Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
最新专利技术
  • 本发明公开一种背接触电池和光伏组件, 涉及光伏技术领域, 以使第一介质钝化层对第一掺杂半导体部具有较高的场钝化和化学钝化效果, 同时降低第二介质钝化层对第二掺杂半导体部的场钝化影响。背接触电池包括半导体基底、第一掺杂半导体部、第二掺杂半导体...
  • 本发明公开一种背接触电池和光伏组件, 涉及光伏技术领域, 以使第一介质钝化层对第一掺杂半导体部具有较高的场钝化和化学钝化效果, 同时降低第二介质钝化层对第二掺杂半导体部的场钝化影响。背接触电池包括半导体基底、第一掺杂半导体部、第二掺杂半导体...
  • 本申请适用于太阳能电池技术领域, 提供了一种太阳能电池、电池组件和光伏系统。太阳能电池包括:硅基底, 包括背面、正面和侧部, 侧部连接背面和正面;若干栅线, 包括若干第一极性栅线和若干第二极性栅线, 第一极性栅线设于背面, 第二极性栅线设于...
  • 本发明属于背接触电池技术领域, 具体涉及一种具有特定金属电极结构的背接触电池和电池组件, 包括:在第一半导体区外表面设置的第一宽细栅电极, 在第二半导体区外表面设置的第二窄细栅电极, 第一主栅电极、第二主栅电极, 以及绝缘块;其中, 第一宽...
  • 本申请提供一种太阳能电池、电池串和光伏组件。太阳能电池包括基体, 基体的正面和背面中的至少之一具有沿第一方向排布的第一银耗区和第二银耗区, 第一银耗区和第二银耗区内均设有多条细栅, 多条细栅沿第一方向间隔布置, 且每条细栅沿与第一方向垂直的...
  • 本发明提供一种偏振光电探测器及其制备方法, 上述偏振光电探测器包括由下至上依次设置的衬底、二维材料层和电极层;电极层包括间隔设置的两个条形电极, 且每一条形电极与二维材料层形成肖特基接触;上述偏振光电探测器中的二维材料层作为电子传输层。间隔...
  • 本发明提供了一种太阳能电池和光伏组件, 涉及光伏技术领域。太阳能电池包括:硅基底;半导体层, 半导体层包括:钝化层和掺杂硅层;集电电极, 位于掺杂硅层远离硅基底的一侧;集电电极延伸进入掺杂硅层, 并与掺杂硅层形成欧姆接触, 所述集电电极延伸...
  • 本申请涉及光伏技术领域, 提供一种太阳能电池及其制造方法、叠层电池以及光伏组件, 至少有利于提高太阳能电池的效率和良率。太阳能电池包括:电池本体, 电池本体的第一表面包括第一区和第二区, 第一区包括第一部分和第二部分, 第二区包括第三部分和...
  • 本发明涉及一种CuGaSe2薄膜太阳能电池pn结及其制备方法、CuGaSe2薄膜太阳能电池, 属于太阳能电池技术领域。本发明在吸收层和缓冲层之间设置Al2O3原子层能够钝化带电点缺陷, 减少异质界面的缺陷中心, 改善表面缺陷状态, 减小内耗...
  • 本发明公开了一种背接触电池及光伏组件, 背接触电池包括硅衬底, 所述硅衬底包括相对设置的第一表面和第二表面, 所述第二表面上设有隔离分布的第一掺杂结构和第二掺杂结构, 所述第一掺杂结构包括第一掺杂层, 所述第二掺杂结构包括第二掺杂层, 所述...
  • 本申请公开了一种具有自愈合特性的辐射探测半导体材料及其制备方法和应用, 具体涉及半导体材料的领域。半导体材料的分子式为Cd1‑xZnxTe1‑ySey;其中, 0<x≤1, 0≤y≤0.5;半导体材料的电阻率为109‑1011Ω·cm, 电...
  • 本发明公开了一种TBC电池、其制备方法和光伏组件, 涉及光伏技术领域。本发明通过在P型掺杂区域的P‑PolySi层中掺杂镓(Ga), Si的原子半径约为0.117nm, Ga的原子半径约为0.135nm, Ga在Si中引起的形变量小。Ga具...
  • 本发明提出了一种分子调控的无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法, 该方法利用O, O‑二乙基硫代磷酸钾盐分子修饰无机钙钛矿结晶, 通过高温使分子融化并流动至晶界缺陷处, 形成表面平整的钙钛矿薄膜, 提高钙钛矿吸光层表界面处电荷的运输和交换效率,...
  • 本申请涉及太阳电池领域, 公开异质结太阳电池及其制备方法、光伏组件, 制备方法包括以下步骤:印刷, 在太阳电池半成品的第一表面印刷第一电极浆料;其中, 太阳电池半成品的材料包括硅材料和透明导电材料, 所述太阳电池半成品包括相背设置的第一表面...
  • 本公开实施例涉及光伏领域, 提供一种背接触电池及其制造方法、叠层电池、光伏组件, 制造方法包括:提供具有相对的第一、二表面侧的基底;至少对第二表面侧进行包括至少两个制绒阶段的第一制绒处理以形成第一绒面;第一绒面包括沿第二方向交替排布的第一、...
  • 本发明属于太阳能电池制造技术领域, 提供一种阶梯温度循环推进的硼扩散工艺及其应用。该硼扩散工艺包括:将硅片放入硼扩散设备中, 对硅片依次进行预氧化、预沉积及阶梯温度循环硼扩推进, 该阶梯温度循环硼扩推进工序包括依次进行的初始阶段、中期阶段及...
  • 本发明公开一种异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池。该制备方法可包括:在电池基体主表面上制备本征非晶硅膜层和/或掺杂含硅膜层;在N2O气氛下, 利用微波等离子体设备处理本征非晶硅膜层和/或掺杂含硅膜层, 使本征非晶硅膜层和/或掺杂含...
  • 本发明公开了一种用于电池片浆料的热压设备, 包括依次设置的进片传动单元、热压单元和出片传动单元, 所述热压单元包括上辊组件和下辊组件;所述上辊组件具有第一前辊热压模块和第一后辊模块, 所述上辊组件具有与所述第一前辊热压模块和所述第一后辊模块...
  • 本发明涉及太阳能电池制备技术领域, 具体为一种平面交叉式透明导电薄膜及其制备方法、电池, 制备方法包括以下步骤:步骤1、将N型单晶硅片进行制绒清洗处理形成硅片表面具有金字塔绒面结构的硅衬底层;步骤2、在硅衬底层正面依次沉积本征非晶硅层和N型...
  • 本公开提供了一种太阳能电池及其制造方法。制造方法包括:提供半导体衬底, 半导体衬底包括第一表面和第二表面, 第二表面包括第一区域、第二区域和在第一区域与第二区域之间的第三区域;在第二区域上形成隔离层;去除第一区域和第三区域对应的第一厚度的半...
技术分类