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最新专利技术
  • 目标器件界面抗氧化方法、基于氮化物插层的抗氧化电容器及制造方法
    目标器件界面抗氧化方法、基于氮化物插层的抗氧化电容器及制造方法_中国科学技术大学_202511051857.0
    本发明公开了目标器件界面抗氧化方法、基于氮化物插层的抗氧化电容器及制造方法， 涉及微电子器件设计技术领域。本发明提供了对氮化物与氧化物的界面进行抗氧化的方式， 通过在界面处设置保护插层、并利用保护插层内的氮化物插层来阻隔氧原子从氧化物向氮化...
    2025-11-22
  • 一种铁电电容器及其制备方法、一种三维铁电存储器阵列
    一种铁电电容器及其制备方法、一种三维铁电存储器阵列_复旦大学_202511064139.7
    本发明属于微电子领域， 具体涉及一种铁电电容器及其制备方法、一种三维铁电存储器阵列， 铁电电容器包括由底至顶依次设置的衬底、底电极、铁电介质层、除氧层和顶电极；铁电介质层为Hf1‑xZrxO2层， 0
    2025-11-22
  • 一种离子二极管膜器件及制备方法
    一种离子二极管膜器件及制备方法_中国科学技术大学苏州高等研究院_202510858911.6
    本发明提供了一种离子二极管膜器件及制备方法该离子二极管膜器件包括：水凝胶层， 包括第一离子团；干态膜层， 位于水凝胶层上， 干态膜层包括第二离子团， 第二离子团能够解离出的离子浓度小于第一离子团能够解离出的离子浓度， 以在水凝胶层和干态膜层...
    2025-11-22
  • 一种基于SiC材料的半导体器件及其制造工艺
    一种基于SiC材料的半导体器件及其制造工艺_深圳辰达半导体有限公司_202511342156.2
    本发明涉及半导体器件技术领域， 具体地说， 涉及一种基于SiC材料的半导体器件及其制造工艺。其包括N+型SiC衬底、设置在衬底上且具有浓度梯度的N型复合缓冲层、位于缓冲层之上的N型漂移区、以及由第一导电类型区和第二导电类型离子注入区构成的有...
    2025-11-22
  • 一种高功率密度三极管及制备方法
    一种高功率密度三极管及制备方法_扬州扬杰电子科技股份有限公司_202511209188.5
    一种高功率密度三极管及制备方法。涉半导体技术领域。包括以下步骤：步骤S100， 在外延片内制备第一重掺杂薄基区， 在第一重掺杂薄基区区域制备第一重掺杂厚基区；步骤S200， 在第一重掺杂厚基区内制备第二重掺杂发射区；步骤S300， 在外延片...
    2025-11-22
  • 压接型IGBT电流自平衡的发射极信号回路结构和电路
    压接型IGBT电流自平衡的发射极信号回路结构和电路_华北电力大学_202510933518.9
    本发明提供了一种压接型IGBT电流自平衡的发射极信号回路结构和电路， 涉及压接型IGBT芯片技术领域， 该回路结构包括IGBT芯片， 设置第一位置、第二位置和两个接线孔的驱动信号PCB板和发射极底座， 栅极通过第一位置与其中一个接线孔电连接...
    2025-11-22
  • 半导体元件、半导体装置
    半导体元件、半导体装置_三菱电机株式会社_202510957692.7
    本发明的目的在于提供能够使Cgc/Cge的比值变大的半导体元件和半导体装置。特征在于， 具有：发射极电极， 其形成于半导体基板之上；栅极电极， 其形成于该半导体基板之上；第1导电型的漂移层， 其形成于该半导体基板之中；第1导电型的源极层， ...
    2025-11-22
  • 一种IGBT器件
    一种IGBT器件_苏州东微半导体股份有限公司_202510964353.1
    本发明属于半导体功率器件技术领域， 具体公开了一种IGBT器件， 包括n型半导体层， 以及位于n型半导体层内的：若干个依次排列的屏蔽栅沟槽， 屏蔽栅沟槽内设有屏蔽栅结构；介于相邻的屏蔽栅沟槽之间的p型体区；每个p型体区与其一侧的屏蔽栅沟槽之...
    2025-11-22
  • IGBT器件
    IGBT器件_苏州东微半导体股份有限公司_202510964367.3
    本发明属于半导体功率器件技术领域， 具体公开了一种IGBT器件， 包括：n型半导体层， 以及位于所述n型半导体层内的：若干个依次排列的屏蔽栅沟槽， 所述屏蔽栅沟槽内设有屏蔽栅结构；相邻的两个所述屏蔽栅沟槽之间设有p型体区， 一部分所述p型体...
    2025-11-22
  • 一种适用于快速连续触发的可控硅器件及其制备方法
    一种适用于快速连续触发的可控硅器件及其制备方法_上海维安半导体有限公司_202510982688.6
    本发明提供一种适用于快速连续触发的可控硅器件及其制备方法， 属于可控硅技术领域， 包括：至少一个第一分立器件组， 包括多个第一分立器件， 每个第一分立器件均包括第一掺杂区以及第二轻掺杂区和第三重掺杂区， 第一掺杂区形成于衬底中， 第二轻掺杂...
    2025-11-22
  • 栅控晶闸管以及内容可寻址存储器阵列
    栅控晶闸管以及内容可寻址存储器阵列_旺宏电子股份有限公司_202410501021.5
    本发明提供一种栅控晶闸管与内容可寻址存储器阵列。栅控晶闸管包括：第一、第二与第三晶体管， 其分别具有控制端、第一端与第二端。第一与第三晶体管的控制端连接至搜寻线。第二晶体管的控制端连接至固定偏压， 第二端连接至第一晶体管的第一端。第三晶体管...
    2025-11-22
  • 半导体装置与其制造方法
    半导体装置与其制造方法_鸿扬半导体股份有限公司_202410453649.2
    一种制造半导体装置的方法包含在漂移层中形成遮蔽区、阱与源极区， 其中源极区在阱上， 遮蔽区的顶部低于阱的底部， 且遮蔽区的至少一部分不与阱重叠， 在漂移层中形成沟槽， 沟槽暴露遮蔽区， 在沟槽的侧壁与底部形成栅极介电层， 其中沿着源极区的栅...
    2025-11-22
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410460554.3
    一种半导体结构的形成方法， 包括：提供基底；在基底上形成凸立的沟道凸起结构， 沟道凸起结构包括含有第一元素的第一牺牲层， 以及位于第一牺牲层上的沟道叠层， 沟道叠层包括含有第二元素的第二牺牲层、以及位于第二牺牲层上的沟道层， 第一元素的化学...
    2025-11-22
  • 全包围栅极晶体管的形成方法
    全包围栅极晶体管的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410488879.2
    一种全包围栅极晶体管的形成方法， 方法包括：提供基底， 所述基底包括第一区和第二区， 所述第一区和第二区的基底顶部凸立有叠层结构， 所述第一区和第二区的相邻所述叠层结构之间形成有第一开口， 所述第一区和第二区交界处的相邻所述叠层结构之间形成...
    2025-11-22
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410488942.2
    一种半导体结构的形成方法， 方法包括：提供基底；在基底上形成间隔堆叠设置的沟道层、位于相邻沟道层之间以及最底部的沟道层和基底之间的第一牺牲层、以及位于第一牺牲层和沟道层之间的第二牺牲层；在基底上形成横跨沟道层、第一牺牲层和第二牺牲层的栅极结...
    2025-11-22
  • 具有重结晶源极/漏极区域的半导体器件及其制造方法
    具有重结晶源极/漏极区域的半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510035206.6
    本公开涉及具有重结晶源极/漏极区域的半导体器件及其制造方法。本公开的实施例提供了一种用于形成包括重结晶源极/漏极区域的半导体器件的方法。重结晶源极/漏极可以在外延工艺之后通过高温处理来形成。
    2025-11-22
  • 半导体装置及其形成方法
    半导体装置及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510656701.9
    本公开提供一种半导体装置的形成方法， 包括：在一半导体基底的顶表面上形成一半导体鳍部， 其中前述半导体鳍部包括交替配置的第一半导体层和第二半导体层；形成穿过前述半导体鳍部并进入前述半导体基底的一凹槽；在前述凹槽中形成一底部隔离层， 包括沉积...
    2025-11-22
  • 晶体管结构
    晶体管结构_钰创科技股份有限公司_202510686608.2
    本发明公开了一种晶体管结构。所述晶体管结构包含一半导体基底、一栅极结构、一信道区、一第一导电区以及一第一隔离区。所述半导体基底具有一半导体表面。所述栅极结构具有一长度。所述第一导电区电耦接所述通道区。所述第一隔离区位于所述第一导电区旁边。所...
    2025-11-22
  • 一种内侧墙的形成方法
    一种内侧墙的形成方法_中国科学院微电子研究所_202510747532.X
    本发明提供一种内侧墙的形成方法， 包括：在所述衬底上形成包含牺牲层和沟道层交替堆叠的叠层结构；在所述叠层结构内， 形成鳍式有源区和浅槽隔离结构；在所述鳍式有源区内， 形成伪栅结构， 并在所述伪栅结构的两侧形成牺牲侧墙， 并在所述鳍式有源区内...
    2025-11-22
  • 制造半导体结构的方法、以及半导体结构
    制造半导体结构的方法、以及半导体结构_台湾积体电路制造股份有限公司_202510903882.0
    形成第一半导体层和第二半导体层的堆叠件。第一半导体层各自具有第一材料组成。第二半导体层各自具有不同于第一材料组成的第二材料组成。堆叠件中的第一半导体层和第二半导体层交错。用多个介电层替换第二半导体层。在第一半导体层的相对侧上形成源极/漏极部...
    2025-11-22
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