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  • 一种中红外透明兼容电磁屏蔽薄膜的制备方法,本发明的目的是要解决常规的透明导电氧化物在可见光波段具有良好的透过率,但在中红外的透过率较差的问题。制备方法:一、使用氧化铟靶材和铈掺杂氧化铟靶材;二、加热蓝宝石衬底,控制氧化铟靶材的射频电源功率为...
  • 本发明提供了一种科琴黑负载高熵合金防腐涂层及其制备方法与应用,涉及表面改性涂层技术领域。所述科琴黑负载高熵合金防腐涂层的制备方法包括以下步骤:对基体材料表面进行预处理后涂覆一层碳胶得到碳胶过渡层;将科琴黑粉末与甲醇混合后涂覆在碳胶过渡层表面...
  • 本申请提供一种用于磁控溅射的多自由度平台,涉及磁控溅射设备领域,其包括平台本体,平台本体包括底座、支撑板、载物盘和多个样品台,支撑板倾角可调地架设在底座上,载物盘转动罩设在支撑板上,多个样品台沿载物盘的周向均匀分布于载物盘上,样品台底部设置...
  • 本发明公开了一种适用于细长管材内壁溅射镀膜的分段式丝状靶材,其包括导电丝及多个套设在导电丝上的中间带通孔的圆柱状靶材单元。本发明提供的分段式丝状靶材的细长结构使其能够更好地适应小口径管件的内部空间,尤其适用于小口径及大长径比管件的内壁镀膜,...
  • 本发明公开了一种磁导率宽频可调薄膜,它包含若干个磁控溅射交替沉积的FeCo磁性层‑镍磁性层‑介质层耦合层,所述耦合层中,各功能层的单层厚度为100 nm以下;FeCo的化学计量式为FexCo100‑x;FeCo磁性层和镍磁性层中,晶粒尺寸小...
  • 本申请公开了一种磁控溅射卷绕镀膜机,属于磁控溅射镀膜技术领域。磁控溅射卷绕镀膜机包括:真空系统,形成真空腔室;卷绕系统,安装于真空腔室,用于传输柔性基材;磁控溅射装置,安装于真空腔室,包括多个磁控溅射组件,磁控溅射组件包括靶材和磁极,且同一...
  • 本申请提供了一种疏水层及其制备方法、疏水复合层、制品。本申请疏水层的制备方法包括:在氮源存在条件下,采用直流磁控溅射和射频磁控溅射在结合层表面共沉积形成疏水层;所述直流磁控溅射的靶材包括Zr、Ti、Cr、Ta及其复合物中的一种或多种;所述射...
  • 本发明涉及固态电解质技术领域,尤其涉及一种用于制备薄膜锂电池的磷酸锂固态电解质靶材及制备方法,包括以下步骤:S1、通过水热法合成四方相钛酸钡纳米颗粒作为内核;S2、采用溶胶‑凝胶法在内核表面包裹锂铝钛磷酸盐前驱体,经热处理后形成具有中间壳层...
  • 本申请涉及表面涂层技术领域,具体公开了一种PVD靶材及其应用。一种PVD靶材,按质量百分比计,所述PVD靶材由10‑30%的硅和余量的金属组成,所述金属包括铬、锆或钛中的一种或几种。本申请提供的PVD靶材在经过物理气相沉积后能够在金属基材表...
  • 本发明一种磁性过滤式CBD镀膜机,包括八角炉,八角炉上设置有一组弧源A、一组弧源B、一组弧源C、一组弧源D;一组弧源A,连通20‑30A电流,用做打底执行模块;一组弧源B,连通80‑100A电流,用做粗型镀膜执行模块;一组弧源C,连通300...
  • 本发明磁性过滤式CBD镀膜方法,流程为:1)一组弧源A连通20‑30A电流,用做打底,时间30‑40min,形成打底层;2)一组弧源B连通80‑100A电流,进行粗镀膜,镀膜时间20‑40min,形成粗镀膜层;3)一组弧源B、一组弧源C同时...
  • 本发明公开一种用于非线性饱和吸收体的晶圆级二碲化钯‑二硒化钯垂直异质结薄膜的制备方法及其应用。该材料的结构由上至下依次为二碲化钯薄膜与二硒化钯薄膜,该晶圆级二维二碲化钯‑二硒化钯薄膜垂直异质结采用电子束蒸发镀膜辅助的化学气相沉积技术制备。实...
  • 本发明公开了一种耐腐蚀蒸发舟及其制备方法,涉及真空镀膜技术领域。包括以下步骤:将普通蒸发舟放入真空反应室内部,抽真空后,引入铝源和氮源,设置温度为800~1500℃,通过化学气相沉积,镀上一层AIN致密膜,得到耐腐蚀蒸发舟;所述铝源为三甲基...
  • 本申请实施例提供了一种蒸镀组件、蒸镀组件的温度控制方法和装置以及蒸镀设备,属于真空镀膜技术领域。该蒸镀组件包括:坩埚,坩埚内设置有放置蒸镀材料的腔室,盖体,盖体用于盖合坩埚的开口;喷嘴,喷嘴设置于盖体上,用于将气化的蒸镀材料排放;至少一路加...
  • 本发明公开了一种复合陶瓷涂层制备方法及蒸发舟包括以下步骤:S1:在舟基底上设置第一掩膜,将槽底覆盖保护避免制备上涂层;S2:在舟基底表面制备结合层;S3:在结合层表面制备第一绝缘层;S4:撤去第一掩膜,设置第二掩膜,第二掩膜覆盖区域比第一掩...
  • 一种氢化锂表面真空镀膜装置及方法,包括以下步骤:S1:氢化锂工件预处理;S2:真空装料与置换;S3:等离子清洗活化;S4:硅烷偶联剂蒸镀;S5:PC气象沉积镀膜;本发明通过优化气相沉积过程,采用等离子清洗、偶联剂蒸镀及Parylene C(...
  • 本发明涉及激光器技术领域,提供了一种半导体激光器腔面镀膜方法和芯片。方法包括:在对激光器芯片的前腔面进行预清洗后,在激光器芯片的前腔面蒸镀前保护层;将激光器芯片翻转至后腔面,对激光器芯片的后腔面进行预清洗后,在激光器芯片的后腔面蒸镀后保护层...
  • 本发明提供了一种金属二硫化物复合薄膜及其制备方法和应用,属于复合薄膜技术领域。本发明提供的金属二硫化物复合薄膜的制备方法,包括以下步骤:将金属二硫化物粉末与螯合剂混合,进行冷压成型,得到复合成型体;所述复合成型体中螯合剂的质量含量为0.1~...
  • 本发明涉及一种辐射制冷膜及其制备方法和应用,所述制备方法包括以下步骤:在透明衬底上依次层叠设置多个掩膜板,掩膜板具有阵列分布的多个开孔,其中,任意两个掩膜板的开孔数量相等且位置相互对应;在气相沉积开始时,多个掩膜板重叠放置,随着气相沉积进行...
  • 本申请涉及一种掩模板及其制备方法,掩模板包括基板和孤岛,基板上开设有第一像素开口和第二像素开口,孤岛设置于基板厚度方向上的一侧,孤岛包括第一孤岛和第二孤岛,第一孤岛在垂直于厚度方向的平面上的正投影位于相邻两个第一像素开口在垂直于厚度方向的平...
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