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电子电路装置的制造及其应用技术
  • 本发明公开了一种便于检修拆装的计算机网络分接装置,属于网络分接器技术领域,包括分接器本体,所述分接器本体包括分接口和分接盒,所述分接盒的顶部滑动插接有滑盖,所述滑盖的顶部安装有能上下调节移动的密封压板框,所述密封压板框的右侧一体化固定连接有...
  • 本发明是一种双层碳毡协同加热的闪速加热反应夹具,属于纳米材料制备技术领域,特别涉及一种双层碳毡协同加热的反应夹具,包括压紧螺丝、位于反应材料上方的碳毡、位于反应材料下方的碳毡、铜电极、氧化铝陶瓷底座。压紧螺丝用于固定氧化铝陶瓷底座表面的铜电...
  • 用于管状线性电机的定子芯结构(103)包括在定子芯结构的纵向方向(z)上堆叠的环形定子元件(107、108)。每一个环形定子元件由包括铁磁材料并彼此附接的两个或更多个扇区构成,其中扇区之间的接合部表面与几何平面重合,每一个几何平面与定子芯结...
  • 本发明公开了一种5G非地面网络高频段相位噪声估计与补偿方法,属于无线通信技术领域,该方法包括:在接收端,首先利用相位追踪参考信号(PTRS)进行初始公共相位误差(CPE)估计,并利用循环前缀(CP)中未受多径效应影响的部分作为相位噪声估计的...
  • 本发明公开了一种电气工程外露线加强保护装置,涉及电气工程技术领域,包括第一支撑框和线缆,第一支撑框的上部安装有第二支撑框,第二支撑框的侧面对称安装有倾斜块,倾斜块的上部活动连接有半圆块,第一支撑框的内侧滑动设置有滑动块,滑动块的两侧均安装有...
  • 本发明提供一种用以驱动同步整流晶体管的驱动电路及其驱动方法,所述驱动电路包括第一比较器、第二比较器、第三比较器以及栅极驱动电路。当同步整流晶体管的漏极端的电压小于第一临限值时,第一比较器使能第一比较信号。当漏极端的电压不小于第二临限值时,第...
  • 本申请实施例公开了一种数据传输方法、通信装置以及存储介质,用于实现终端装置与用户面网元之间端到端的用户面安全保护,以提高数据传输效率。本申请实施例提供一种数据传输方法,包括:终端装置根据该终端装置和用户面网元之间的第一会话的标识得到第一密钥...
  • 本发明公开包括浸渍有低密度树脂的非织造无机织物的介电材料。所述介电材料可具有在约5微米至约125微米范围内的厚度以用于印刷电路板。
  • 本申请涉及驱动电源技术领域,公开了一种适用于高压器件驱动的层叠式驱动电源,该层叠式驱动电源包括初级侧、初级侧补偿网络、第一变压器、变压器间补偿网络、第二变压器、次级侧补偿网络和次级侧;其中,初级侧、初级侧补偿网络、第一变压器、变压器间补偿网...
  • 本发明的实施例涉及包络检测。在一个实施例中,包络检测设备包括:输入端子,被配置为接收调辐射频信号;第一电阻元件和第一MOS晶体管,并联连接在输入端子和被配置为接收参考电位的第一节点之间;第一电容元件,连接在第一MOS晶体管的栅极和第一节点之...
  • 本发明公开了一种民用无人机广播信道解析方法,属于无线通信领域。该方法包括如下步骤:控守无人机广播信道频点;对每个信道进行窄带信号检测;基于ZC序列对检测的信号进行识别;若识别为无人机广播信道则进行定时同步;将处理后的信号进行频率同步;将同步...
  • 本发明涉及稳压电路技术领域,具体公开了一种晶闸管门极触发电路,包括交流输入端Uin1和交流输入端Uin2、采样输入端Uin3、采样输入端Uin4、交流输出端Uout1、交流输出端Uout2、运算放大器N1、N2、整流滤波稳压电路、限流脉冲电...
  • 本发明公开了一种圆环形拼接磁钢粘接装置及制作方法,装置包括定位支撑组件、轴向约束组件和压力施加组件。定位支撑组件含底板及定位芯,用于支撑磁钢;轴向约束组件为套于定位芯外侧的压环;压力施加组件为沿定位芯轴向间隔布设的弹性压力件,套设于磁钢外圈...
  • 本发明公开有基于有效语音数据的对讲混沌加密方法及系统,涉及对讲加密技术领域,包括利用第一层加密模型对语音数据进行加密,生成第一加密后信息;然后,利用第二层加密模型对第一加密后信息进行拆分重组,得到第二加密后信息;对第二加密后信息进行随机噪音...
  • 本公开涉及磁屏蔽空间技术领域,公开了一种用于磁屏蔽空间的宽范围脉冲形成电路及装置,正、负脉冲形成电路中充电单元用于通过连续振荡模式对堆叠升压单元的储能元件升压充电;堆叠升压单元由多级Marx电路模块构成,用于通过开关时序控制实现储能元件的并...
  • 本实用新型公开了一种预撑磁模装置,工作时,将多片磁瓦分别对应装载到各个料座上,形成预撑磁模,之后电机外壳内腔对准预撑磁模后做下行运动使预撑磁模进入电机外壳的内腔,再通过执行元件执行端的上升运动使磁瓦靠近并固定在电机外壳内壁上即可完成磁瓦的安...
  • 一种半导体结构的形成方法,包括:提供基底,基底上形成有沟道层结构;对沟道层结构进行氧化处理,形成位于沟道层结构表面的界面层;形成覆盖界面层的栅介质层;形成覆盖栅介质层的氧吸附层,适于吸附界面层中的氧离子;对氧吸附层、栅介质层和界面层进行第一...
  • 本实用新型提供一种高强度耐热防腐电路板,包括电路板本体,所述电路板本体内部包括填充层,所述填充层的上表面从下至上依次设置有减应力层、复合结构加强层和第一防腐层,所述填充层的下表面从上至下依次设置有石墨烯复合环氧树脂层和第二防腐层,所述复合结...
  • 本发明提供一种平坦化层、平坦化的方法及半导体芯片,其可有效地提高含有用于喷头的半导体芯片的晶片的可加工性。平坦化层的厚度介于约2微米到约3微米的范围内,且含有约8.0重量%到约8.5重量%的光酸产生剂;约2重量%到约3.6重量%的光引发剂;...
  • 本发明提供了一种软硬磁复合与晶界扩散增强各向异性NdFeB厚膜磁性能的方法,属于永磁材料制备技术领域。所述方法通过在基片上交替沉积多个功能单元,每个单元依次包括扩散层、硬磁层和软磁组合层,其中软磁组合层为隔离层/软磁层/隔离层结构;随后对多...
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