(3)；盖体侧基板支承部(73)，能够支承多个基板(W)的边缘部；以及后侧基板支承部(6)，以与盖体侧基板支承部(73)成对的方式配置，在通过盖体(3)封闭容器主体开口部(...
    2025-12-19
  • 基板收纳容器
    基板收纳容器_未来儿股份有限公司_202380098011.5
    本发明提供基板收纳容器。基板收纳容器(1)具备：容器主体(2)；盖体(3)；盖体侧基板支承部(73)，配置在通过盖体(3)封闭容器主体开口部(21)时与基板收纳空间(27)对置的部分，在通过盖体(3)封闭容器主体开口部(21)时，能够支承多...
    2025-12-19
  • 用于加热器基座的电阻丝
    用于加热器基座的电阻丝_朗姆研究公司_202480029724.0
    本发明的各种实施方案涉及用于半导体处理的基座，以及它们的用途和制造的方法。在一些实施方案中，一种用于在处理期间支撑半导体衬底的基座包含：主体，其具有内部部分和围绕该内部部分的外部部分；内电阻丝，其位于该主体的该内部部分内，该内电阻丝具有第一...
    2025-12-19
  • 半导体结构体及其制造方法
    半导体结构体及其制造方法_三井化学株式会社_202480027681.2
    一种半导体结构体，具备：复合基板，其包含二维配置的多个硅裸片和填充于多个硅裸片之间的有机间隙填充材料；以及硅裸片，其直接或经由其他层而与复合基板中的多个硅裸片中的至少一个混合接合。
    2025-12-19
  • 氮化硅的无卤蚀刻
    氮化硅的无卤蚀刻_应用材料公司_202480027481.7
    半导体处理的方法可包括提供含氢前驱物至半导体处理腔室的处理区域。基板可设置在处理区域内的基板支撑件上。含硅与氮材料层可设置在基板上。方法可包括形成含氢前驱物的等离子体流出物。方法可包括使含硅与氮材料层接触含氢前驱物的等离子体流出物。此接触可...
    2025-12-19
  • 改善经蚀刻的含硅及锗材料表面粗糙度的处理
    改善经蚀刻的含硅及锗材料表面粗糙度的处理_应用材料公司_202480014223.5
    示例性半导体处理方法可包括提供处理前体至半导体处理腔室的远程等离子体系统。所述方法可包括在所述远程等离子体系统中产生所述处理前体的等离子体流出物。所述方法可包括使所述处理前体的等离子体流出物流动到所述半导体处理腔室的处理区域。包括交替材料层...
    2025-12-19
  • 基板处理方法和基板处理系统
    基板处理方法和基板处理系统_东京毅力科创株式会社_202480031470.6
    一种基板处理方法，用于对第一基板与第二基板接合而成的重合基板进行处理，在所述基板处理方法中，沿着所述第一基板中的中央部与作为去除对象的周缘部之间的边界，在所述第一基板的内部形成第一周缘改性区域，至少在相对于所述第一周缘改性区域而言的径向外侧...
    2025-12-19
  • 用于大面积间隙填充的压缩膜
    用于大面积间隙填充的压缩膜_应用材料公司_202480028906.6
    半导体处理的示例性方法可包括将含硅前体提供到半导体处理腔室的处理区域。基板可设置在所述半导体处理腔室内。所述方法可包括在所述基板上形成含硅材料。所述含硅材料可通过大于或约‑200 MPa的应力表征。所述方法可包括在大于或约700℃的温度下退...
    2025-12-19
  • 用于质谱分析的三维打印纳喷雾接口
    用于质谱分析的三维打印纳喷雾接口_安捷伦科技有限公司_202480032356.5
    在一些示例中，用于质谱分析的三维打印纳喷雾接口可包括本体，所述本体包括连接至鞘液出口的鞘液入口，用于使鞘液流通至发射器。所述发射器可包括侧壁，所述侧壁的内表面上包括阶梯状纹理。
    2025-12-19
  • 离子门
    离子门_塞莫费雪科学(不来梅)有限公司_202480031887.2
    提供用于质谱仪的离子门。第一电极组件包括多个导向电极，这些电极被布置成在第一电极组件的第一端至第二端之间定义多极离子导向结构。离子导向结构配置为在第一端接收离子束.导向电极配置为接收射频电压，以定义离子束的约束体积。第二电极组件包括至少一个...
    2025-12-19
  • 用于控制等离子体工艺供应系统的控制装置、具有这样的控制装置的等离子体工艺供应系统以及用于操作控制装置的方法
    用于控制等离子体工艺供应系统的控制装置、具有这样的控制装置的等离子体工艺供应系统以及用于操作控制装置的方法_通快霍廷格两合公司_202480029253.3
    本发明涉及一种用于控制等离子体工艺供应系统(100)的控制装置(1)。该等离子体工艺供应系统包括RF发生器(101)和用于连接负载(103)的阻抗匹配电路(101)。控制装置(1)被设计成确定RF发生器(101)的供应功率和阻抗匹配电路(1...
    2025-12-19
  • 层叠陶瓷电容器
    层叠陶瓷电容器_株式会社村田制作所_202480032157.4
    绝缘层(40)设置在第一主面(101)上，形成有多个开口部(41h、42h)。至少一个第一外部电极(20)及至少一个第二外部电极(30)在绝缘层(40)上相互隔开间隔地设置。至少一个第一外部电极(20)设置为，覆盖多个第一过孔导体(240)...
    2025-12-19
  • 层叠陶瓷电容器
    层叠陶瓷电容器_株式会社村田制作所_202480032152.1
    多个第一内部电极层(120)分别由在同一层内相互分离的多个第一内部电极部(121、122)构成。多个第二内部电极层(130)分别在同一层内构成为一体。多个第一内部电极部(121、122)分别与多个第一过孔导体(140)中的对应的多个第一过孔...
    2025-12-19
  • 质子传导体、膜电极接合体、电化学单元和燃料电池电堆
    质子传导体、膜电极接合体、电化学单元和燃料电池电堆_松下控股株式会社_202480030999.6
    本公开的质子传导体，包含由化学式BaaZr1‑x‑yYbxCuyO3‑δ表示的化合物。其中，在上述化学式中，满足0.95≤a≤1.05、0.1≤x≤0.4、0.01＜y＜0.20、且0＜δ≤0.65。本公开的电解质膜(10)包含上述本公开的...
    2025-12-19
  • 安全壳与燃料处理建筑之间的倾斜燃料传输系统
    安全壳与燃料处理建筑之间的倾斜燃料传输系统_西屋电气有限责任公司_202480032332.X
    公开了一种燃料传输系统，其包括第一壳体、第二壳体、以及将第一壳体连接至第二壳体的燃料传输管，其中，燃料传输管以一定的俯仰角设置。燃料传输系统包括燃料传输小车，所述燃料传输小车配置成从第一壳体通过燃料传输管以可滑动的方式移动到第二壳体。
    2025-12-19
  • 庞贝病治疗中运动功能评分的预测
    庞贝病治疗中运动功能评分的预测_建新公司_202480031806.9
    一种用于预测运动功能评分相对于基线评分的变化的预测方法。该系统获得包括受试者的指示代谢物化合物的时间轨迹的输入数据。该系统使用预测模型和输入数据来确定运动功能评分的预测时间轨迹。
    2025-12-19
  • 评估医学成像系统的部件的性能度量
    评估医学成像系统的部件的性能度量_皇家飞利浦有限公司_202480031715.5
    提供了一种评估医学成像系统的部件的性能度量的计算机实施的方法。所述方法包括在监测时段(1401)内的多个分开的时间间隔(1801··i)期间获取所述部件的监测数据。每个时间间隔在所述医学成像系统执行诊断成像扫描(190)的执行过程之前，或者...
    2025-12-19
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