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最新专利技术
  • 一种蓝绿双波外延结构及其生长方法
    一种蓝绿双波外延结构及其生长方法_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202511853320.6
    本发明公开了一种蓝绿双波外延结构及其生长方法，该方法旨在解决现有技术中蓝光阱晶体质量差、整体发光强度低及蓝绿峰强比不可控的问题。该方法包括：在N型GaN层上生长高温前级阱；在高温前级阱上生长第一有源区；在第一有源区上生长应力释放层；在应力释...
    2026-03-22
  • 一种高晶体质量发光二极管外延片及其制备方法
    一种高晶体质量发光二极管外延片及其制备方法_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202511853349.4
    本发明公开了一种高晶体质量发光二极管外延片及其制备方法，该方法包括：在衬底上沉积缓冲层后、沉积三维成核层之前，对所述缓冲层在包含H2和NH3且不含N2的气氛中，于低压及高温条件下进行高温重结晶处理；随后，在同样不含N2的气氛中依次沉积低温三...
    2026-03-22
  • 一种倒装封装支架制作方法
    一种倒装封装支架制作方法_东莞市春瑞电子科技有限公司_202511926054.5
    本发明公开了一种倒装封装支架制作方法，包括基板和一体成型的碗杯片；第一步，在基板的表面形成若干焊盘单元，每个焊盘单元中包含有若干功能焊盘，位于焊盘单元的底部形成若干引脚与功能焊盘连通；第二步，制作碗杯片，每个碗杯片中包含有若干杯体；第三步，...
    2026-03-22
  • 一种薄膜微型二极管的制备方法及薄膜微型二极管
    一种薄膜微型二极管的制备方法及薄膜微型二极管_厦门大学_202511954042.3
    本发明公开了一种薄膜微型二极管的制备方法及薄膜微型二极管，应用于微型二极管技术领域，包括：设置纳米图形衬底；纳米图形衬底基于设置的纳米柱形成有顶层部和底层部，基于激光剥离工艺的激光照射至顶层部的能量密度与照射至底层部的能量密度之间的差值，不...
    2026-03-22
  • 一种改进的AlGaN/h-BN多量子阱结构的深紫外LED及其制备方法
    一种改进的AlGaN/h-BN多量子阱结构的深紫外LED及其制备方法_深圳市湾众亿鑫科技有限公司_202511695679.5
    本发明公开了一种改进的AlGaN/h‑BN多量子阱结构的深紫外LED及其制备方法，涉及半导体光电子器件制备技术领域，深紫外LED包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、n‑型AlxGa1‑xN层、AlyGa1‑yN/h‑BN多量子阱层、p‑型A...
    2026-03-22
  • 高抗水解LED外延片及其制备方法
    高抗水解LED外延片及其制备方法_佛山市国星半导体技术有限公司_202511721538.6
    本发明公开了一种高抗水解LED外延片及其制备方法，所述高抗水解LED外延片包括衬底和依次层叠于所述衬底上的缓冲层、3D GaN层、U型GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；其中，所述U型GaN层包括依次层...
    2026-03-22
  • 一种高发光效率LED外延结构及其制备方法
    一种高发光效率LED外延结构及其制备方法_江西兆驰集成科技有限公司_202511847132.2
    一种高发光效率LED外延结构及其制备方法，该LED外延结构包括衬底，以及在衬底上依次层叠的缓冲层、N型半导体层、低温应力释放层、复合多量子阱发光层、电子阻挡层和P型半导体层；复合多量子阱发光层包括由下至上依次层叠生长的N型多量子阱发光层、混...
    2026-03-22
  • GaN基蓝绿光LED外延结构及其制备方法、GaN基蓝绿光LED
    GaN基蓝绿光LED外延结构及其制备方法、GaN基蓝绿光LED_佛山市国星半导体技术有限公司_202511868178.2
    本发明公开了一种GaN基蓝绿光LED外延结构及其制备方法、GaN基蓝绿光LED，GaN基蓝绿光LED外延结构包括衬底和依次层叠于所述衬底上的缓冲层、3D层、U‑GaN层、N‑GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P‑GaN层；其中，所述多量子阱...
    2026-03-22
  • 一种提高亮度和抗静电能力的LED外延结构及其制备方法
    一种提高亮度和抗静电能力的LED外延结构及其制备方法_佛山市国星半导体技术有限公司_202511883693.8
    本发明涉及发光二极管的技术领域，公开了一种提高亮度和抗静电能力的LED外延结构及其制备方法。提高亮度和抗静电能力的LED外延结构包括依次设置的缓冲层、N型AlGaN层、N型GaN层、多量子阱层、末量子阱层、末量子垒层、P型InAlGaN层、...
    2026-03-22
  • 发光二极管及其制备方法、发光基板及其驱动方法、驱动装置和发光设备
    发光二极管及其制备方法、发光基板及其驱动方法、驱动装置和发光设备_京东方科技集团股份有限公司_202411216704.2
    本公开实施例提供一种发光二极管及其制备方法、发光基板及其驱动方法、驱动装置和发光设备。发光二极管包括：第一外延结构，包括依次叠层设置的第一N型掺杂半导体层、第一多量子阱层和第一P型掺杂半导体层，还包括第一金属层，第一N型掺杂半导体层包括叠层...
    2026-03-22
  • 一种基于氮化硅与氮化镁复合结构的GaN基P型欧姆接触结构及其制备方法
    一种基于氮化硅与氮化镁复合结构的GaN基P型欧姆接触结构及其制备方法_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202511694913.2
    本发明公开了一种基于氮化硅与氮化镁复合结构的GaN基P型欧姆接触结构及其制备方法，该欧姆接触结构设置于P型GaN层之上，包括一个SiN/MgN复合结构。所述SiN/MgN复合结构由1‑3个周期的SiN层和MgN层堆叠而成；其中SiN层厚度为...
    2026-03-22
  • 一种光芯片及显示设备
    一种光芯片及显示设备_华为技术有限公司_202411198062.8
    本申请提供一种光芯片及显示设备，光芯片可以包括衬底、以及分别设于衬底之上的多个半导体叠层结构、多个第一电极、第二电极和第一绝缘层；第一电极位于半导体叠层结构与衬底之间，任意相邻两个半导体叠层结构之间具有沟槽；第二电极包括至少一个本体和多个延...
    2026-03-22
  • 一种Mini-LED芯片及其制备方法、发光设备
    一种Mini-LED芯片及其制备方法、发光设备_江西乾照光电有限公司_202610046249.9
    本发明提供了一种Mini‑LED芯片及其制备方法、发光设备，涉及LED技术领域。该Mini‑LED芯片中键合层、第一原子级钝化层、第二原子级钝化层和绝缘保护层构建了一个无缝、连续的三维共形包覆结构，完成对外延结构的全面包覆，基于第一原子级钝...
    2026-03-22
  • 一种LED发光器件及制备方法
    一种LED发光器件及制备方法_江西省兆驰光电有限公司_202511861307.5
    本发明公开了一种LED发光器件及制备方法，该LED发光器件包括：基板、LED芯片、荧光胶层、透明胶层以及白胶遮光层；基板两侧分别设有倒角，LED芯片粘结于基板的水平面上与倒角形成容置空间，荧光胶层填充至容置空间内并完全覆盖LED芯片形成半椭...
    2026-03-22
  • 一种白光LED导热杯状封装结构及其制备方法
    一种白光LED导热杯状封装结构及其制备方法_东华大学_202511530586.7
    本发明涉及一种白光LED导热杯状封装结构及其制备方法，包括基板、LED芯片组、封装支架、导热杯状层与荧光转换层；其中，所述LED芯片组的电极面焊接或键合于基板；所述LED芯片组除出光面外的其余侧面设置有导热杯状层；所述导热杯状层的底部与基板...
    2026-03-22
  • 一种光芯片及显示设备
    一种光芯片及显示设备_华为技术有限公司_202411196493.0
    本申请提供一种光芯片及显示设备，光芯片包括：衬底、以及分别设于衬底之上的多个半导体叠层结构、多个第一电极和功能结构件；第一电极位于对应半导体叠层结构与衬底之间，任意相邻两个半导体叠层结构之间具有沟槽；功能结构件包括多个反射部件、至少一个第二...
    2026-03-22
  • 一种发光芯片、显示模组及电子设备
    一种发光芯片、显示模组及电子设备_华为技术有限公司_202411196611.8
    本申请提供一种发光芯片、显示模组及电子设备，发光芯片包括：衬底、多个发光器件和吸光结构。各发光器件分立设置于衬底之上，且相邻的发光器件之间设置有沟槽。吸光结构位于沟槽背离衬底的一侧，且吸光结构位于相邻的发光器件之间的位置。在本申请中，吸光结...
    2026-03-22
  • 基于低温焊接浆料的LED倒装芯片的封装结构以及封装方法
    基于低温焊接浆料的LED倒装芯片的封装结构以及封装方法_湖北中思微光电有限公司_202511861170.3
    本发明公开一种基于低温焊接浆料的LED倒装芯片的封装结构以及封装方法，封装结构包括LED芯片，包括电极面，所述电极面上具有两个电极；荧光胶膜，包覆在所述LED芯片外，且所述电极面上的荧光胶膜与所述电极的端面持平形成共面；低温焊接浆料层，分别...
    2026-03-22
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_泉州三安半导体科技有限公司_202512058353.8
    本申请提供一种发光二极管及发光装置，发光二极管中电极结构的上表面具有开口部，电极结构具有分界线位于所述开口部的底部区域内的第一部分及第二部分，上述第一部分的金属连续性优于第二部分的金属连续性，即第一部分的金属膜层的完整性优于第二部分的金属膜...
    2026-03-22
  • 基于LED发光颜色的配比参数确定方法
    基于LED发光颜色的配比参数确定方法_江西省晶能半导体有限公司_202411270113.3
    本发明提供一种基于LED发光颜色的配比参数确定方法，包括：获取一色温条件下第一荧光膜片的第一配比参数，第一荧光膜片在蓝光LED芯片的激发下发出第一颜色的光；第一荧光膜片由硅胶和至少一种荧光粉混合制备而成；对第一配比参数进行调整得到第二配比参...
    2026-03-22
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