Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种结构紧凑的小型断路器
    一种结构紧凑的小型断路器_张进_202511026856.0
    本申请涉及电力保护设备领域， 公开了一种结构紧凑的小型断路器， 包括绝缘外壳， 所述绝缘外壳两端均设置有接线端子， 所述绝缘外壳内部中心固定连接有旋转主轴， 所述旋转主轴外部套设并转动连接有动触头部件， 且两者之间通过储能扭簧相连接， 其中...
    2025-11-27
  • 一种产气灭弧材料及其制备方法和应用
    一种产气灭弧材料及其制备方法和应用_东莞市竞沃电子科技有限公司_202510907636.2
    本发明公开了一种产气灭弧材料及其制备方法和应用， 包括H2产气材料和N2产气材料， H2产气材料包括储氢材料和包覆于储氢材料表面的第一高分子膜， N2产气材料包括吸附有N2的分子筛活化粉和包覆于吸附有N2的分子筛活化粉表面的第二高分子膜， ...
    2025-11-27
  • 阵列式旋转阳极及分布式X射线源
    阵列式旋转阳极及分布式X射线源_清华大学_202510755391.6
    本发明涉及X射线技术领域， 提供一种阵列式旋转阳极及分布式X射线源， 阵列式旋转阳极包括冷却部件、环形的阳极靶片和驱动部件。冷却部件包括冷却体和安装组件， 冷却体的内部构造有冷却通道， 冷却体的两端均设有安装部；安装组件位于冷却体的两端， ...
    2025-11-27
  • 阵列式摆动阳极及分布式X射线源
    阵列式摆动阳极及分布式X射线源_清华大学_202510755392.0
    本发明涉及X射线技术领域， 提供一种阵列式摆动阳极及分布式X射线源， 阵列式摆动阳极包括冷却部件、阳极靶片和驱动部件。冷却部件包括冷却体、导向组件和安装组件， 冷却体的内部构造有冷却通道， 冷却体的两端均设有导向部；导向组件与相应的导向部活...
    2025-11-27
  • 一种电子束阻断与聚焦的控制方法
    一种电子束阻断与聚焦的控制方法_深圳中科飞测科技股份有限公司_202510896922.3
    本发明涉及一种电子束阻断与聚焦的控制方法， 包含静电透镜， 静电透镜包括沿电子束路径依次设置的上极片、电子束阻断器和下极片， 所述电子束阻断器被配置为静电透镜的中间极片， 所述电子束阻断器包括左瓣电极和右瓣电极， 包括以下操作模式：阻断模式...
    2025-11-27
  • 一种多模式切换物镜以及其使用方法
    一种多模式切换物镜以及其使用方法_屹东光学技术(苏州)有限公司_202510930378.X
    本发明公开了一种多模式切换物镜以及其使用方法， 属于电子显微镜领域， 线圈形成聚焦电子束所需要的磁场， 内极靴底部与外极靴底部之间形成径向开口， 径向开口朝下并且环绕电子通道， 下极靴可拆卸地安装于内极靴和/或外极靴， 下极靴未安装时， 磁...
    2025-11-27
  • 一种双物镜结构、电子显微镜以及其使用方法
    一种双物镜结构、电子显微镜以及其使用方法_屹东光学技术(苏州)有限公司_202510930385.X
    本发明公开了一种双物镜结构、电子显微镜以及使用方法， 属于电子显微镜领域， 第一、第二以及第三延伸部均呈锥形， 第一延伸部末端与第三延伸部末端形成开口， 第二延伸部末端伸入开口， 浸没模式时， 第二线圈、第二以及第三极靴工作， 磁场从第二间...
    2025-11-27
  • 进气装置、工艺腔室及半导体工艺设备
    进气装置、工艺腔室及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202510944997.4
    本申请公开一种进气装置、工艺腔室及半导体工艺设备， 所公开的进气装置包括配气腔室和匀流件；配气腔室具有第一内腔、第一流入孔和多个第一匀流孔， 第一流入孔和多个第一匀流孔均与第一内腔连通， 多个第一匀流孔均设于配气腔室的底壁；匀流件设于第一内...
    2025-11-27
  • 混合等离子体源阵列
    混合等离子体源阵列_北京屹唐半导体科技股份有限公司_202511191161.8
    提供了一种等离子体源阵列。等离子体源阵列包括多个混合等离子体子源， 多个混合等离子体子源被设置在基板上， 每个混合子源包括：介电管， 具有内部区域和外部表面；感应耦合等离子体源， 用于产生感应耦合等离子体， 感应耦合等离子体源靠近介电管的外...
    2025-11-27
  • 小光晕真空光电装置及其应用
    小光晕真空光电装置及其应用_北方夜视技术股份有限公司_202510932096.3
    本申请公开了一种小光晕真空光电装置及其应用， 包括：第一陶瓷环、第二陶瓷环、第一金属环、第二金属环、弹力压环、具有导电输入面和导电输出面的电子倍增板；第一金属环底面上设置第一陶瓷环；第一陶瓷环底面上设置第二金属环；第二金属环设置于第二陶瓷环...
    2025-11-27
  • 具有边缘扩展型的内衬底的打拿极及包含其的电子倍增器
    具有边缘扩展型的内衬底的打拿极及包含其的电子倍增器_西安交通大学_202511068879.8
    本发明属于真空电子器件技术领域， 具体涉及一种具有边缘扩展型的内衬底的打拿极及包含其的电子倍增器。打拿极包括栅网组件、基架盒和边缘扩展型的内衬底， 内衬底位于基架盒内部；内衬底包括弧形侧壁部分、上壁、下壁和折弯部分；折弯部分设置在弧形侧壁部...
    2025-11-27
  • 一种集成丝状离子导向器的光电离源
    一种集成丝状离子导向器的光电离源_中国科学院大连化学物理研究所_202510849255.3
    本发明涉及质谱分析仪器技术领域， 特别涉及一种集成丝状离子导向器的光电离源。包括电离源腔体及由上至下设置于电离源腔体内的真空紫外灯、推斥电极和丝状离子导向器， 电离源腔体的底部设有离子输出口；由真空紫外灯出射的光子依次经过推斥电极和丝状离子...
    2025-11-27
  • 一种离子源装置
    一种离子源装置_杭州海康威视元物智科技有限公司_202511149088.8
    本申请公开了一种离子源装置， 属于质谱分析技术领域， 用以提高高浓度离子的传输效率。所述离子源装置包括：离子化室， 所述离子化室是将输入的分子转化为离子的场所；推斥极， 所述推斥极位于所述离子化室内且正对所述离子化室的离子出口， 所述推斥极...
    2025-11-27
  • 外延生长方法及外延结构
    外延生长方法及外延结构_重庆奕能科技有限公司_202510689856.2
    本申请公开了一种外延生长方法及外延结构。该外延生长方法包括：提供衬底；生长具有第一碳硅比的第一缓冲层；生长第二缓冲层；生长具有第二碳硅比的第三缓冲层；以及生长外延层， 其中， 第二缓冲层具有接触第一缓冲层的第一表面和接触第三缓冲层的第二表面...
    2025-11-27
  • 一种基于干法刻蚀改善金属刻蚀残留的方法
    一种基于干法刻蚀改善金属刻蚀残留的方法_深圳基本半导体股份有限公司_202510695527.9
    本发明涉及半导体功率器件制造技术领域， 公开了一种基于干法刻蚀改善金属刻蚀残留的方法。该方法包括：步骤S1：提供衬底层；步骤S2：在衬底层上沉积一层停止层， 并通过光刻工艺在停止层上形成衬底层上的图形， 作为第一图形；步骤S3：第一图形经过...
    2025-11-27
  • 外延晶圆及改善外延晶圆平坦度的方法和装置
    外延晶圆及改善外延晶圆平坦度的方法和装置_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202510744748.0
    本公开提供了一种外延晶圆及改善外延晶圆平坦度的方法和装置；该方法包括：根据外延晶圆的外延层的边缘区域的纳米形貌值， 从设定的外延沉积温度范围中按照设定的温度梯度选取多个候选外延沉积温度；分别基于各候选外延沉积温度在衬底晶圆表面沉积外延层， ...
    2025-11-27
  • 硅氧碳氮侧墙的锗硅外延生长方法及半导体器件
    硅氧碳氮侧墙的锗硅外延生长方法及半导体器件_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510772621.X
    本发明提供了一种硅氧碳氮侧墙的锗硅外延生长方法及半导体器件， 涉及半导体制造技术领域， 为解决在硅氧碳氮侧墙生长隔离保护层成本较高的问题而设计。该方法包括：提供基底结构， 基底结构包括衬底、形成于衬底的栅极结构以及形成于栅极结构两侧的硅氧碳...
    2025-11-27
  • 一种晶圆清洗方法
    一种晶圆清洗方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510829017.6
    本发明提供了一种晶圆清洗方法， 涉及半导体制造技术领域， 为解决相关技术采用在单片清洗工艺中增加背面清洗步骤来减少晶圆背面颗粒的方式， 存在单片清洗效率较低的问题而设计。该晶圆清洗方法包括晶圆背面装载至伯努利吸盘；第一清洗阶段， 晶圆以第一...
    2025-11-27
  • 一种改善EKC去胶后表面铝侵蚀的方法
    一种改善EKC去胶后表面铝侵蚀的方法_江苏福拉特半导体设备有限公司_202510900004.3
    本发明属于半导体制造技术领域， 具体涉及一种改善EKC去胶后表面铝侵蚀的方法， 包括以下步骤：S1、将待去胶的晶圆送入第一EKC去胶槽中反应去胶， 再将其送入第二EKC去胶槽中继续反应去胶；S2、将经过S1去胶后的晶圆送入IPA清洗槽中清洗...
    2025-11-27
  • 半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置及程序产品
    半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置及程序产品_株式会社国际电气_202510900501.3
    本发明提供半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置及程序产品， 即提高选择生长的选择性的技术。具有以下工序：(a)对在表面露出了第一基底和第二基底的基板供给第一改性剂及第二改性剂， 从而使所述第一基底的表面改性的工序， 其中该第一改...
    2025-11-27
首页 上一页 7 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证