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最新专利技术
  • 用于评判衬底堆叠中的第一衬底与第二衬底之间的键合部的质量的方法和用于所述方法的设备
    用于评判衬底堆叠中的第一衬底与第二衬底之间的键合部的质量的方法和用于所述方法的设备_EV集团E·索尔纳有限责任公司_202380102369.0
    一种用于评判衬底堆叠(2)中的键合部的质量的方法，在所述衬底堆叠中，第一衬底(1o)和第二衬底(1u)经由键合部彼此连接，所述方法包括：‑提供具有第一衬底(1o)和第二衬底(1u)的衬底堆叠(2)，所述第一衬底和第二衬底分别沿着主延伸平面延...
    2026-04-23
  • 芯片剥离方法、芯片剥离装置及芯片制造方法
    芯片剥离方法、芯片剥离装置及芯片制造方法_株式会社泰已科_202480059746.1
    将通过切割晶圆而得到的多个芯片及粘贴在多个芯片的背面的粘合片收纳在容器内，对容器进行抽吸处理而使内部成为低压气氛，在维持为低压气氛的容器内从多个芯片及粘合片的背面侧照射紫外线，在维持为低压气氛的容器内使粘合片与凹凸面抵接，在将多个芯片及粘合...
    2026-04-23
  • 半导体管芯
    半导体管芯_英飞凌科技奥地利有限公司_202480059628.0
    本公开涉及一种半导体管芯，该半导体管芯包括：半导体主体；半导体器件，该半导体器件位于该半导体主体的有源区域中；边缘终止结构，该边缘终止结构横向布置在该有源区域与该管芯的侧向边缘之间；碎裂阻止器沟槽，该碎裂阻止器沟槽横向布置在该边缘终止结构与...
    2026-04-23
  • 基板加工装置和基板加工方法
    基板加工装置和基板加工方法_东京毅力科创株式会社_202480059713.7
    基板加工装置具备修整机，该修整机将由彼此接合的第一基板和第二基板构成的重合基板的所述第一基板的周缘沿所述第一基板的周缘分割成多个端材来去除。所述修整机具备：保持部，其保持所述重合基板；刀片，其被插入所述第一基板与所述第二基板之间；旋转部，其...
    2026-04-23
  • 基板分离装置
    基板分离装置_芝浦机械电子株式会社_202480058033.3
    本发明提供一种可准确地实施贴合基板的分离的基板分离装置。基板分离装置1具有：保持部10，对一对基板贴合而成的贴合基板S进行保持；旋转驱动部122，使保持部10旋转；喷嘴30，通过朝向旋转的贴合基板S的外周喷出流体而使贴合基板S分离；喷嘴移动...
    2026-04-23
  • 基板处理装置及冷却方法
    基板处理装置及冷却方法_东京毅力科创株式会社_202480059444.4
    所公开的基板处理装置包括部件、冷却器及控制部。部件在其内部提供具有入口及出口的流路。冷却器构成为对部件进行冷却。冷却器包括雾气发生器、冷气供给器及减压泵。雾气发生器构成为产生冷却液的雾气，并且与流路的入口连接。冷气供给器与流路的入口连接。减...
    2026-04-23
  • 蚀刻方法及等离子体处理装置
    蚀刻方法及等离子体处理装置_东京毅力科创株式会社_202480059439.3
    一种蚀刻方法，其包括：(a)提供基板的工序，基板包括第1区域及第2区域；(b)通过由第1处理气体生成的第1等离子体，在第1区域上形成沉积物的工序；(c)与(b)同时或在(b)之后，对沉积物照射电子束以对沉积物进行改性的工序；及(d)在(c)...
    2026-04-23
  • 蚀刻方法及等离子体处理装置
    蚀刻方法及等离子体处理装置_东京毅力科创株式会社_202480059445.9
    蚀刻方法包含：(a)将基板搬入至等离子体处理装置的腔室内的工序，基板具有含硅膜和设置于含硅膜上的掩模，含硅膜包含选自由氮、磷及硼构成的组中的至少1种元素；和(b)将基板暴露于由包含氟化氢气体的处理气体生成的等离子体中的工序，(b)包含：在含...
    2026-04-23
  • 模拟器与模拟方法
    模拟器与模拟方法_索尼半导体解决方案公司_202480058142.5
    [问题]提供了一种能够提取多次离子注入中的各次离子注入的模拟结果的模拟器和模拟方法。[解决方案]根据本公开的模拟器包括：计算部，其对处理对象执行多次离子注入的模拟；以及存储部，每次执行所述多次离子注入中的各次离子注入的模拟时，所述存储部存储...
    2026-04-23
  • 基板处理装置、基板处理方法、半导体装置的制造方法以及程序
    基板处理装置、基板处理方法、半导体装置的制造方法以及程序_株式会社国际电气_202380101990.5
    本发明提供一种具有下述部件的技术：处理室，其通过气体对基板进行处理；等离子体生成部，其将气体设为等离子体状态；供给管，其设置在处理室的上游侧；排气管，其设置在处理室的下游侧；阀，其设置在排气管的下游侧；以及衰减部，其设置在排气管中的比处理室...
    2026-04-23
  • 基板处理装置
    基板处理装置_株式会社斯库林集团_202480058634.4
    基板处理装置对基板进行处理。基板处理装置具有使流体流通的复数个配管。复数个配管包括至少一个内侧原生材料配管。内侧原生材料配管具有内层以及外层。内层含有氟树脂的原生材料。外层形成于内层的外侧。外层含有氟树脂的再生材料。流体在内层的内侧流通。
    2026-04-23
  • 利用醇在含硅表面上介电膜的区域选择性沉积
    利用醇在含硅表面上介电膜的区域选择性沉积_弗萨姆材料美国有限责任公司_202480033156.1
    一种用于选择性钝化衬底表面的方法，其中衬底表面包括包含氮化硅的至少第一表面和包含氮化硅以外的材料的至少第二表面。该方法包括将表面暴露于至少一种醇的步骤，其中醇选择性地与氮化硅反应以钝化第一表面，从而使第二表面基本上未反应。
    2026-04-23
  • 基板处理系统、接合装置以及接合方法
    基板处理系统、接合装置以及接合方法_东京毅力科创株式会社_202480059485.3
    一种基板处理系统，具备将基板彼此接合的接合装置、以及控制装置，所述接合装置具备：第一保持部，其用于保持第一基板；第二保持部，其设置于所述第一保持部的下方或上方，用于保持第二基板；抵接构件，其使所述第一基板的中心部与所述第二基板的中心部抵接；...
    2026-04-23
  • 有机电场发光元件用混合材料及有机电场发光元件
    有机电场发光元件用混合材料及有机电场发光元件_日铁化学材料株式会社_202480061029.2
    本发明提供一种具有低电压、高效率、且长寿命特性的在实用上有用的有机电场发光元件用材料及使用了其的有机电场发光元件。一种有机电场发光元件用材料，由下述通式(1)所表示。(此处，a及b表示取代数，a表示1～5，b表示1～4；m表示重复数且为1或...
    2026-04-23
  • 抽吸单元、其控制方法、显示装置的制造系统和制造方法
    抽吸单元、其控制方法、显示装置的制造系统和制造方法_三星显示有限公司_202480060123.6
    根据本发明的另一方面的用于控制抽吸单元的方法可以包括以下步骤：当其上设置有待通过激光束照射切割的目标基底的台单元移动时，模拟针对改善的抽吸口的气流以防止烟雾移动到抽吸单元的外部；在靠近改善的抽吸口的高度处在激光切割端周围的三个表面或四个表面...
    2026-04-23
  • 显示面板、显示装置及驱动方法
    显示面板、显示装置及驱动方法_京东方科技集团股份有限公司_202480001610.5
    本公开实施例提供的显示面板、显示装置及驱动方法包括：衬底基板，位于衬底基板上的多个子像素和多个像素电路；一个像素电路对应设置至少两个相邻的子像素；每个子像素包括一个发光器件；至少两个相邻的子像素中的发光器件的第一电极为同一电极，发光器件的第...
    2026-04-23
  • 显示装置
    显示装置_夏普显示科技株式会社_202380102657.6
    本公开的显示装置(1)所具备的第一发光元件(D1)依次具有：第一电极(E1)、包括第一发光材料(Q1)的第一发光层(L1)、半透光性的第一下侧金属层(12)、第一中间层(14)、半透光性的第一上侧金属层(16)以及第一光取出面(S1)，在第...
    2026-04-23
  • 有机发光器件、包含其的显示装置
    有机发光器件、包含其的显示装置_诺瓦尔德股份有限公司_202480057020.4
    本发明涉及一种有机发光器件，涉及一种包含该有机发光器件的显示装置，并且涉及一种化合物。
    2026-04-23
  • 有机发光元件
    有机发光元件_九州有机光材股份有限公司_202480061112.X
    使用下述通式所表示的化合物的有机发光元件的性能优异。X1和X2中的一者为N且另一者为C‑Y3；Y1～Y3中的1个为氰基，剩余的2个为芳基或杂芳基；L1为单键或连接基团；R1～R5中的2～4个为供体基团；R1～R3中的1个为氰基、二芳基氰基苯...
    2026-04-23
  • 钙钛矿前体液、太阳能电池制造方法和太阳能电池
    钙钛矿前体液、太阳能电池制造方法和太阳能电池_株式会社钟化_202480060126.X
    本发明提供能够在不形成阻碍电子传递的层的情况下同时形成空穴传输层和光电转换层的钙钛矿前体液。本发明的一个方式涉及的钙钛矿前体液包含：溶剂、形成进行光电转换的钙钛矿化合物的钙钛矿前体、形成具有空穴选择透过性的自组装单分子膜的空穴传输层形成化合...
    2026-04-23
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