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最新专利技术
  • 一种图像传感器及其制备方法
    一种图像传感器及其制备方法_荣芯半导体(宁波)有限公司_202511264454.4
    本申请提供一种图像传感器及其制备方法， 包括：提供衬底， 在衬底上依次形成牺牲层和外延层；形成外延层和牺牲层的支撑柱， 并且支撑柱还延第一方向延伸设置， 第一方向垂直于衬底的厚度方向；刻蚀外延层， 以形成露出部分牺牲层的至少一个释放沟槽；以...
    2025-11-16
  • 图像传感器及其制备方法、电子设备
    图像传感器及其制备方法、电子设备_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511263404.4
    本申请涉及一种图像传感器及其制备方法、电子设备， 包括：提提供像素阵列；基于灰阶掩膜版形成覆盖像素阵列的第一光阻层；灰阶掩膜版包括中心区， 以及环绕中心区且沿中心区的径向分布的多个外围区；中心区及多个外围区的透光率不同；于第一光阻层顶面形成...
    2025-11-16
  • 图像传感器制造方法
    图像传感器制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510815959.9
    本发明公开了一种图像传感器制造方法， 采用两次外延层形成工艺形成第一P型外延层及第二P型外延层， 可以分别在第一P型外延层及第二P型外延层先后进行两次N阱离子注入；双层P型外延层结构实现了两次N阱和P阱的离子注入， 可以采用低能量离子注入，...
    2025-11-16
  • 图像传感器的制备方法
    图像传感器的制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510815955.0
    本申请公开了一种图像传感器的制备方法， 包括：提供一衬底， 衬底表面依次形成有衬垫氧化层、刻蚀停止层、阻挡层和掩膜层；刻蚀掩膜层形成开口；通过开口刻蚀阻挡层形成第一凹槽；形成保护层覆盖掩膜层及第一凹槽的侧壁及底壁；刻蚀去除水平方向上的保护层...
    2025-11-16
  • 改善CIS硅损伤的方法
    改善CIS硅损伤的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510810049.1
    本申请提供一种改善CIS硅损伤的方法， 包括：步骤一， 提供一衬底， 在衬底上形成衬垫层， 在衬底的外围区域形成多个对准标记， 定义包括像素晶体管区在内的各功能区的位置；步骤二， 形成光阻层后， 对位于像素晶体管区的光阻层进行曝光、显影处理...
    2025-11-16
  • 改善铝金属残留的方法
    改善铝金属残留的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510810036.4
    本发明公开了一种改善铝金属残留的方法， 包含：步骤一， 晶圆上包含底层金属层及位于底层金属层之上将其覆盖的金属铝；在进行光刻胶的曝光显影及刻蚀后打开金属铝的刻蚀窗口， 随后进行铝刻蚀， 将刻蚀窗口内的金属铝全部刻蚀；金属铝刻蚀结束后去除剩余...
    2025-11-16
  • 背照式图像传感器的制备方法
    背照式图像传感器的制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510781895.5
    本申请提供一种背照式图像传感器的制备方法， 将网格型隔离沟槽结构分成两步刻蚀， 并且在刻蚀形成沿Y方向设置的第一深沟槽之后， 利用流动性较强的旋涂碳层填充第一深沟槽， 然后再刻蚀形成沿X方向设置的第二深沟槽。本申请通过两步刻蚀且利用流动性较...
    2025-11-16
  • 改善互补金属氧化物半导体图像传感器性能的方法
    改善互补金属氧化物半导体图像传感器性能的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510780306.1
    本申请公开了一种改善互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器性能的方法。该方法包括：在CMOS图像传感器的像素区域进行高能离子注入以形成阱区后；部分去除所述像素区域上存在的至少一层第一氧化层；以及在部分去除所述至少一层第一氧化层之后， 在...
    2025-11-16
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510779483.8
    本发明提供一种半导体器件的制造方法， 在半导体衬底上形成光电二极管区域和栅结构；在栅结构侧壁形成侧墙结构；在半导体衬底中形成源极/漏极区；在半导体衬底上沉积含预定掺杂元素的掺杂介质层；以及对半导体衬底进行热处理， 以使掺杂介质层中的预定掺杂...
    2025-11-16
  • 降低键合白边宽度的方法
    降低键合白边宽度的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510779411.3
    本发明提供一种降低键合白边宽度的方法， 对第一晶圆和/或第二晶圆执行晶圆修边处理的步骤；在进行晶圆键合之前， 对待键合的第一晶圆和/或第二晶圆的边缘执行围边沉积处理， 以优化第一晶圆和/或第二晶圆的边缘轮廓；将经过围边沉积处理的第一晶圆和第...
    2025-11-16
  • 一种基于石墨烯的光电集成芯片及其制备方法
    一种基于石墨烯的光电集成芯片及其制备方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202510640502.9
    一种基于石墨烯的光电集成芯片及其制备方法， 所述方法步骤如下：在衬底上制备光波导；将石墨烯转移至波导上方并进行区域隔离， 形成电光调制器下层有源区和光电探测器沟道区， 并做好电光调制器的下层有源区接触电极和光电探测器的沟道两端接触电极；覆盖...
    2025-11-16
  • 一种高增益的硫属化合物雪崩光电探测器及其制备方法
    一种高增益的硫属化合物雪崩光电探测器及其制备方法_西北工业大学_202510828962.4
    本发明提供了一种高增益的硫属化合物雪崩光电探测器及其制备方法， 解决现有InSe光电探测器存在光响应度与响应速度不能兼顾的问题。本发明所提供的技术解决方案是通过对器件的结构设计， 以及将具有不同掺杂或合金化的硫属化合物二维材料进行堆叠， 形...
    2025-11-16
  • 雪崩光电探测器
    雪崩光电探测器_清华大学_202510823336.6
    本申请涉及一种雪崩光电探测器。所述雪崩光电探测器包括：至少一个雪崩光电探测单元；雪崩光电探测单元包括N型掺杂区、P型掺杂区、第一本征区、第二本征区和第三本征区；N型掺杂区、本征区和P型掺杂区沿第一方向依次设置；第一本征区、第二本征区和第三本...
    2025-11-16
  • 一种光电探测器及制备方法
    一种光电探测器及制备方法_上海新微技术研发中心有限公司_202511213791.0
    本发明提供了一种光电探测器及制备方法， 涉及光电探测器技术领域。本发明中光电探测器包括硅衬底、功能层、电极层和绝缘层， 硅衬底包括由下至上依次层叠布置的n型硅层和p型硅层。功能层位于硅衬底的上方， 且包括由下至上依次层叠布置的二硫化钼层和硫...
    2025-11-16
  • 一种级联型胶体量子点光导型焦平面探测器及其制备方法
    一种级联型胶体量子点光导型焦平面探测器及其制备方法_安徽量芯光电科技有限公司_202510731906.9
    本发明公开了一种级联型胶体量子点光导型焦平面探测器及其制备方法。级联型胶体量子点光导型焦平面探测器包括有基底层， 基底层上设置有阵列式的叉指电极， 在基底除叉指电极以外的位置上设置有第一层绝缘层；在叉指电极上设置有级联HgTe量子点层构成的...
    2025-11-16
  • 光电组件
    光电组件_联亚光电工业股份有限公司_202510999055.6
    一种光电组件， 包含基板、设置于所述基板且与所述基板采同材质的缓冲层、形成于所述缓冲层并以具有初始内应力值的工作材料所制成的接口层、以所述工作材料形成于所述接口层的应变层、形成于所述应变层并具有所述初始内应力值的作用层， 及设置于所述作用层...
    2025-11-16
  • 一种长波超晶格红外探测器及其制备方法
    一种长波超晶格红外探测器及其制备方法_武汉高芯科技有限公司_202510895157.3
    本发明提供了一种长波超晶格红外探测器， 包括衬底以及在衬底上由下至上依次生长的缓冲层、下接触层、吸收层、空穴势垒层和上接触层， 所述吸收层和空穴势垒层采用弱P型掺杂的InAs/InAsSb超晶格， 所述吸收层和空穴势垒层形成导带偏差近零的同...
    2025-11-16
  • 一种长/长波双色超晶格探测器
    一种长/长波双色超晶格探测器_武汉高芯科技有限公司_202510895066.X
    本发明提供了一种长/长波双色超晶格探测器， 包括衬底以及从衬底向上依次生长的缓冲层、下接触层、第一长波吸收层、电子势垒层、第二长波吸收层、上接触层和盖层， 所述第一长波吸收层和第二长波吸收层均采用弱N型掺杂的InAs/InAsSb超晶格， ...
    2025-11-16
  • 焊带及光伏组件
    焊带及光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511261268.5
    本申请涉及光伏领域， 本申请实施例提供一种焊带及光伏组件， 该焊带沿其高度方向的至少一侧表面上设置有反光凸起， 多个反光凸起呈阵列分布；在焊带的宽度方向上， 沿焊带的中心指向其两端的方向， 多个反光凸起的高度依次增大。反光凸起所组成的阵列在...
    2025-11-16
  • 连接结构、电池串、光伏组件及制备方法
    连接结构、电池串、光伏组件及制备方法_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511199871.5
    本发明公开了一种连接结构、电池串、光伏组件及制备方法， 涉及光伏组件技术领域。该连接结构包括：承载胶膜， 所述承载胶膜用于覆盖多个所述BC电池单元的背面；焊带， 多条所述焊带间隔设置于所述承载胶膜与所述BC电池单元背面接触的一侧；金属导电浆...
    2025-11-16
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