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  • 本发明属于卸载磁带技术领域,公开快速无等待卸载磁带方法及系统,该方法包括:根据管理员预先下发的卷带指令,驱动器执行磁带卷回操作,并实时监测磁带卷回状态,以判断磁带是否完成卷带操作;基于判断结果,生成卷带完成信号,并依据卷带完成信号控制机械手...
  • 本发明涉及大数据信息管理设备技术领域,且公开了一种大数据管理存放设备,该大数据管理存放设备,包括柜体,所述柜体的正面内壁上铰接有门板,所述柜体的正面内壁上滑动安装有放置屉,所述放置屉的内部设置有拿取组件。该大数据管理存放设备,通过设置有拿取...
  • 本发明公开一种高防护的芯片防火盒,包括:封装壳,设置在所述封装壳内的核心盒,设置在核心盒与封装壳之间的防火棉层,设置在所述核心盒内的芯片防护盒,安装在所述芯片防护盒内的芯片,与所述芯片电连接的柔性线路板;所述柔性线路板穿过所述芯片防护盒、核...
  • 本发明公开了一种用于计算机网络安全的数据储存装置,属于计算机数据存储技术领域,包括下壳体及通过螺栓固定于其上的上壳体,所述上壳体的上表面及下壳体的外侧面均设置有凹通槽,且上壳体和下壳体上的凹通槽内均设置有用于散热的条形气孔,上壳体和下壳体均...
  • 本发明涉及信息存储装置技术领域,具体公开了一种城乡规划信息化存储设备,包括:存储机构,存储机构包括存储设备主体,存储设备主体包括有显示模块、操控模块以及数据接口模块,收纳机构,收纳机构包括设置在存储设备主体下表面的支腿,支腿上插接有第一活动...
  • 本申请实施例提出一种内容寻址寄存器及其操作方法、处理器和存储器系统。该内容寻址寄存器包括:每条字线和位线总线耦接的多个存储单元;时序控制电路,被配置为:根据接收的总线命令,确定工作模式并产生相应工作模式下的控制信号;工作模式包括读取模式、写...
  • 本发明实施例公开一种内存控制器、内存训练方法及处理器,涉及计算机技术领域,能有效缩短内存训练的时长,提高系统性能。所述内存控制器包括:获取模块,用于获取多个延时扫描点,所述延时扫描点为内存训练中对数据信号进行延时调整时需要扫描到的时间点;分...
  • 本发明将ISPP算法应用于RRAM存储芯片读写电路,结合温度检测并利用FPGA可编程性特点,结合模数转换器(ADC),数模转换器(DAC)及相关外围硬件电路,搭建硬件平台对RRAM存储芯片进行读操作与写操作。为了在保证写入数据准确性的同时提...
  • 本申请涉及一种数据存储器。其中一个方面的数据存储器包括:输入触发电路,用于接收外部写入数据;FIFO电路,用于接收输入触发电路传递的写入数据,可以在实现先进先出结构的基础上减小数据写入延迟。
  • 本申请案涉及存储器装置及其操作方法。在一个实例中,根据所描述技术的存储器装置可包含存储器阵列、感测放大器阵列及信号开发高速缓冲存储器,所述信号开发高速缓冲存储器经配置以存储与可存储于所述存储器阵列处(例如,根据各种读取或写入操作)的逻辑状态...
  • 本申请实施例提供一种存储器装置及其操作方法。其中,存储器装置包括:存储单元阵列;控制逻辑电路,与存储单元阵列耦接,被配置为,接收命令地址信号,在第一时刻输出第一控制信号;以及,在第二时刻输出第二控制信号;第一时刻不同于第二时刻;时钟生成电路...
  • 本申请提供一种占空比检测装置及随机存储器,占空比检测装置包括:占空比检测模块被配置为在执行校准过程中接收校准时钟信号并对校准时钟信号执行占空比检测得到占空比检测结果;调节控制模块连接占空比检测模块,调节控制模块被配置为在执行校准过程中基于占...
  • 一种半导体装置可包括:第一存储器单元阵列,其包括第一源极线、第一位线、第一存储器串和第一字线;第二存储器单元阵列,其包括第二源极线、第二位线、第二存储器串和第二字线;第一互连结构,其包括穿过第一存储器单元阵列并且共同连接到第一位线和第二位线...
  • 本公开涉及针对存储器装置中的命令队列的读取时间开销和电力优化。一种装置包含:存储器单元阵列,其具有耦合到所述阵列的至少一个子集的第一字线;队列;和控制逻辑。所述控制逻辑:检测从所述子集的第一页读取第一数据的第一读取命令;存取所述队列中的第二...
  • 本发明公开了一种参考电阻动态调整方法、装置、设备及可读存储介质,应用于存储器技术领域,包括:读取第一子阵列;第一子阵列初始为全0矩阵;确定第一子阵列的失效位元数是否大于第一限定值;当确定第一子阵列的失效位元数大于第一限定值时,确定增大参考电...
  • 本发明提供一种差分位元的读取电路,包括:差分位元,包括成对设置的存储位元和参考位元;串联的参考电阻和第三MOS管,参考电阻的第二端通过第三MOS管接地;电流源电路,用于产生大小相同的第一读电流、第二读电流和参考电流;电压型灵敏放大器,第一输...
  • 本公开涉及存储技术领域,具体涉及一种双工艺存储单元及其制备方法、双工艺存储单元阵列、双工艺存储器和芯片。双工艺存储单元包括基于两种不同工艺的第一存储单元和第二存储单元。第一存储单元的抗磁场干扰能力小于第二存储单元,抗擦写能力大于第二存储单元...
  • 本申请提供了一种存储单元、存储阵列、存储器及电子设备,存储阵列可以包括:多个存储单元、位线、板线、以及多条第一字线。每一个存储单元包括:存储电容、选通元件和防串扰元件。选通元件的第一控制极与第一字线电连接,选通元件的第一极与防串扰元件的第二...
  • 本公开提供了用于管理半导体装置中的字线的系统、装置和方法。在一方面,半导体装置包括多个块。每个块包括多行存储器单元。每行存储器单元沿第一方向延伸。存储器单元包括具有沿垂直于第一方向的第二方向延伸的栅极的晶体管。半导体装置还包括多条字线。字线...
  • 本申请实施例公开一种内存控制系统、高速内存信号线训练方法及设备,涉及计算机内存技术领域,可以获得接近实际工作状态时的信号眼图。内存控制系统包括:内存控制器,配置为在训练存储颗粒进入可读写状态之后,通过至少一条高速内存信号线发送读写指令信号至...
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