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  • 本发明公开了一种缺陷分类装置包括:第一神经网络,为缺陷分类模型的神经网络。第二神经网络,为缺陷检测模型的神经网络,第二神经网络的输入端输入晶圆图像,缺陷检测模型检测出晶圆图像上的第一缺陷并提取第一缺陷的第一特征信息。第一特征信息还输入到第一...
  • 本发明提供一种基于图像识别技术的自密实混凝土特性的无损识别方法,包括:)确定自密实混凝土组成及配合比工况;拌合自密实混凝土,进行坍落度实验和J环实验;制备不同工况的混凝土试件,并对养护完成的混凝土试件进行拍摄,采集各工况混凝土试件的自密实混...
  • 本发明公开了一种OBU误唤醒检测方法及装置,包括以下步骤:S1:提供一OBU装置,包括MCU控制模块、人体存在传感器模块、无线通讯模块和安全加密模块;S2:OBU通过发行流程进行激活,以启动人体存在传感器模块控制OBU的无线信号唤醒功能S3...
  • 本发明公开了一种铁路异物侵限监测预警系统及监测预警方法,涉及XX技术领域,其技术方案是:包括检测预警平台模块,和防护棚模块,户外防护网模块连接端设有区域监测模块,区域监测模块连接端设有移动监控模块,区域监测模块连接端设有感应检测模块,感应检...
  • 本发明公开了一种考虑航路点约束的民航客机航迹预测方法,提取空中交通航路的数据信息,获取航迹点到航路点的距离并存储;对获取的距离排序,提取最大值为航路点的容差范围;比较两航路点容差范围之差的绝对值与两航路点航段长度的大小,获取可达域;根据可达...
  • 本发明提供一种汉语方言语音自动分割方法及装置,涉及语音信号处理技术领域。该方法包括:基于方言声韵配合规则构建方言语音样本;基于动态时间规整技术以及均值计算方法,根据方言语音样本构建方言语音模板;获取待分割方言语音;根据待分割方言语音,使用通...
  • 本发明提供了一种MRAM芯片的可微调参考单元电路,该可微调参考单元电路包括:初始参考单元子电路、粗调单元子电路、细调单元子电路、微调控制子电路;其中初始参考单元子电路由高电阻状态RAP和低电阻状态RP
  • 本申请公开了一种参考单元及其初始化方法和电路、STT‑MRAM,涉及存储器技术领域,该参考单元包括并联的两条支路,每条支路包括沿第一方向层叠串联的第一隧道结、重金属层和第二隧道结,第一隧道结和第二隧道结相对于重金属层镜像排布,且两个隧道结的...
  • 本申请提供了一种智能住院手环,由腕带和主体电子设备组成,目标患者佩戴目标手环。主体电子设备包括患者信息读取模块,用于存储患者的基本信息及面部特征;在医护查房时间段内,若检测到医护终端与目标手环位于同一病房内,两者之间的距离最近且在查房面谈距...
  • 本发明公开了一种胃肠道早癌患者筛查管理系统,涉及胃肠道早癌患者筛查技术领域,利用信息录入及存储模块,询问并录入患者的年龄、症状、家族遗传、体重、身高、日常运动的基本情况,利用评估计算模块,依次计算输出风险指数IF、筛查优先级评分IS、筛查间...
  • 本发明涉及医疗系统技术领域,具体地说,涉及一种麻醉科药物配送收费系统,包括药品图像采集模块、药品文字轮廓特征对比模块和配送费用调取模块,药物文字轮廓特征对比模块通过文字特征提取法提取药物图像和出入库记录表格中药物图像的文字轮廓特征,根据文字...
  • 本发明公开了一种肝癌术后3年复发预测方法及系统,涉及复发预测技术领域,包括:获取预测对象相关数据,对预测对象相关数据进行预处理,得到处理后的预测对象相关数据,其中,所述预测对象相关数据包括预测对象的术前多期增强CT影像信息、病理数据及肝脏相...
  • 本申请提供一种用于追踪胸痛患者的临床诊疗路径生成方法及系统。其中,通过同步采集呼吸节律相位差、冠脉钙化积分及高敏肌钙蛋白曲线斜率构建动态时空数据图谱,结合ST段抬高幅度非对称性增长与左室射血分数衰减梯度、B型钠尿肽释放速率耦合分析生成危险度...
  • 本发明涉及医疗数据分析的技术领域,尤其是涉及一种基于机器学习的糖尿病预警模型构建方法及系统,所述方法包括基于多个信息渠道获取多源生活数据,所述多个信息渠道包括但不限于电子病历、体检报告、以及生活方式调查,根据所述多源生活数据生成多源医疗数据...
  • 本申请涉及一种核电站机组的换料方法、装置、设备、介质和产品。该方法包括:根据核电站机组中燃料传输装置的设置位置,确定起始卸料方向;其中,核电站机组的堆芯中设置有至少一个燃料组件;从至少一个候选燃料组件中,选取起始卸料组件;其中,至少一个候选...
  • 本发明涉及配电技术领域,公开了一种能横向潮流控制的新式变压器及控制方法。其中装置包括一种能横向潮流控制的新式变压器,包括变压器主体、可控电压源和控制器,可控电压源包括电力电子逆变器和耦合绕组,电力电子逆变器的输入端与副边绕组或原边绕组电性连...
  • 本发明公开了一种DTI的制造方法,包括:采用干法刻蚀在半导体衬底的选定区域中形成DTI的开口,开口具有中间宽上下窄的形貌。采用各向异性的湿法刻蚀对开口进行修复,湿法刻蚀采用具有竖直方向刻蚀速率小于横向刻蚀速率的特征的药液进行刻蚀,使完成修复...
  • 本发明公开了一种改善通孔测试准确度的方法,包括:在切割道上设置测试键位置区域,包括第一至第三位置区域,第一至第三位置区域的长度方向和对应的切割道的长度方向平行且沿切割道的宽度方向排列。在第一位置区域设置通孔测试键,在第二位置区域设置固定的第...
  • 本发明提供一种改善栅极氧化层下埋工艺缺陷的方法,提供衬底,在衬底上的高压器件区上形成预设深度的沟槽,去除第一光刻胶层;在衬底上形成浅沟槽隔离以定义出有源区,以及利用离子注入形成高压器件区的掺杂阱,其中用于定义出高压器件区的有源区的浅沟槽隔离...
  • 本发明公开了一种减少图形桥接的工艺方法,包括:在底层结构的顶部表面上形成第一硬质掩膜层。形成第二硬质掩膜层。进行光刻形成第一光刻胶图形,第一光刻胶图形的步进等于目标图形的步进,第一光刻胶图形的间距大于目标图形的间距,以防止第一光刻胶图形发生...
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