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最新专利技术
  • 图像传感器制造方法
    图像传感器制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510815959.9
    本发明公开了一种图像传感器制造方法， 采用两次外延层形成工艺形成第一P型外延层及第二P型外延层， 可以分别在第一P型外延层及第二P型外延层先后进行两次N阱离子注入；双层P型外延层结构实现了两次N阱和P阱的离子注入， 可以采用低能量离子注入，...
    2025-11-21
  • 图像传感器及其制备方法、电子设备
    图像传感器及其制备方法、电子设备_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511263404.4
    本申请涉及一种图像传感器及其制备方法、电子设备， 包括：提提供像素阵列；基于灰阶掩膜版形成覆盖像素阵列的第一光阻层；灰阶掩膜版包括中心区， 以及环绕中心区且沿中心区的径向分布的多个外围区；中心区及多个外围区的透光率不同；于第一光阻层顶面形成...
    2025-11-21
  • 一种图像传感器及其制备方法
    一种图像传感器及其制备方法_荣芯半导体(宁波)有限公司_202511264454.4
    本申请提供一种图像传感器及其制备方法， 包括：提供衬底， 在衬底上依次形成牺牲层和外延层；形成外延层和牺牲层的支撑柱， 并且支撑柱还延第一方向延伸设置， 第一方向垂直于衬底的厚度方向；刻蚀外延层， 以形成露出部分牺牲层的至少一个释放沟槽；以...
    2025-11-21
  • 成像装置
    成像装置_采钰科技股份有限公司_202411021235.9
    一种成像装置， 包括具有隔离区域的基板及像素阵列。像素阵列包括多个感测像素及多个相位检测自动对焦像素， 其中相位检测自动对焦像素中的每一者包括四个光电转换元件、彩色滤光片层及偏转元件。四个光电转换元件在基板内且通过隔离区域分隔开来。彩色滤光...
    2025-11-21
  • 像元桥面、像元结构及其制备方法、以及非制冷红外芯片
    像元桥面、像元结构及其制备方法、以及非制冷红外芯片_武汉高芯科技有限公司_202510894468.8
    本发明涉及一种像元桥面， 包括层叠设置的第一导电层以及敏感层， 第一导电层包括与敏感层电连接的两个电极， 每个电极包括并联的若干电阻， 敏感层采用VxOy材料。还提供一种像元结构， 包括桥腿、像元桥面以及用于支撑桥腿的第二支撑腿， 像元桥面...
    2025-11-21
  • 一种在晶体表面镀制像素化贵金属电极的方法和辐射探测成像元件
    一种在晶体表面镀制像素化贵金属电极的方法和辐射探测成像元件_奕瑞光芯(上海)科技有限公司_202510913091.6
    本发明属于辐射探测技术领域， 具体涉及一种在晶体表面镀制像素化贵金属电极的方法和辐射探测成像元件。本发明提针对现有工艺中电极机械稳定性差、厚度不均及与光刻工艺兼容性差的问题， 通过对碲镉化物晶片进行切割磨抛、Br‑MeOH 腐蚀、负胶光刻图...
    2025-11-21
  • 一种基于石墨烯的空间相机DSP芯片散热装置
    一种基于石墨烯的空间相机DSP芯片散热装置_浙江大学_202510927908.5
    本发明公开了一种基于石墨烯的空间相机DSP芯片散热装置。包括空间相机外壳和DSP芯片， DSP芯片固定安装于空间相机外壳内部， 还包括接触界面、石墨烯薄膜和金属封装壳体， 所述接触界面、石墨烯薄膜和金属封装壳体均安装在所述空间相机外壳内部，...
    2025-11-21
  • 曲面图像传感器芯片的制造方法
    曲面图像传感器芯片的制造方法_格科微电子(上海)有限公司_202410390452.9
    本发明提供一种曲面图像传感器的制造方法， 通过连接于感光单元阵列之间的金属线经预压处理形成有弯折部， 当多个感光单元阵列形成曲面时， 避免了由于不同视场的感光单元阵列的间距不一致造成的金属线断裂， 可以统一应用于凹面芯片及凸面芯片的制作过程...
    2025-11-21
  • 互补式金属氧化物半导体影像传感器及其制造方法
    互补式金属氧化物半导体影像传感器及其制造方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202410460906.5
    本发明提出了一种具有沟槽电容的互补式金属氧化物半导体影像传感器及其制造方法， 其中CMOS影像传感器具有一转移栅位于基底正面上、一光电二极管位于该转移栅一侧的该基底中、一浮动扩散区位于该转移栅另一侧靠近该正面的该基底中、一沟槽电容位于由该背...
    2025-11-21
  • 影像感测器
    影像感测器_采钰科技股份有限公司_202411068869.X
    一种影像感测器， 包含光电转换层、设置在光电转换层上的彩色滤光层、设置在彩色滤光层上的缓冲层、超颖层， 以及覆盖于超颖层上的抗反射层。超颖层包含设置在缓冲层上的衬里层以及在衬里层上的多个顶部微结构， 顶部微结构自衬里层沿远离光电转换层的方向...
    2025-11-21
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202510853425.5
    一种图像传感器包括：基板， 具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；在基板中的第一有源像素；在基板中的第二有源像素；像素沟槽， 设置在第一有源像素和第二有源像素之间像素隔离膜， 在像素沟槽中， 其中像素隔离膜包括：第一层；第二层， 在第一层...
    2025-11-21
  • 一种红外成像仪
    一种红外成像仪_中芯热成科技(北京)有限责任公司_202511294432.2
    本公开涉及一种红外成像仪， 涉及红外探测技术领域， 该红外成像仪通过设置隔离电阻来减小串扰的影响；红外成像仪包括：衬底基板和多个探测单元， 多个探测单元阵列排布在所述衬底基板的一侧；单个探测单元包括薄膜晶体管、二极管探测器和隔离电阻；薄膜晶...
    2025-11-21
  • 太阳能光电转换系统及形成方法
    太阳能光电转换系统及形成方法_新光科技新加坡有限公司_202510471052.5
    本发明提供了一种太阳能光电转换系统及形成方法， 包括：提供太阳能硅片和若干功能芯片， 太阳能硅片包括相对的正面和背面， 各若干功能芯片均包括相对的正面和背面；将各功能芯片通过塑封层固定， 相邻功能芯片之间具有一定的距离；在各功能芯片的正面和...
    2025-11-21
  • 电池片及其制备方法
    电池片及其制备方法_润马光能科技(金华)有限公司_202510703656.8
    本申请公开了一种电池片及其制备方法， 涉及光伏电池技术领域；电池片的制备方法的步骤包括：对电池片进行栅线制备， 并采用LECO进行激光辅助烧结， 在惰性气体环境下， 采用紫外光对电池片进行照射。本申请通过紫外光照射与LECO工艺协同， 有效...
    2025-11-21
  • 一种太阳能电池及其生产方法
    一种太阳能电池及其生产方法_隆基绿能科技股份有限公司_202510846824.9
    本发明实施例提供了一种太阳能电池及其生产方法， 其中， 本发明实施例所提供的生产方法， 在形成减反层之前， 通过钝化层的图像数据中黑斑区域， 筛选可引起UV衰减的电池片， 将能引起UV衰减的电池片筛选出来， 从而完成非接触的PL筛选测试， ...
    2025-11-21
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_扬州阿特斯太阳能电池有限公司_202510866465.3
    本申请实施例涉及光伏技术领域， 提供一种太阳能电池及其制备方法， 可以有效降低铜电极的电阻， 进而提高太阳能电池的光电转换效率。该制备方法包括：在所述基底的第一表面印刷铜浆， 以得到待烧结基底， 其中， 所述基底的第一表面为所述基底的正面和...
    2025-11-21
  • 一种晶硅太阳能电池的制备方法及晶硅太阳能电池
    一种晶硅太阳能电池的制备方法及晶硅太阳能电池_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202510898550.8
    本发明公开一种晶硅太阳能电池制备方法及晶硅太阳能电池。该制备方法可包括：第一次硼扩散， 在N型硅基体形成第一硼掺杂扩散层和层叠于第一硼掺杂扩散层外侧的第一硼硅玻璃层；通过刻蚀胶局部刻蚀处理和氧化处理相配合， 第一硼掺杂扩散层转换为第二硼掺杂...
    2025-11-21
  • 一种基于表面能梯度调控的晶圆级金属电极动态转印方法及其应用
    一种基于表面能梯度调控的晶圆级金属电极动态转印方法及其应用_清芯未来(北京)科技有限公司_202510909537.8
    本发明公开了一种基于表面能梯度调控的晶圆级金属电极动态转印方法及其应用， 包括以下步骤：在低表面能处理后的基底①表面制备图案化的晶圆级金属电极；在晶圆级金属电极表面涂布预聚物， 并干燥固化成聚合物膜；采用滚筒转动进行转轴转移， 使含有晶圆级...
    2025-11-21
  • 太阳能电池的制备方法、太阳能电池及光伏组件
    太阳能电池的制备方法、太阳能电池及光伏组件_扬州阿特斯太阳能电池有限公司_202510915003.6
    本申请公开了一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池及光伏组件， 制备方法包括：提供一电池片， 所述电池片上形成有钝化层；对所述电池片进行紫外光辐照处理。本申请对经过钝化的电池片进行紫外光辐照处理， 能够打断硅中弱键合的Si‑H键以及H2+等H...
    2025-11-21
  • 一种背接触异质结太阳能电池的制备方法
    一种背接触异质结太阳能电池的制备方法_安徽华晟新能源科技股份有限公司_202510937817.X
    本发明提供一种背接触异质结太阳能电池的制备方法。所述方法包括以下步骤：对硅片双面抛光清洗后， 在背面依次沉积钝化层i层、掺杂层n层、氮化硅隔离层及牺牲层；通过皮秒激光刻蚀牺牲层图形， HF酸腐蚀暴露掺杂层n层；采用碱液同步刻蚀背面开口区的钝...
    2025-11-21
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