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最新专利技术
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410211886.8
    一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：衬底、以及凸于衬底的沟道结构；隔离层，位于衬底上、且覆盖沟道结构的部分侧壁，沟道结构凸于隔离层；预埋导电结构，沿垂直于沟道结构的延伸方向位于相邻沟道结构之间的隔离层中、且凸于隔离层，预埋导电结构的...
    2025-09-20
  • 半导体结构及其形成方法、封装结构
    半导体结构及其形成方法、封装结构_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410211742.2
    一种半导体结构及其形成方法、封装结构，半导体结构包括：基底；多层介质层，沿纵向依次堆叠于基底上；应力缓冲层，位于任一层或多层介质层中，应力缓冲层包括在横向上相间隔的多个子缓冲层。本发明有利于提升器件良率和工艺稳定性。
    2025-09-20
  • 传输腔室、半导体工艺设备以及晶片传输方法
    传输腔室、半导体工艺设备以及晶片传输方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202410211301.2
    本发明提供一种传输腔室、半导体工艺设备以及晶片传输方法。其中，传输腔室包括：传输腔体、设置在传输腔体中的晶片传输装置以及匀气盘。匀气盘环绕晶片传输装置的驱动部设置，其内部具有与外部保护气源连通的气体流道，且气体流道具有多个设置在匀气盘表面的...
    2025-09-20
  • 一种光致彭宁电离质谱方法
    一种光致彭宁电离质谱方法_中国科学院大连化学物理研究所_202410207225.8
    本发明属于质谱电离领域，具体涉及一种光致彭宁电离质谱方法。用光电效应产生的光电子在电场中加速获得足够能量，将基态的氦He、氖Ne、氩Ar激发至亚稳态，这些中性原子的亚稳态的能量高于10.6eV(He激发能20.62和19.82eV；Ne激发...
    2025-09-20
  • 一种用于隔离开关的操作机构
    一种用于隔离开关的操作机构_上海电器股份有限公司人民电器厂_202410207138.2
    本发明涉及一种用于隔离开关的操作机构，包括：第一外壳、第二外壳、第三外壳、手柄接口、齿轮、第一滑块、第二滑块、第一轴、侧板、第二轴、推杆、弹簧、凸接口、凹接口；第一外壳、第二外壳连接；手柄接口设于第一外壳、第二外壳上方；手柄接口与齿轮连接，...
    2025-09-20
  • 一种多功能一体按键结构
    一种多功能一体按键结构_延锋伟世通电子科技(上海)有限公司_202410206816.3
    本发明的一种多功能一体按键结构，按键包括一个透光上面板，所述的透光上面板的下侧面中并列设置有一个第一膜片和至少一个第二膜片，所述的第一膜片和任意一个所述的第二膜片中各自设置有图案，第一膜片中的图案由一层第一透光油墨涂覆形成，所述的第一透光油...
    2025-09-20
  • 大容量高频变压器
    大容量高频变压器_特变电工沈阳变压器集团有限公司_202410207227.7
    本发明涉及一种大容量高频变压器，其中第一C型磁芯和第二C型磁芯上下对称设置形成口字型芯体，第一线圈组包括一次绕组A和二次绕组A，第二线圈组包括一次绕组B和二次绕组B，一次绕组A、二次绕组A、一次绕组B和二次绕组B均为空心电磁线绕制而成，并且...
    2025-09-20
  • 一种导电银浆、片式聚合物叠层铝电容器及其制备方法
    一种导电银浆、片式聚合物叠层铝电容器及其制备方法_深圳新宙邦科技股份有限公司_202410210241.2
    为克服现有的导电银浆难以满足低阻抗和低体积要求的问题，本发明提供了一种导电银浆，包括银粉、第一溶剂和丙烯酸改性含氟环氧树脂，所述丙烯酸改性含氟环氧树脂含有环氧基团、丙烯酰氧丙基和氟代烷基结构。同时，本发明还公开了上述导电银浆的制备方法以及采...
    2025-09-20
  • 一种三维连续弹性导体及其制备方法
    一种三维连续弹性导体及其制备方法_江苏纳美达光电科技有限公司_202410207088.8
    本发明提供一种三维连续弹性导体及其制备方法，所述三维连续弹性导体至少包含三维多孔弹性材料、纳米线导电介质。其中所述的三维多孔弹性材料，其孔洞至少包含一级孔洞和二级孔洞，一级孔洞骨架上包含一个或多个二级孔洞。所述纳米线导电介质在三维多孔弹性材...
    2025-09-20
  • 血流动力学参数结果的预测方法和计算机设备
    血流动力学参数结果的预测方法和计算机设备_上海联影医疗高新技术研究院有限公司_202410211107.4
    本申请涉及一种血流动力学参数结果的预测方法和计算机设备，该方法包括：获取检测对象的目标血管的术前三维模型，以及目标血管的入口血压和出口血压；目标血管的至少部分区域存在狭窄；根据目标血管的术前三维模型、入口血压和出口血压，确定目标血管的出口血...
    2025-09-20
  • 病历数据提取脚本生成方法、装置、计算机设备以及介质
    病历数据提取脚本生成方法、装置、计算机设备以及介质_卫宁健康科技集团股份有限公司_202410208335.6
    本申请提供一种病历数据提取脚本生成方法、装置、计算机设备以及介质，涉及医疗信息化技术领域，该方法包括：从三方医疗业务系统中病历数据接口的接口文档中提取三方医疗业务系统中的多个三方病历字段的信息，根据各三方病历字段的标识信息，确定目标医疗业务...
    2025-09-20
  • 用于超高场磁共振的人工电磁材料的参数确定方法及装置
    用于超高场磁共振的人工电磁材料的参数确定方法及装置_西安电子科技大学杭州研究院_202410209069.9
    本发明公开了一种用于超高场磁共振的人工电磁材料的参数确定方法及装置，本发明改进了现有的人工电磁材料的设计方法，在原来设置周期边界条件，并获得散射系数计算人工电磁材料等效介电常数的基础之上，再通过利用微带线谐振法来精确调整人工电磁材料在感应近...
    2025-09-20
  • 固溶元素在增材制造镍基高温合金中强化作用的评价方法
    固溶元素在增材制造镍基高温合金中强化作用的评价方法_中国科学院金属研究所_202410208385.4
    本发明提供一种固溶元素在增材制造镍基高温合金中强化作用的评价方法，属于高温合金增材制造技术领域，包括以下步骤：步骤1)通过增材制造分别制备第一高温合金、第二高温合金至第N高温合金；第一高温合金中不含固溶元素，第二高温合金至第N高温合金中均含...
    2025-09-20
  • 一种预测地下储气库注气储层温度分布的半解析方法
    一种预测地下储气库注气储层温度分布的半解析方法_中国石油天然气股份有限公司_202410206674.0
    本发明公开了一种预测地下储气库注气储层温度分布的半解析方法，包括：建立地下储气库的盖层传热模型，结合初始条件进行拉普拉斯变换，并根据内、外边界条件计算盖层与储层的交界面处温度；在恒定注气质量流量下，结合流体的对流传热与节流效应、盖层传热、储...
    2025-09-20
  • 分子生成方法、装置、设备及存储介质
    分子生成方法、装置、设备及存储介质_腾讯科技(深圳)有限公司_202410210835.3
    本申请公开了一种分子生成方法、装置、设备及存储介质，涉及人工智能技术领域。包括：采样初始层次嵌入，初始层次嵌入包括分子图层次的初始图嵌入、子图层次的初始子图嵌入以及原子层次的初始原子嵌入，其中，分子图由节点和边构成，节点表示原子，边表示连接...
    2025-09-20
  • 细胞靶向药物初筛模型训练方法、药物初筛方法及设备
    细胞靶向药物初筛模型训练方法、药物初筛方法及设备_南开大学_202410210408.5
    本申请提供细胞靶向药物初筛模型训练方法、药物初筛方法及设备，方法包括：获取设有标签信息的各个化合物样本各自对应的分子指纹特征数据以形成对应的原始数据集，采用距离度量方式对原始数据集进行数据筛选，并训练基于图神经网络的回归模型以学习各个化合物...
    2025-09-20
  • 在OTP存储器单元中具有垂直晶体管的存储器器件
    在OTP存储器单元中具有垂直晶体管的存储器器件_长江存储科技有限责任公司_202410210806.7
    本公开描述了在一次性编程(OTP)存储器单元中具有垂直晶体管的存储器系统和器件及其制造方法。示例半导体器件包括：存储器单元的第一阵列，所述存储器单元的第一阵列至少包括第一存储器单元。所述第一存储器单元包括第一垂直晶体管和在第一方向上耦合到所...
    2025-09-20
  • 一种存储装置、存储装置的操作方法及存储系统
    一种存储装置、存储装置的操作方法及存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410210945.X
    本申请提供了一种存储装置、存储装置的操作方法及存储系统，涉及半导体芯片技术领域。存储装置包括存储阵列和页缓冲器，页缓冲器通过位线与存储阵列耦接；页缓冲器充放电电路，耦接到位线、第一感测节点以及第二感测节点；在编程周期的验证阶段，充放电电路被...
    2025-09-20
  • 存储器装置及其操作方法、存储器系统
    存储器装置及其操作方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410211089.X
    本公开提供了一种存储器装置及其操作方法、存储器系统，所述存储器装置包括存储器阵列和与所述存储器阵列耦接的外围电路；所述存储器阵列至少包括公共源极、与所述公共源极连接的第一存储块和第二存储块；所述外围电路被配置为：在对所述第一存储块执行擦除操...
    2025-09-20
  • 一种字线驱动电路、存储器及设备
    一种字线驱动电路、存储器及设备_华为技术有限公司_202410211864.1
    一种字线驱动电路、存储器及设备，涉及电子技术领域，用于减小SWD的尺寸，降低字线驱动的负载。该字线驱动电路包括：第一字线；第一子字线和第二子字线；第一SWD包括第一晶体管和第二晶体管；第二SWD包括第三晶体管和第四晶体管；该两个SWD还共用...
    2025-09-20
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