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电子电路装置的制造及其应用技术
  • 本发明公开了一种智能马桶的发泡喷嘴,包括发泡管,所述发泡管包括中间段和内径大于中间段内径的尾段,所述中间段与尾段之间设有扰流件,所述扰流件包括内管和周向固定于所述内管外壁的支撑筋条,所述支撑筋条连接于所述发泡管的内壁,所述内管的外径小于所述...
  • 本发明公开一种基于无人机的风电机组叶片防雷智能检测系统及方法,该系统包括无人机平台、力位混合控制组件、电气测量单元和地面数据处理单元。无人机搭载检测机构飞行至叶片接闪器位置,通过力传感反馈实现稳定接触,并由恒流源施加测试电流,测量导通电阻并...
  • 本发明公开了一种微风环境的风力发电机组,涉及风电技术领域,通过设置塔架、外界风吸入机构、发电机组以及风力加速机构,外界风吸入机构上形成有与气压调控空间连通的气道,发电机组安装于外界风吸入机构,发电机组的出气端与气道连通,风力加速机构安装于发...
  • 本发明涉及风机控制技术领域,具体而言,涉及一种结合环境噪声约束的风力发电机组运行参数协同优化方法及系统、设备、介质,采用本发明所提供的方法,主要包括了基于每组运行参数所对应的噪声参数,将运行参数内数据的类型作为噪声变化的影响因子进行评价,根...
  • 本实用新型公开了用于窑炉的玻璃液气泡消除装置,包括存储罐、储液罐和消泡机构,所述存储罐的外侧安装有泵机,所述泵机的抽水端位于存储罐的内部,出水端固定连接有管道一,所述储液罐的一侧连通有管道二,所述管道二与管道一连通。本实用新型将配置好的消泡...
  • 本实用新型公开一种无提升装置的圆织机,属于编织机械的领域,解决了速度不一导致刺布和编织袋磨损、停机调整或更换而误工、调整不当而出现单边缺陷和过高的主机高度导致操作不便、增加厂房投资的问题,解决该问题的技术方案主要包括主机和牵收装置,主机设有...
  • 本实用新型公开了梯田田坎水土保持导流槽,包括一设于梯田上表面凹坑内的引水导流槽,所述引水导流槽的两端分别设有连接法兰,所述引水导流槽的内壁上沿着长度方向均布有转轴,且转轴转动连接于引水导流槽上;所述转轴上处于引水导流槽内的端部连接有缓冲机构...
  • 一种智能马桶、排污控制方法及电子装置,本公开实施例智能马桶包括翻转排污单元,翻转排污单元具备转动连接在排污通道上且操作性地转动的排污管,排污管具有排污口朝上以在马桶本体上形成水封的第一姿势和排污口朝下以将污物排除的第二姿势,在无法使用智能马...
  • 本实用新型提供一种光学元件驱动机构。光学元件驱动机构包括一固定部、一第一活动部、一驱动组件。第一活动部用于连接具有一光轴的一光学元件,且第一活动部可相对固定部运动。驱动组件用于驱动第一活动部运动。沿着光轴观察时,光学元件驱动机构为多边形,包...
  • 本发明公开了一种玻璃纤维加工方法,包括利用自蔓延粉末反应产生的热量将玻璃纤维原料进行预热,得到玻璃液;在加热下将所述玻璃液制备成玻璃纤维。本发明在玻璃纤维原料熔融过程中,在预热阶段创造性的使用了自蔓延反应的放热加热方法,不使用电力,节约资源...
  • 本发明公开了不含氟化盐且不含硝酸盐的钢板搪瓷低温镍底釉及其制备方法和应用,属于搪瓷技术领域。该底釉由石英、零水硼砂、纯碱、碳酸钾、碳酸钙、钾长石、钠长石、回收三元电池正极材料和氧化锑按特定质量份配比制成。其制备包括原料混合、在纯氧环境下于1...
  • 本发明公开不含氟化盐且不含硝酸盐的钢板搪瓷高温钴底釉及其制备方法和应用,属于搪瓷技术领域。该底釉由石英、零水硼砂、纯碱、碳酸钾、碳酸钙、钾长石、氧化锑、回收三元电池正极材料和氧化铈按特定质量份配比制成。其制备包括原料混合、在纯氧环境下于12...
  • 本发明公开不含氟化盐且不含硝酸盐的不锈钢搪瓷低温钴镍底釉及其制备方法和应用,属于搪瓷技术领域。该底釉由石英、零水硼砂、钛白粉、碳酸镁、磷酸二氢钾、纯碱、碳酸钾、钾长石、碳酸钙、碳酸钡、氧化铁和回收三元电池正极材料按特定质量配比组成。其制备包...
  • 本发明公开一种大有效面积超低损耗弱耦合四芯光纤及制备方法,该光纤包括外包层及置于其内的四个芯棒,相对设置的芯棒采用同种波导结构,相邻设置的芯棒采用不同波导结构。本发明通过合理的波导结构设置及排布,实现大有效面积和低@1550nm邻芯串扰,基...
  • 本发明公开了不含氟化盐且不含硝酸盐的钢板搪瓷高温哑光釉及其制备方法和应用,属于搪瓷技术领域。该哑光釉由石英、五水硼砂、纯碱、钛白粉、氧化镁、磷酸二氢钾、碳酸钙、氧化锌、碳酸镁、碳酸锂、氧化铝、硅酸锆按特定质量份配比制成。其制备包括原料混合、...
  • 提供一种电特性良好的半导体装置。半导体装置包括圆柱形状的半导体层、与半导体层的底面接触的第一导电层、与半导体层的顶面接触的第二导电层、覆盖半导体层的侧面的至少一部分的第一绝缘层以及隔着第一绝缘层与半导体层的侧面相对的第三导电层。第一绝缘层包...
  • 根据本公开的实施例的半导体装置包括:设置于半导体基板并且具有栅电极、源极和漏极的晶体管;与该晶体管电连接的端子;以及设置于半导体基板并且与该端子电连接的二极管。该二极管的阳极与阴极之间的间隔比该晶体管的栅电极与源极或漏极之间的间隔短。
  • 本实用新型公开了一种穿堤排水涵型式,包括上游排水涵、下游排水涵、检查井,所述检查井位于所述上游排水涵和下游排水涵之间,所述上游排水涵的出口与检查井相连通,所述下游排水涵的进口与所述检查井相连通,所述上游排水涵出口的高度高于所述下游排水涵进口...
  • 本发明公开不含氟化盐且不含硝酸盐的钢板搪瓷低温耐酸底釉及其制备方法和应用,属于搪瓷技术领域。该底釉由石英、钛白粉、零水硼砂、纯碱、碳酸钾、碳酸钙、钾长石、碳酸锂、氧化铜、氧化铁和回收三元电池正极材料按特定质量配比组成。其制备包括原料混合、纯...
  • 本发明公开不含氟化盐且不含硝酸盐的铸铁搪瓷中温底釉及其制备方法和应用,属于搪瓷技术领域。该底釉由石英、零水硼砂、纯碱、碳酸钾、碳酸钙、碳酸钡、钾长石、碳酸镁、氧化铜、氧化锰、氧化铝、氧化铁和回收三元电池正极材料按特定质量份配比制成。其制备包...
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