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最新专利技术
  • 一种全自动大型真空排气台及其工作方法
    一种全自动大型真空排气台及其工作方法_北京北方华创真空技术有限公司_202511612403.6
    本申请涉及一种全自动大型真空排气台及其工作方法，包括炉体以及前炉门，其中：所述炉体底部设置有第一支撑件，所述炉体周围设置有第二支撑件；所述前炉门一侧与所述炉体一侧通过铰接组件铰接，所述铰接组件处配合设置有驱动组件，所述驱动组件用于配合所述铰...
    2026-03-20
  • 用于供气设备气动阀的开启装置
    用于供气设备气动阀的开启装置_甬江实验室_202511535813.5
    本发明公开了一种用于供气设备气动阀的开启装置，涉及开启装置技术领域，用于供气设备气动阀的开启装置包括：外壳、压力调节结构和气体输出结构，外壳内形成有储气腔，储气腔用于存储气体，压力调节结构与储气腔连通，压力调节结构用于调节储气腔内气体压力以...
    2026-03-20
  • 硅片处理装置及方法
    硅片处理装置及方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511499502.8
    本公开提供了硅片处理装置及方法，所述硅片处理装置包括：槽体，所述槽体用于容纳第一液体并且在其顶部具有敞开的口部；注入部，所述注入部设置在所述槽体的下部中；其中，所述注入部设置成用于将第二液体引入所述第一液体中，所述第二液体的温度高于所述第一...
    2026-03-20
  • 基板处理装置以及基板处理方法
    基板处理装置以及基板处理方法_株式会社斯库林集团_202511280447.3
    本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法，能够抑制因处理基板的处理液与清洗过滤器的处理液混合而引起的不良情况。基板处理装置(100)具备：循环配管(21)，其包括分支为第1分支配管和第2分支配管这两个配管的部分；过滤器(53)，其至少设置...
    2026-03-20
  • 处理液供给单元的调整方法、压力损失调节单元及基板处理装置
    处理液供给单元的调整方法、压力损失调节单元及基板处理装置_株式会社斯库林集团_202511263535.2
    本发明提供能够简便地再现按基板处理工厂而不同的配管压力损失的处理液供给单元的调整方法、压力损失调节单元及基板处理装置。在基板处理装置中，基板处理单元(100)与处理液供给单元(200)通过送液配管(50)连接。在送液配管上插入有压力损失调节...
    2026-03-20
  • 处理液供给装置、基板处理系统、处理液供给方法及基板处理方法
    处理液供给装置、基板处理系统、处理液供给方法及基板处理方法_株式会社斯库林集团_202511242421.X
    本发明涉及处理液供给装置、基板处理系统、处理液供给方法及基板处理方法。基板处理装置选择性地转变为不向对基板进行处理的处理部导入处理液的准备状态和通过向处理部导入处理液而能够执行基板处理的执行状态。在处理液供给装置中，处理液通过循环配管而进行...
    2026-03-20
  • 晶粒拾取方法及设备
    晶粒拾取方法及设备_细美事有限公司_202511226595.7
    本发明提供一种晶粒拾取方法。晶粒拾取方法可包括如下步骤：安放步骤，使附着有晶粒的切割胶带安放于顶出头；初始剥离步骤，以所述顶出头为基准而使推杆上升以对所述晶粒加压；及最终剥离步骤，利用拾取头拾取所述晶粒；其中，在所述初始剥离步骤中包括如下步...
    2026-03-20
  • 衬底处理装置及衬底处理方法
    衬底处理装置及衬底处理方法_株式会社斯库林集团_202511213695.6
    本发明涉及一种衬底处理装置及衬底处理方法。提供一种能够降低衬底受到金属污染的可能性并且对衬底进行处理的技术。衬底处理装置具备带电单元(20)及处理单元(30)。带电单元(20)包含使衬底(W)的第1主面(Wa)带正电的带电器(21)。处理单...
    2026-03-20
  • 基板清洗装置及基板清洗装置的旋转卡盘
    基板清洗装置及基板清洗装置的旋转卡盘_凯斯科技股份有限公司_202511209415.4
    本发明涉及一种基板清洗装置，其包括：清洗腔室，其提供用于清洗基板的清洗空间；旋转卡盘，其用于支撑基板；夹持销，其与旋转卡盘相结合，以固定基板；转换部，其以可移动的形式安装于旋转卡盘；以及导向部，其引导转换部的移动，转换部使得夹持销从固定基板...
    2026-03-20
  • 超临界基板处理装置
    超临界基板处理装置_凯斯科技股份有限公司_202511209414.X
    本发明涉及一种超临界基板处理装置，其特征在于，包括：腔室，其设置有处理空间；基板支撑部，其对基板进行支撑；开闭部，其用于打开或关闭处理空间；搬出搬入部，其将基板搬入至基板支撑部或者将基板从基板支撑部搬出；检测部，其对搬出搬入部或基板进行检测...
    2026-03-20
  • 基板处理装置
    基板处理装置_芝浦机械电子株式会社_202511197682.4
    本发明提供一种能抑制在基板的面内产生温度偏差的基板处理装置。实施方式的基板处理装置包括：载置部，具有能够载置基板的载置台，能够使所载置的所述基板旋转；冷却部，能够经由冷却气体喷嘴向所述载置台与所述基板之间的空间供给冷却气体；以及液体供给部，...
    2026-03-20
  • 衬底处理装置及衬底处理方法
    衬底处理装置及衬底处理方法_株式会社斯库林集团_202511142668.4
    本发明提供一种衬底处理装置及衬底处理方法，能够降低排液配管堵塞的风险，且能够减少液体消耗量，从而有助于降低环境负荷及运转成本。本发明的衬底处理装置包含：膜片排出部，利用第1液体将从衬底的表面剥离的处理膜的膜片引导到排液配管；第2液体供给部，...
    2026-03-20
  • 晶圆型测量装置以及基板处理装置
    晶圆型测量装置以及基板处理装置_细美事有限公司_202510943877.2
    本发明公开了一种晶圆型测量装置以及基板处理装置。根据本发明实施例的晶圆型测量装置包括下装置以及安放于所述下装置的上装置，其特征在于，所述下装置包括：下基板；安放部，以凸出的状态连接于所述下基板上部；以及致动器部，相对于所述下基板升降或者旋转...
    2026-03-20
  • 基板处理装置以及基板处理方法
    基板处理装置以及基板处理方法_细美事有限公司_202510813021.3
    本发明公开了一种基板处理装置以及基板处理方法。根据本发明的一实施例的基板处理装置，其特征在于，包括：处理腔体，提供执行基板处理工艺的处理空间；气体供应单元，用于供应气体；喷头单元，用于将从所述气体供应单元供应的气体向所述处理空间供应；等离子...
    2026-03-20
  • 半导体制造装置及半导体装置的制造方法
    半导体制造装置及半导体装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202510202506.9
    本公开提供在半导体基板的湿法蚀刻工序中能够抑制半导体基板上的图案的倒塌的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。一实施方式的半导体制造装置具备贮存通过将调整pH的调整物质向第1液体添加而生成的第1流体的第1流体贮存部。第1流体供给部将第1流体...
    2026-03-20
  • 安装有加热单元的基板处理装置
    安装有加热单元的基板处理装置_株式会社迪佰世_202510082659.4
    本发明涉及安装有加热单元的基板处理装置，包括：基板保持单元，保持及旋转基板；处理液供给单元，向保持在基板保持单元的基板的上表面或下表面供给处理液；加热单元，在下部对基板加热；隔断板，设置在加热单元的上侧，可透射朝向基板的光，设置在基板保持单...
    2026-03-20
  • 闸门结构及具有此的腔室模块
    闸门结构及具有此的腔室模块_圆益IPS股份有限公司_202411885973.8
    本发明提出一种闸门结构，配置在具有形成有闸门的一个以上的闸门形成面的腔室，包括：第一部件，形成与在闸门形成面形成的闸门相对应的第一开口，并且固定结合于闸门形成面；第二部件，形成第二开口，第二开口与第一开口相对应并且被开关部件开关，针对于第一...
    2026-03-20
  • 使用固态二氧化碳粗糙化表面的方法
    使用固态二氧化碳粗糙化表面的方法_南亚科技股份有限公司_202411466634.6
    本发明提供一种使用固态二氧化碳粗糙化表面的方法。方法包括以下操作。生成固态二氧化碳，包括使二氧化碳从气瓶经由冷却喷嘴进入真空室中，其中固态二氧化碳在二氧化碳经由冷却喷嘴后形成，以及固态二氧化碳从冷却喷嘴出来的速度为1000m/s至3000m...
    2026-03-20
  • 晶圆翻转装置及晶圆清洗设备
    晶圆翻转装置及晶圆清洗设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411270013.0
    本申请公开一种晶圆翻转装置及晶圆清洗设备，涉及半导体制备技术领域，所公开的晶圆翻转装置包括基座、旋转支架、第一驱动部、第一夹持机构和第二夹持机构；第一驱动部设于基座，且与旋转支架相连，以驱动旋转支架相对于基座进行翻转，第一夹持机构和第二夹持...
    2026-03-20
  • 晶圆升温装置、升温方法、以及半导体工艺设备
    晶圆升温装置、升温方法、以及半导体工艺设备_上海凯世通半导体股份有限公司_202411268314.X
    一种晶圆升温装置、升温方法、以及半导体工艺设备，所述晶圆升温装置包括：升温腔；晶圆承载支架，位于所述升温腔内，所述晶圆承载支架能够承载多片晶圆；升温处理模块，用于向所述升温腔内提供加热环境，以能够对多片所述晶圆进行升温处理。本发明实施例提供...
    2026-03-20
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