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最新专利技术
  • 雪崩光电探测器芯片及光接收模块
    雪崩光电探测器芯片及光接收模块_华为技术有限公司_202411294274.6
    本公开公开了雪崩光电探测器芯片及光接收模块，属于光电转换技术领域。雪崩光电探测器芯片包括沿着光透射方向依次分布的多层光接收单元，每一光接收单元包括P型接触层、N型接触层以及层叠布置于P型接触层和N型接触层之间的吸收层、电荷层和倍增层。沿着光...
    2026-03-23
  • 单片三维集成光电探测器及其制备方法
    单片三维集成光电探测器及其制备方法_北京大学重庆碳基集成电路研究院_202610030161.8
    本公开提供了一种单片三维集成光电探测器及其制备方法。制备方法包括：在作为光电探测器的基底的读出集成电路上形成隔离钝化层；在隔离钝化层中形成源极导电通孔、漏极导电通孔和底栅接触孔；沉积导电材料并进行平坦化处理，导电材料填充在源极导电通孔、漏极...
    2026-03-23
  • 一种可编程光脉冲调谐短波红外光电探测器及制备方法
    一种可编程光脉冲调谐短波红外光电探测器及制备方法_北京工业大学_202511892079.8
    一种可编程光脉冲调谐短波红外光电探测器及制备方法，涉及二维光电器件技术领域。包括图案化底栅电极、二维铁电材料层、绝缘电介质层、二维半导体沟道层、源漏电极及上层绝缘保护层，形成非对称铁电浮栅结构。利用铁电浮栅与沟道之间的半浮栅耦合作用，器件能...
    2026-03-23
  • 一种基于LLTO离子栅的光电突触器件及其制备方法
    一种基于LLTO离子栅的光电突触器件及其制备方法_华南师范大学_202511813152.8
    本发明属于半导体技术领域，涉及一种基于LLTO离子栅的光电突触器件，包括依次层叠设置的衬底、底电极、栅介质、沟道，以及间隔设置在所述沟道上方的源电极和漏电极；所述栅介质的材质为钛酸镧锂，所述沟道的材质为二维半导体薄膜。本发明所述的光电突触器...
    2026-03-23
  • 一种具有可调光响应灵敏度的光电晶体管及其应用
    一种具有可调光响应灵敏度的光电晶体管及其应用_中国科学院金属研究所_202510802500.5
    本发明涉及智能机器视觉系统中光电探测器的设计与应用领域，具体为一种具有可调光响应灵敏度的光电晶体管及其应用。该光电晶体管在栅极结构中引入光电二极管，作为光敏层嵌入器件体系，实现光强驱动下二极管电导的动态调制，进而调控栅电压在器件栅介质层与沟...
    2026-03-23
  • 一种非对称光学谐振的雪崩光电二极管及感光阵列
    一种非对称光学谐振的雪崩光电二极管及感光阵列_中国电子科技集团公司第四十四研究所_202511889642.6
    本发明提供的一种非对称光学谐振的雪崩光电二极管及感光阵列，包括：电极层，其内设置有第一开窗区；顶部反射镜，其设置于第一开窗区内，顶部反射镜的入射一侧对具有目标波长的光的透过率高于预设的透过率阈值，且出射一侧对目标波长的光的反射率高于预设的反...
    2026-03-23
  • 光电器件及其制备方法、光电检测装置
    光电器件及其制备方法、光电检测装置_杭州海康威视数字技术股份有限公司_202411294609.4
    本申请提供一种光电器件及其制备方法、光电检测装置，可以降低器件的暗计数率。光电器件，包括：基板；工作区，位于基板中，工作区包括第一导电类型的第一阱区、第二阱区和第一高掺区，以及，具有第二导电类型的第三阱区，第四阱区和第二高掺区，其中，第三阱...
    2026-03-23
  • 一种二类超晶格探测器及其制备方法
    一种二类超晶格探测器及其制备方法_苏州恒影感知科技有限公司_202511864602.6
    本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种二类超晶格探测器及其制备方法，包括生长在硅衬底上的锗层，和在锗层上形成的砷化镓层；所述砷化镓层上交替生长有Ⅲ‑Ⅴ族半导体化合物。采用本发明方法制得的二类超晶格材料，应用到红外探测器后能形成高分辨率图像，...
    2026-03-23
  • 一种复合焊带、电池串、电池组件和光伏系统
    一种复合焊带、电池串、电池组件和光伏系统_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511787690.4
    本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种复合焊带、电池串、电池组件和光伏系统。复合焊带包括第一焊带、绝缘带和第二焊带，第一焊带、绝缘带和第二焊带沿第一方向延伸，且沿第二方向依次接触排列；第一焊带包括第一导电件和若干第一绝缘件，第一绝缘件设...
    2026-03-23
  • 一种背接触电池组件及光伏系统
    一种背接触电池组件及光伏系统_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511749482.5
    本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种背接触电池组件及光伏系统。该背接触电池组件包括第一电池单元，第一电池单元包括沿第一方向排布的第一电池串和第二电池串，最靠近中间汇流条的背接触电池片为第一端部电池片，最靠近第一端部汇流条的背接触电池片...
    2026-03-23
  • 电池串组、电池串组的制备方法及光伏组件
    电池串组、电池串组的制备方法及光伏组件_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511628262.7
    本申请涉及光伏技术领域，公开了一种电池串组、电池串组的制备方法及光伏组件，电池串组包括N组并联设置的电池串，电池串包括多块串联设置的电池分片，电池分片为1/M片电池片，N大于M，M大于或等于2。在一个阵列装需要相同数量下，本申请N切M并所制...
    2026-03-23
  • 光伏组件合玻方法以及合玻装置
    光伏组件合玻方法以及合玻装置_苏州晟成光伏设备有限公司_202610180866.8
    本发明公开了光伏组件合玻方法以及合玻装置，合玻方法包括一道玻璃被输送至合玻工位的第一高度并被四边归正，二道玻璃被输送至合玻工位的第二高度并被四边归正，二道玻璃的底面被吸附固定住，一道玻璃与二道玻璃中的一者或两者进行高度上的位置移动，二道玻璃...
    2026-03-23
  • 光伏组件
    光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511866996.9
    本申请属于光伏技术领域，具体涉及一种光伏组件，能够降低与安装螺栓配合的通孔的应力集中系数，包括：电池串；第一胶膜及第二胶膜，分别位于所述电池串的两侧；正面封装结构，所述正面封装结构设置在所述第一胶膜背离所述电池串的侧面；及盖板玻璃，所述盖板...
    2026-03-23
  • 一种轻质光伏组件及制造方法
    一种轻质光伏组件及制造方法_一道新能源科技股份有限公司_202411221318.2
    本发明提供一种轻质光伏组件及制造方法，涉及光伏组件技术领域，该轻质光伏组件包括电池件、胶膜件、封装件和边框组件。第一胶膜层设置于电池件的一侧，第二胶膜层设置于电池件的一侧，第一封装层设置于第一胶膜层背离电池件的一侧，第二封装层设置于第二胶膜...
    2026-03-23
  • 一种HBC太阳能电池和制备方法
    一种HBC太阳能电池和制备方法_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202411178020.8
    本发明公开了一种HBC太阳能电池和制备方法，涉及太阳能电池技术领域。该电池包括：硅基体；设置于所述硅基体的第一主表面的多个第一掺杂区、多个第二掺杂区及多个隔离区；其中，多个所述第一掺杂区和多个所述第二掺杂区在所述第一主表面上呈指交叉排列，所...
    2026-03-23
  • 一种低翘曲柔性薄膜太阳电池及其制备方法
    一种低翘曲柔性薄膜太阳电池及其制备方法_南昌凯迅光电股份有限公司_202610178924.3
    本发明涉及太阳电池技术领域，具体涉及一种低翘曲柔性薄膜太阳电池及其制备方法，该太阳电池由支撑衬底、MXene‑PI复合衬底、外延层、P电极、N电极和减反射膜层组成；MXene‑PI复合衬底是在PI膜衬底正面覆盖一层MXene层形成的复合衬底...
    2026-03-23
  • 一种背接触钝化太阳能电池及其制备方法
    一种背接触钝化太阳能电池及其制备方法_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202411180140.1
    本发明公开了一种背接触钝化太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池制造技术领域，该背接触钝化太阳能电池包括：硅基体；硅基体第一主表面的第一区域由内至外层叠设置的第一载流子收集层、第一导电薄膜层和第二导电薄膜层；硅基体第一主表面的第二区域由内至...
    2026-03-23
  • 一种基于沟槽结构的抗ESD增强型功率半导体器件
    一种基于沟槽结构的抗ESD增强型功率半导体器件_安建科技(深圳)有限公司_202610120764.7
    一种基于沟槽结构的抗ESD增强型功率半导体器件，涉及于功率半导体器件，为提升器件抗ESD能力，本发明提供的器件包含有栅极金属层与栅极总线，器件内部设有场限环，栅极金属层和栅极总线之间连接有多组平行排列的第一沟槽栅，栅极金属层内设有第二沟槽栅...
    2026-03-23
  • 一种应用于高速ADC输入端口的静电与浪涌防护器件
    一种应用于高速ADC输入端口的静电与浪涌防护器件_江南大学_202511888391.X
    本发明涉及一种应用于高速ADC输入端口的静电与浪涌防护器件，属于集成电路的静电与浪涌防护技术领域。该器件通过在半导体衬底上的深N阱中设置若干P阱和若干注入区，基于若干P阱和若干注入区构成PNP和NPN结构、二极管结构以及晶体管，再基于若干晶...
    2026-03-23
  • 一种低电容瞬态抑制保护器件
    一种低电容瞬态抑制保护器件_豪威集成电路(集团)股份有限公司_202511805721.4
    本申请实施例提供了一种低电容瞬态抑制保护器件，采用高掺杂衬底和双层外延，通过采用高阻衬底作为共用集电极，串联两个基区浮空的NPN三极管，这样串联设计能够使电容减半。同时再并联一个超低触发电压的SCR结构，利用半导体穿通特性，解决了高阻衬底三...
    2026-03-23
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