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电子电路装置的制造及其应用技术
  • 一种双模供电系统
    一种双模供电系统_淮阴工学院_202511802486.5
    本发明提供一种双模供电系统，包括：主电池、辅助电源；电磁感应装置；光伏发电装置；DC/DC转换器；数据采集装置；智能决策优化系统，包括：模式仲裁层，用于根据所述状态向量从预定义的多种供电模式中选择当前最优运行模式；能效优化层，用于采用自适应...
    2026-01-31
  • 一种基于空调的自动调节式温控器
    一种基于空调的自动调节式温控器_江苏常胜电器(淮安)有限公司_202511325194.7
    本发明公开了一种基于空调的自动调节式温控器，涉及温控器技术领域，其技术要点包括温控器本体，温控器本体外侧设置有温度检测头，温控器本体在温度检测头外设置有保护罩，温度监测头罩设在保护罩内，保护罩边缘通过阻尼轴承与温控器本体转动连接；保护罩包括...
    2026-01-31
  • 一种用于IGBT模块的陶瓷线路板生产方法
    一种用于IGBT模块的陶瓷线路板生产方法_贵州泉芯新材料有限公司_202511421965.2
    本发明公开一种用于IGBT模块的陶瓷线路板生产方法，属于电子元件制造技术领域。该方法包括：选用纯度≥99.6%氧化铝粉末添加0.5%‑2%助熔剂，经冷等静压成型、1600‑1900℃氮气烧结后加工；无氧铜箔计算膨胀率后切割，经超声清洗、酸洗...
    2026-01-31
  • 一种抗菌止痒的绒布面料及制备工艺
    一种抗菌止痒的绒布面料及制备工艺_常熟市燕来盛织造有限公司_202511740498.X
    本申请涉及纺织材料领域，具体公开了一种抗菌止痒的绒布面料及制备工艺。一种抗菌止痒的绒布面料由抗菌涤纶加弹丝和壳聚糖‑棉混纺丝交织而成，其中所述抗菌涤纶加弹丝和所述壳聚糖‑棉混纺丝的质量比为(8.0~9.0) : (1.0~2.0)；其制备方...
    2026-01-31
  • 一种稳定可印刷的甲脒基钙钛矿墨水及其光伏模组制备方法
    一种稳定可印刷的甲脒基钙钛矿墨水及其光伏模组制备方法_武汉理工大学_202410343849.2
    本发明公开了一种稳定可印刷的甲脒基钙钛矿墨水及其光伏模组制备方法，该甲脒基钙钛矿墨水，包括甲脒基钙钛矿、低挥发性配位溶剂、高挥发性非配位溶剂和稳定剂；所述稳定剂为在所述低挥发性配位溶剂和所述高挥发性非配位溶剂中均具有良好溶解性的有机铯盐。本...
    2026-01-31
  • 高接通分断和灭弧能力的直流开关电器触头系统
    高接通分断和灭弧能力的直流开关电器触头系统_天水师范学院_202311299136.2
    本发明公开了一种高接通分断和灭弧能力的直流开关电器触头系统，包括基座、装配在基座上的静触头组、动触头、主轴和灭弧室，基座的中部开设有主轴安装孔，基座的前后两侧安装有静触头，静触头的下方分别安装有两块永磁铁块；动触头安装在主轴的框架中，主轴安...
    2026-01-31
  • 一种Micro LED微显示芯片及其制造方法
    一种Micro LED微显示芯片及其制造方法_镭昱光电科技(苏州)有限公司_202511349859.8
    本发明提供一种Micro LED微显示芯片及其制造方法，包括依次设置的驱动面板、多个LED单元、透射反射层和波长转换层，透射反射层靠近所述栅栏结构的侧面包括与所述多个栅格孔分别对应的多个透射反射区，所述透射反射层对于从所述透射反射区边缘上任...
    2026-01-31
  • 一种抗跌落小体积继电器
    一种抗跌落小体积继电器_厦门赛特勒继电器有限公司_202520062870.5
    本实用新型公开了一种抗跌落小体积继电器，包括骨架、设置在该骨架内的线圈、设置在骨架侧边且竖直设置的铁架、铆接在铁架上的弹片、铆接在弹片上并位于弹片和所述骨架之间的衔铁、设置在弹片端部的动触点、设置在骨架上且位于动触点正下方的静触点，抗跌落小...
    2026-01-31
  • 一种具有灭弧功能的大开距继电器
    一种具有灭弧功能的大开距继电器_浙江格蕾特电器股份有限公司_202520005914.0
    一种具有灭弧功能的大开距继电器包括壳体、电磁组件、转动衔铁组件、推拉杆、静触头组件，动触头组件，以及灭弧单元。所述静触头组件包括静触头端子，静触头，以及静触头外接线端，所述动触头组件包括动触头端子，动簧片，第一安装孔，第二安装孔，第一限位凸...
    2026-01-31
  • 隔离操作联锁结构及隔离断路器
    隔离操作联锁结构及隔离断路器_广东维能电气有限公司_202423319816.9
    本实用新型提供了一种隔离操作联锁结构及隔离断路器，所述隔离操作联锁结构包括安装时设置在操动触头相对两侧的中门联锁结构和分合闸联锁结构；所述分合闸联锁结构和中门联锁结构对应与分合闸机构的分合状态、中门开关状态进行联动，两联锁结构均可挡止在操动...
    2026-01-31
  • 一种点火器的发生装置、水等离子体点火器及点火方法
    一种点火器的发生装置、水等离子体点火器及点火方法_哈尔滨工业大学_202511697915.7
    本发明公开了一种点火器的发生装置、水等离子体点火器及点火方法，属于飞行器点火器技术领域。点火器的发生装置，包括发生器模块和电磁感应模块，发生器模块包括同轴设置的阴极本体和阳极本体，阳极本体位于阴极本体的外部，阳极本体与阴极本体之间形成等离子...
    2026-01-31
  • 一种具有机械联动机构的电磁式接触器
    一种具有机械联动机构的电磁式接触器_天水二一三电器集团有限公司_202520149498.1
    本实用新型公开了一种具有机械联动机构的电磁式接触器，所述电磁式接触器内设有衔铁和线圈，衔铁上连接有触头支架，线圈上连接有转换触头，所述电磁式接触器内还设有若干组机械联动机构，机械联动机构分别与衔铁和触头支架卡接；所述机械联动机构包括一对一连...
    2026-01-31
  • 一种LED芯片及其制作方法
    一种LED芯片及其制作方法_厦门乾照光电股份有限公司_202311051332.8
    本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过设置所述第二电极(金属反射)、钝化层(介质层)、第二接触孔、电流阻挡层(介质层)以及透明导电层(导电层)的相互结构关系形成ODR结构，光线在所述复合区域可形成全反射，从而使第二电极对应复合区域的光...
    2026-01-31
  • 一种发光二极管芯片及其制备方法
    一种发光二极管芯片及其制备方法_江西兆驰半导体有限公司_202511416743.1
    本发明提供一种发光二极管芯片的制备方法，制备方法包括：提供一蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上依次沉积N型半导体层、有源发光层以及P型半导体层作为外延层；在P型半导体层上制备N型半导体层导电台阶；在P型半导体层上制备电流扩展层；在电流扩展层上制备电...
    2026-01-31
  • 一种具有过流保护的漏电保护器电路
    一种具有过流保护的漏电保护器电路_常熟市微尘电器有限公司_202520150870.0
    本实用新型涉及一种具有过流保护的漏电保护器电路，涉及漏电保护器，解决了现有漏电保护电路在过流时没有报警提示与及时断电的问题，包括电流采集电阻R16、电流采集模块、过流采集模块、延时模块和过流保护模块，的电流采集模块包括运算放大器U2B，运算...
    2026-01-31
  • 一种电磁式开关模组
    一种电磁式开关模组_西安枭科威尔科技有限公司_202422958552.5
    本实用新型涉及一种开关模组，具体是一种电磁式开关模组, 包括箱体；以及固定安装在所述箱体接线柱；所述箱体固定安装有接线套筒；所述接线柱上固定安装有静触子；所述接线套筒内滑动安装有滑杆；所述滑杆上设置有动触子；所述箱体内设置有合闸组件；所述合...
    2026-01-31
  • 一种双触发隔离装置、塞拉门系统及隔离方法
    一种双触发隔离装置、塞拉门系统及隔离方法_南京康尼机电股份有限公司_202511293543.1
    本申请公开了轨道交通技术中的一种双触发隔离装置、塞拉门系统及隔离方法，双触发隔离装置包括安装架、固定在所述安装架上的电磁铁、可回转连接在所述安装架上的旋转件以及可复位移动设置在所述安装架上的隔离轴；所述旋转件通过驱动件转动；所述隔离轴上设有...
    2026-01-31
  • 低欧姆接触氮化物发光二极管芯片及其制备方法
    低欧姆接触氮化物发光二极管芯片及其制备方法_江苏第三代半导体研究院有限公司_202210253237.5
    本发明公开了一种低欧姆接触氮化物发光二极管芯片的制备方法，包括在衬底上生长缓冲层；在缓冲层上生长n型氮化物层；在n型氮化物层上生长氮化物发光层；在氮化物发光层上生长p型氮化物层；在p型氮化物层上生长第一接触功能层，在第一接触功能层上生长第二...
    2026-01-31
  • 一种切换开关
    一种切换开关_上海良信电器股份有限公司_202511707604.4
    本发明的实施例提供了一种切换开关，涉及开关电器技术领域。切换开关包括开关壳体、静触头结构和动触头结构，静触头结构包括两个第一静触头和两个第二静触头，动触头结构包括滑动件、第一动触头、第二动触头和第三动触头；滑动件用于在外力作用下相对于开关壳...
    2026-01-31
  • 一种发光外延片及其制备方法和半导体发光器件
    一种发光外延片及其制备方法和半导体发光器件_江西乾照光电有限公司_202511742960.X
    本申请提供了一种发光外延片及其制备方法和半导体发光器件，涉及半导体器件技术领域。在发光外延片的多量子阱层中插入生长第一应力释放层，在发光外延片的多量子阱层和P型半导体层之间插入生长第二应力释放层，保证制备的发光外延片的质量高。在生长应力释放...
    2026-01-31
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