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电子电路装置的制造及其应用技术
  • MEMS谐振器及其复合制备方法
    MEMS谐振器及其复合制备方法_麦斯塔微电子(深圳)有限公司_202511001645.1
    本申请涉及谐振器技术领域，公开了一种MEMS谐振器及其复合制备方法，MEMS谐振器复合制备方法包括：形成一高掺杂的第一单晶硅层，以作为支撑基底；在第一单晶硅层上形成压电材料层；在压电材料层上以第一设定速率形成种子层，以及在种子层上以第二设定...
    2025-08-27
  • 一种薄膜体声波谐振器及通信设备
    一种薄膜体声波谐振器及通信设备_苏州汉天下电子有限公司_202422336998.4
    本实用新型公开了一种薄膜体声波谐振器和通信设备，薄膜体声波谐振器包括：一载体，所述载体包括第一部分和第二部分；空腔，所述空腔在载体的第二部分中形成；下电极，所述下电极包括第一部分和第二部分，下电极的第一部分从下电极第二部分的下表面向载体的第...
    2025-08-27
  • MEMS谐振器及其制备方法
    MEMS谐振器及其制备方法_麦斯塔微电子(深圳)有限公司_202511001643.2
    本申请涉及谐振器技术领域，公开了一种MEMS谐振器及其制备方法，MEMS谐振器制备方法包括：形成一高掺杂的单晶硅掺杂层，以作为支撑基底；在所述单晶硅掺杂层上形成压电材料层；通过磁控溅射工艺，在具有第一目标压力的设备腔室中，以设定沉积速率在所...
    2025-08-27
  • 压电器件用的基座以及压电器件
    压电器件用的基座以及压电器件_日本电波工业株式会社_202510138836.6
    本发明提供一种压电器件用的基座及压电器件。本发明提供一种压电器件用的具有新颖构造的基座，其具有：基板，包含玻璃或水晶；压电元件用的搭载图案，设置在所述基板的第一面；框状的壁部，设置在所述第一面的沿着所述基板的边缘的部分，包含与所述基板相同的...
    2025-08-27
  • 一种薄膜体声波谐振器的制备方法
    一种薄膜体声波谐振器的制备方法_武汉敏声新技术有限公司_202510592294.X
    本申请公开一种薄膜体声波谐振器的制备方法，涉及谐振器技术领域，该方法包括：在衬底上刻蚀形成凹槽，并在凹槽内沉积牺牲层；在沉积有牺牲层的衬底上依次形成底电极和压电层，并在压电层上形成第一斜坡；在压电层上形成顶电极，其中，底电极、压电层和顶电极...
    2025-08-27
  • 电子RF滤波器
    电子RF滤波器_RF360欧洲有限责任公司_201980013861.4
    一种电子滤波器，包括高通段(110)和低通段(120)。该高通段包括串联连接的声学谐振器(111)和并联连接的电感器(114)的至少一个滤波器级。该低通段包括至少一个滤波器级，该至少一个滤波器级包括串联连接的电感器(121)和并联连接的声学...
    2025-08-27
  • 一种倍频带低相噪的压控振荡器及信号发生装置
    一种倍频带低相噪的压控振荡器及信号发生装置_四川泊微科技有限公司_202210539819.X
    本发明公开了一种倍频带低相噪的压控振荡器及信号发生装置，属于电路设计技术领域，耦合谐振腔网络，包括第一耦合谐振器、第二耦合谐振器，第一耦合谐振器、第二耦合谐振器在调谐电压控制下产生不同谐振频率信号；晶体管，晶体管的发射极分别连接至第一耦合谐...
    2025-08-27
  • 信号处理方法、装置和音频放大电路
    信号处理方法、装置和音频放大电路_上海艾为电子技术股份有限公司_202510611966.7
    本申请涉及音频处理技术领域，公开了一种信号处理方法、装置和音频放大电路。本申请的信号处理方法包括：获取参考时钟信号和第一扩频时钟信号；判断第一扩频时钟信号是否满足预设条件；在判断出第一扩频时钟信号满足预设条件的情况下，将第一反馈分频比调整为...
    2025-08-27
  • 基于EP资源分配的有限域多址系统码本构造方法、最小分支距离译码方法及多址系统
    基于EP资源分配的有限域多址系统码本构造方法、最小分支距离译码方法及多址系统_哈尔滨工业大学_202510596947.1
    基于EP资源分配的有限域多址系统码本构造方法、最小分支距离译码方法及多址系统，属于6G通信技术领域。了解决块衰落信道下可靠性较低的问题，以及目前缺少针对上行链路中有限域下叠加的用户信息的译码方法的问题。本发明基于UR‑EPA构造码本，通过为...
    2025-08-27
  • 一种基于实时小数鉴相逐次逼近相位量化的全数字锁相环
    一种基于实时小数鉴相逐次逼近相位量化的全数字锁相环_西安交通大学_202510597900.7
    本发明公开了一种基于实时小数鉴相逐次逼近相位量化的全数字锁相环，包括参考时钟输入端、共模电压输入端、分频控制字输入端、射频信号输出端、逐次逼近型多相位空间均值相位量化器、数字低通滤波器、带失配整形的过采样数控振荡器、输出缓冲器、鉴相与分频控...
    2025-08-27
  • 一种射频功率放大器
    一种射频功率放大器_苏州能讯高能半导体有限公司_201810843910.4
    本发明提供了一种射频功率放大器，涉及通信技术领域，该射频功率放大器包括双路封装功放管、输入匹配电路、输入偏置电路、输出匹配电路以及输出偏置电路，输入匹配电路与双路封装功放管的输入端连接，输出匹配电路与双路封装功放管的输出端连接，输入偏置电路...
    2025-08-27
  • 一种高压运算放大器
    一种高压运算放大器_广东工业大学_202510597676.1
    本申请适用于集成电路技术领域，提供了一种高压运算放大器，包括：偏置电路、第一电流镜电路、第一摆率提升电路、第一增益电路、第二增益电路、第二电流镜电路、输入级电路、输出级电路、斩波开关电路、第一高压保护电路、第三电流镜电路、第四电流镜电路、第...
    2025-08-27
  • 弹性波装置
    弹性波装置_株式会社村田制作所_202380092355.5
    本发明提供一种能够抑制弹性波谐振器彼此的声耦合并且能够抑制电特性的劣化的弹性波装置。本发明的弹性波装置（10）具备：压电性基板（2），具有压电体层（6）；以及多个谐振器电极，设置在压电性基板（2）上，分别具有多个电极指。多个谐振器电极分别包...
    2025-08-27
  • 一种自适应温度和电源电压的环形振荡器
    一种自适应温度和电源电压的环形振荡器_广州安凯微电子股份有限公司_202210097186.1
    本发明公开了一种自适应温度和电源电压的环形振荡器，包括：电源电压－电流转换器、CTAT电流发生器和电流控制振荡器；电源电压－电流转换器，用于对电路中产生的负温度特性和正温度特性进行抵消，输出与电源电压成正比的第一电流；CTAT电流发生器，用...
    2025-08-27
  • 半导体元件结构及其制造方法
    半导体元件结构及其制造方法_联华电子股份有限公司_202011545152.1
    本发明公开一种半导体元件结构及其制造方法，其中该半导体元件结构包括电路基板。第一金属块层设置在所述电路基板上。缓冲层设置在所述第一金属会层上。吸收层设置在所述缓冲层上。第一电极层设置在所述吸收层上。多个压电材料单元设置在所述第一电极层。保护...
    2025-08-27
  • 一种高速锁存比较器及其偏置电路
    一种高速锁存比较器及其偏置电路_电子科技大学_202310073517.2
    本发明属于比较器技术领域，具体涉及一种高速锁存比较器及其偏置电路。本发明采用前置预放大器加锁存器的结构，并且在锁存器中引入了耦合电容从而增加晶体管的跨导，提高锁存器的速度。前置放大器的引入将输入信号和输出信号隔离，减小回踢噪声，同时可以提供...
    2025-08-27
  • 一种显微成像装置及其相位重建方法
    一种显微成像装置及其相位重建方法_西安工业大学_202411454739.X
    本发明公开了一种显微成像装置及其相位重建方法，涉及数字全息显微测量领域。用于解决现有显微成像由于器多次移动产生的定位误差，且操作复杂以及被测样品表面形貌重构精度低的问题。该装置包括：第一分光棱镜，其位于光源模块的出光侧，用于将激光光束分为参...
    2025-08-27
  • 滤波器及射频前端模组
    滤波器及射频前端模组_锐石创芯(重庆)微电子有限公司_202422139116.5
    本申请提供一种滤波器及射频前端模组，该滤波器包括：多个谐振模块，各谐振模块包括至少一个串联臂谐振器组和至少一个并联臂谐振器组。多个谐振模块包括第一谐振模块，第一谐振模块与滤波器的输出端相连接，第一谐振模块处于滤波器的信号流通路径的末端；第一...
    2025-08-27
  • 声表面波器件及射频前端模组
    声表面波器件及射频前端模组_锐石创芯(重庆)微电子有限公司_202422134104.3
    本申请公开了一种声表面波器件及射频前端模组。声表面波器件包括压电基底和叉指换能器，叉指换能器包括相对设置的第一汇流条以及第二汇流条和电极指；在电极指的延伸方向上，第一汇流条以及第二汇流条之间具有交叠区域，交叠区域与第一汇流条之间包括第一区域...
    2025-08-27
  • 梳状金属膜的AT切温补晶振
    梳状金属膜的AT切温补晶振_杭州鸿星电子有限公司_202111303988.5
    梳状金属膜的温补晶振，包括长方体的石英晶片，石英晶片的上下表面呈矩形，并在上表面有两个矩形凸台；在石英晶片的上下表面镀有中心电极，中心电极的一角有延伸层；梳状金属膜的两端分别放置在石英晶片的上表面的两个矩形凸台上，梳状金属膜与中心电极脱离；...
    2025-08-27
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