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  • 本发明涉及真空镀膜领域,公开了一种显示屏真空镀膜机,包括镀膜室,镀膜室底部设有镀膜装置本体,所述镀膜室内设有镀件承载室,镀件承载室内设有由隔板隔开并对应设置的镀件室,镀件承载室两端均设有可拆卸的端盖件,端盖件上设有能使端盖件固定于镀件承载室...
  • 本发明涉及磁控溅射设备维护技术领域,具体涉及一种磁控溅射真空镀膜腔室内气管除尘清洁装置,用于对真空腔室进行除尘清洁,包括工业吸尘器,所述清洁气管滑动设置在真空腔室内部的底部上,且清洁气管上开设有多个吸气孔,所述驱动机构设置在真空腔室的内部,...
  • 本发明公开了一种筒状石墨基座内壁的抗热震复合涂层及其制备方法,抗热震复合涂层,设在筒状石墨基体内壁,筒状石墨基体内侧由外向内依次设置纳米碳/TiC复合过渡层、Ta过渡层和TaC保护层;纳米碳/TiC复合过渡层、Ta过渡层和TaC保护层的线膨...
  • 本发明涉及半导体材料制备的技术领域,提供一种制备高导热碳化硅涂层的方法。该方法采用两次化学气相沉积工艺,在基体表面依次沉积第一碳化硅涂层和第二碳化硅涂层;其中,第一碳化硅涂层中碳化硅的晶粒尺寸为Aμm,第二碳化硅涂层中碳化硅的晶粒尺寸为Bμ...
  • 本公开提供能提高结晶性的氮化物半导体基板的制造方法。氮化物半导体基板的制造方法具有以下工序:在第一温度的基板之上形成包含铝的第一氮化物半导体层;使所述基板和所述第一氮化物半导体层的温度变化为比所述第一温度高的第二温度;以及在所述第二温度的所...
  • 本发明涉及一种硅碳负极材料气相包覆设备。包括机座、提升装置、前端密封旋转接头、检修及泄爆装置、驱动装置、炉管组件、前端振动装置、冷却系统、温度探测装置、加热系统、后端振动装置以及后端密封旋转接头;提升装置安装在机座底部;炉管组件两端分别连接...
  • 本发明涉及单壁碳纳米管制备技术领域,尤其涉及一种化学气相沉积反应器、FCCVD反应装置和单壁碳纳米管的批量连续化制备方法。本发明通过优化反应器的结构,进而优化反应器内部的流场,实现气体均匀分布,保持催化剂颗粒的原位生长以及粒径大小的均一性。...
  • 本发明提供一种薄膜的制备方法,包括:提供衬底,采用化学气相沉积工艺在衬底上沉积第一层薄膜;采用量测机台量测第一层薄膜不同位置处的厚度,得到第一层薄膜的厚度分布;根据厚度分布将第一层薄膜分为多个区域;计算每个区域采用原子层沉积工艺沉积到目标厚...
  • 本发明公开了一种气体分配与混气机构及其薄膜沉积设备,机构包括:进气块、分气块和混气盘,进气块上设有中心进气孔、第一进气通道和第二进气通道,第一进气通道的第一出气口和第二进气通道的第二出气口延伸至进气块的底面,第一出气口和第二出气口交叉分布且...
  • 本发明提供了一种分气装置、一种半导体器件的加工设备,以及一种半导体器件的加工方法。所述分气装置包括进气管路和分气腔。所述分气装置还包括:多条分气支路,连接所述分气腔,以获得各分气支路的支路气体;以及流阻调节件,设于所述各分气支路中,以连接所...
  • 本发明公开了一种等离子体增强原子层沉积装置,包括:腔盖,腔盖上设置有喷淋头和喷气头;腔体,腔体包括底壁和侧壁,底壁和侧壁围成空腔,腔盖盖合到腔体上封闭空腔;晶圆转盘,晶圆转盘可转动地设置在腔体内,晶圆转盘上设置有多个载台,每个载台上设置有多...
  • 本发明公开了一种PECVD用的面板定位机构,其中面板上具有标记点,定位机构包括固定平台、移动平台、底座组件、驱动组件和CCD机器视觉检测系统,固定平台用于支撑面板,设置有与面板上面板标记点对应的第一定位孔;移动平台设置于固定平台的上方并能够...
  • 本发明公开一种沉积成膜设备、等离子体增强工艺设备及支撑组件,其中,该支撑组件应用于沉积成膜设备或等离子体增强工艺设备中,包括支撑管、电极杆和电极连接部,所述电极杆的至少部分插接装配于所述支撑管内部,所述支撑管的管壁设置有插接孔,所述电极连接...
  • 本发明提供了一种加热盘、工艺腔室,以及加热盘控制方法。所述加热盘包括加热丝及第一滤波回路。所述加热丝连接工频电源,所述工频电源向所述加热丝提供工频信号,以对所述加热丝加热。第一滤波回路第一端连接所述加热丝,其第二端接地,用于阻断所述工频信号...
  • 本发明公开了具备自适应调谐功能的微波等离子体化学气相沉积方法,包括反应腔及设置的调节机构、集气机构和充气机构,调节机构通过电机、蜗杆、蜗轮、双向螺杆驱动第一套管与第二套管带动样品台进行抬升;当双向螺杆到达极限位置而样品台中心与边缘位置温差仍...
  • 本发明公开了一种用于半导体制造设备的加热模组控制方法,半导体制造设备包括腔室、基座和加热模组,腔室限定一内部容积,基座设置于内部容积中,用于承载和旋转晶圆;加热模组设置于内部容积外部,用于加热晶圆;加热模组包括多个围绕内部容积设置的灯组;方...
  • 本发明涉及半导体制造加工技术领域,具体涉及一种半导体设备真空铝腔体表面处理方法,包括以下制备步骤:S1、使用清洗剂对真空铝腔体进行清洗;S2、将清洗后的真空铝腔体置于强氧化剂溶液中;S3、将磨料喷射至真空铝腔体表面进行抛光处理,得到粗磨真空...
  • 本发明公开了一种Al1‑xScxN薄膜及其制备方法和应用,属于新型半导体材料技术领域。本发明提供的Al1‑xScxN薄膜的制备方法,包括以下步骤:S1.以铝盐和钪盐的混合有机溶液为原料制得溶胶;S2.将所述溶胶在基底上涂覆并热处理,得中间薄...
  • 本申请涉及一种用于化学镀铜的催化剂溶液。本申请的催化剂溶液中添加了抗氧化剂,即使为中浓度干浴比的钯,也能表现出优异的催化性能,且原溶液不会随时间而发生变化,应用于镀覆现场时也可长期确保干浴液的寿命和镀覆可靠性。
  • 本发明属于钨丝加工生产技术领域,具体的说是一种光伏钨丝表面镀铜生产设备及其工艺,包括槽体,所述槽体内安装有导向辊和压线导辊;所述槽体内安装有左、右安装板,所述安装板之间安装有分配板,所述分配板上开设有通孔,所述分配板上安装有多组间隔板,所述...
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