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电子电路装置的制造及其应用技术
  • 一种带密封结构的石英晶体谐振器
    一种带密封结构的石英晶体谐振器_铜陵嘉禾电子科技股份有限公司_202520012238.X
    本实用新型属于谐振器技术领域，具体涉及一种带密封结构的石英晶体谐振器，包括壳体、密封底板、橡胶密封环、横板、转轴、挤压档杆及调节螺栓，壳体为中空结构，其底部设置有对接板，对接板内侧设置有台阶面，密封底板通过橡胶密封环与台阶面贴合，并通过横板...
    2025-12-28
  • 一种窄带滤波器
    一种窄带滤波器_成都威频科技有限公司_202520031984.3
    一种窄带滤波器，包括第一运放U1A，第二运放U1B，第三运放U2A，第四运放U2B等。第一运放U1A、第二运放U1B、电阻R8、电阻R1、电容C1、电容C17、电阻R2、电阻R3、电容C2、电容C3构成二阶低通单元；第三运放U2A、第四运放...
    2025-12-28
  • 谐振器及其形成方法、电子设备
    谐振器及其形成方法、电子设备_诺思(天津)微系统有限责任公司_202110346075.5
    本发明公开了一种谐振器及其形成方法，以及一种电子设备。该谐振器包括：衬底、声学镜、底电极、压电层、顶电极、图形化的负载层，也可包括钝化层，其中，图形化的负载层中，定义负载材料覆盖面积占谐振器有效总面积的比例为图形占空比，图形占空比记为r且0...
    2025-12-28
  • 低频千安级脉冲电流发生器
    低频千安级脉冲电流发生器_上海空间电源研究所_202511187950.4
    本发明公开了一种低频千安级脉冲电流发生器，其特征在于包括：第一工作电源、第二工作电源、脉冲发生器和N个隔离驱动器放大单元；其中，所述第一工作电源分别与所述脉冲发生器的一端和每个隔离驱动器放大单元的第一功率输入端相连接；所述脉冲发生器的另一端...
    2025-12-28
  • 功率放大电路
    功率放大电路_株式会社村田制作所_202110803742.8
    本公开的功率放大电路具备：放大电路(12)，是通过根据信号的振幅而变动的电源电压进行动作的差动放大电路；偏置电路(32)，输出提供给放大电路(12)的偏置；和分散电路(41及42)，与从放大电路(12)输出的一对差动信号分别对应地设置，对放...
    2025-12-28
  • 一种用于传感探测领域的可编程增益仪表放大器
    一种用于传感探测领域的可编程增益仪表放大器_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202511293667.X
    本申请实施例提供一种用于传感探测领域的可编程增益仪表放大器。应用于集成电路技术领域，包括：低通滤波模块、斩波放大模块、第一可编程增益网络、第二可编程增益网络和缓冲放大模块；低通滤波模块用于接收输入的差分信号，并对差分信号进行滤波，输出滤波信...
    2025-12-28
  • 具有输入级下拉电容器的电压电平向下移位电路结构
    具有输入级下拉电容器的电压电平向下移位电路结构_格芯(美国)集成电路科技有限公司_202510497273.X
    本公开涉及一种具有输入级下拉电容器的电压电平向下移位电路结构。电压电平移位器包括具有串联连接的第一和第二N型场效应晶体管(NFET)的输入级和具有连接到第一和第二NFET之间的中间节点的反相器的输出级。第一和第二NFET的栅极分别连接到反相...
    2025-12-28
  • 相位检测装置、方法和相位校准系统
    相位检测装置、方法和相位校准系统_重庆赛力斯凤凰智创科技有限公司_202511392381.7
    本申请涉及一种相位检测装置、方法和相位校准系统。该装置包括射频输入鉴相模块和检测模块。射频输入鉴相模块的第一信号接收端用于接收待测通信设备输出的第一射频信号，射频输入鉴相模块的第二信号接收端用于接收待测通信设备输出的第二射频信号；射频输入鉴...
    2025-12-28
  • 一种SiC MOSFET短路保护电路
    一种SiC MOSFET短路保护电路_重庆青山工业有限责任公司_202511350664.5
    本发明提供一种SiC MOSFET短路保护电路，包括双脉冲电路和去饱和短路保护电路，由驱动芯片通过去饱和短路保护电路检测双脉冲电路；通过判断器件漏源电压是否超过设定的阈值电压而判断器件是否发生故障，通过设计消隐时间有效避免开关过程中短路保护...
    2025-12-28
  • 射频功率放大器及射频芯片
    射频功率放大器及射频芯片_深圳飞骧科技股份有限公司_202520051897.4
    本实用新型提供了一种射频功率放大器及射频芯片，本实用新型通过将输入匹配电路的输入端用于接收射频信号，输入匹配电路的输出端与功率放大器的输入端连接，滤波电路的第一端用于连接外部电源电压，功率放大器的输出端分别与滤波电路的第二端、陷波电路的第一...
    2025-12-28
  • 一种W波段自适应增益CMOS低噪声放大器
    一种W波段自适应增益CMOS低噪声放大器_成都信息工程大学_202511166716.3
    本发明公开了一种W波段自适应增益CMOS低噪声放大器，包括低噪声放大级、电流舵级、输出级、自适应偏置电路；低噪声放大级采用带源极退化电感LS的差分共源结构，实现噪声匹配和线性度优化；电流舵级为差分共源共栅结构，其电流切换机制由自适应偏置电路...
    2025-12-28
  • 按键控制电路及装置
    按键控制电路及装置_通力科技股份有限公司_202410810394.0
    本申请公开了一种按键控制电路及装置，涉及按键控制技术领域，公开了按键控制电路，包括：按键电路，按键电路用于输入按键信息；上电控制电路，上电控制电路与供电端口和按键电路的第一端连接，上电控制电路接入上电控制信号，并基于上电控制信号和输入按键信...
    2025-12-28
  • 一种高线性度的可变增益放大器
    一种高线性度的可变增益放大器_合肥师范学院_202511365196.9
    本发明公开了一种高线性度的可变增益放大器，涉及电子技术领域，包括滑动变阻器式增益组件、热变形自适应补偿组件、四个支撑脚，滑动变阻器式增益组件，利用连续物理滑动调节电阻几何尺寸，使触点沿线性电阻基板的无级移动，实现增益的连续无阶跃变化，能够从...
    2025-12-28
  • 一种应用于高压N型负载开关的理想二极管电路及方法
    一种应用于高压N型负载开关的理想二极管电路及方法_上海帝迪集成电路设计有限公司_202510733464.1
    本发明公开了一种应用于高压N型负载开关的理想二极管电路及方法，包含功率管NPW1、功率管NPW2、高压PMOS管PDM1～PDM4、PMOS管PM1～PM5、NMOS管NM3～NM4、高压NMOS管NDM3～NDM5、电阻RB2和电阻RB3...
    2025-12-28
  • 低噪声相位锁定环路(PLL)电路
    低噪声相位锁定环路(PLL)电路_意法半导体国际有限公司_202211456630.0
    本公开涉及低噪声相位锁定环路(PLL)电路。锁相环(PLL)电路包括相位频率检测器(PFD)电路，其确定参考时钟信号和反馈时钟信号之间的差，以响应于该差生成上/下控制信号。电荷泵和环路滤波器电路装置响应于上/下控制信号生成积分信号分量控制信...
    2025-12-28
  • 一种增加OOK调制解调的数字隔离器的共模瞬变抗扰度的逻辑电路
    一种增加OOK调制解调的数字隔离器的共模瞬变抗扰度的逻辑电路_厦门芯一代集成电路有限公司_202423302409.7
    本实用新型公开了一种增加OOK调制解调的数字隔离器的共模瞬变抗扰度的逻辑电路，逻辑电路包括发射端TX和接收端RX，在接收端RX内包括：由多个晶体管组成的交叉耦合的共栅极预驱放大器，共栅极预驱放大器把发射端TX发送的信号进行放大；包络比较器，...
    2025-12-28
  • 一种多路同步快上升沿脉冲产生装置
    一种多路同步快上升沿脉冲产生装置_电子科技大学_202511249685.8
    本发明属于仪器仪表应用技术领域，提供一种多路同步快上升沿脉冲产生装置，包括：输入触发脉冲调理电路、FPGA模块、程控脉冲延时电路、基于雪崩三极管的多路快脉冲信号发生电路、多路时钟扇出缓冲器、时间数字转换电路；通过FPGA结合程控脉冲信号延时...
    2025-12-28
  • 一种氮化镓驱动电路正反馈型电平移位电路
    一种氮化镓驱动电路正反馈型电平移位电路_苏州炬仁半导体有限公司_202511348233.5
    本申请提供了一种氮化镓驱动电路正反馈型电平移位电路，通过第一NMOS管和第二NMOS管进行电平转换，以电阻作为负载搭配电平转换模块中的正反馈结构，屏蔽部分比例的电阻负载，可实现低负压工作条件的同时大幅增加了抗共模瞬态抗扰度，极大提升GaN半...
    2025-12-28
  • 具有噪声消除的分数N锁相环PLL
    具有噪声消除的分数N锁相环PLL_意法半导体国际有限公司_202111458224.3
    本公开的实施例涉及具有噪声消除的分数N锁相环PLL。一种PLL电路，包括：生成反馈信号的分数N分频器；第一相位频率检测器，用于将反馈信号与参考信号进行比较，生成控制电荷泵的第一上/下控制信号，从而生成电荷泵输出电流。一种噪声消除电路，包括同...
    2025-12-28
  • 包括用于背侧互连的贯穿基板过孔(TSV)的设备及相关制造方法
    包括用于背侧互连的贯穿基板过孔(TSV)的设备及相关制造方法_高通股份有限公司_202480035211.0
    一种封装件包括设备，该设备包括：电极，该电极设置在第一基板的第一前侧上的压电层上，和竖直互连通路(过孔)，该竖直互连通路(过孔)延伸通过基板以将电极耦合至第一基板的第二背侧。过孔可以是贯穿基板过孔(TSV)。采用可形成过孔的第一基板(例如，...
    2025-12-28
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