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最新专利技术
  • 用于熔融纺丝设备的供给操作中的压缩空气控制方法
    用于熔融纺丝设备的供给操作中的压缩空气控制方法_欧瑞康纺织有限及两合公司_202510657711.4
    本发明涉及一种用于熔融纺丝设备的供给操作中的压缩空气控制方法，熔融纺丝设备(1)用于挤出合成长丝(F)，自动卷绕设备(2)用于卷绕所述合成长丝(F)，其中，在熔融纺丝设备(1)处的收集操作中以及在卷绕设备(2)处的供给操作中的预定时间点和/...
    2025-12-01
  • 一种阻燃纳米纤维的连续成形加工制备方法
    一种阻燃纳米纤维的连续成形加工制备方法_中原工学院_202510944637.4
    本发明公开了一种阻燃纳米纤维的连续成形加工制备方法，包括：通过将三聚氰胺、三聚氰胺磷酸盐和三聚氰胺氰酸盐按照一定比例混合，得到阻燃剂；将阻燃剂、聚丙烯腈与N‑二甲基甲酰胺混合并加热得到纺丝液；将纺丝液与改性SiO2超声分散后，过滤得到改性纺...
    2025-12-01
  • 絮状纳米纤维静电纺丝设备
    絮状纳米纤维静电纺丝设备_云帆(天津)仪器有限公司_202410602021.4
    本发明提供了一种絮状纳米纤维静电纺丝设备，包括一内盛有纺丝溶液的溶液盒，所述溶液盒内设有纺丝电极，所述溶液盒为一侧遮挡而另一侧开口的侧开口结构；其侧开口位正对一个纤维收集装置，所述纤维收集装置包括金属导流件，所述金属导流件具有可将流体由高位...
    2025-12-01
  • 一种ES复合纤维生产用混配装置及方法
    一种ES复合纤维生产用混配装置及方法_闽瑞实业控股(江苏)有限公司_202510912837.1
    本发明公开了一种ES复合纤维生产用混配装置及方法，包括：混合罐和支撑架，所述混合罐转动安装在支撑架上，所述混合罐的内壁固定连接有分隔板，所述混合罐的内壁转动连接有固定杆，所述混合罐上安装有动力装置。本发明通过熔融罐对原材料进行熔融，而且能对...
    2025-12-01
  • 一种超临界纺丝溶液及其应用
    一种超临界纺丝溶液及其应用_广东金发科技有限公司_202511032005.7
    本发明公开了一种超临界纺丝溶液及其应用，属于材料技术领域，该溶液通过以有机溶剂和超临界溶剂进行复配，同时引入静电增强剂作为改性成分，在进行静电辅助高压喷射纺丝制备纤维材料时可以有效简化操作难度，同时基于成核和气化作用，有效提升纤维的品质和均...
    2025-12-01
  • 构建纳米抗体编码DNA文库的方法及应用
    构建纳米抗体编码DNA文库的方法及应用_广州国家实验室_202510004796.6
    本发明涉及纳米抗体编码DNA文库的构建方法，所述方法包括：使用免疫原对动物的外周血单个核细胞(PBMC)进行筛选以获得与所述免疫原特异性结合的阳性细胞；以及对源自所述阳性细胞的核酸样本进行扩增，从而得到所述纳米抗体的编码DNA文库；其中所述...
    2025-12-01
  • 一种氧化镓半绝缘衬底的制备方法及氧化镓半绝缘衬底
    一种氧化镓半绝缘衬底的制备方法及氧化镓半绝缘衬底_深圳大学_202510917243.X
    本发明公开了一种氧化镓半绝缘衬底的制备方法及氧化镓半绝缘衬底，通过对氧化镓单晶衬底进行质子辐照处理，以在氧化镓单晶衬底引入晶格缺陷，对已引入晶格缺陷的氧化镓单晶衬底进行退火处理，得到氧化镓半绝缘衬底。即本技术方案采用质子辐照工艺在氧化镓单晶...
    2025-12-01
  • 碳化硅衬底的制备方法、碳化硅衬底及半导体器件
    碳化硅衬底的制备方法、碳化硅衬底及半导体器件_深圳大学_202510916691.8
    本申请提供了一种碳化硅衬底的制备方法、碳化硅衬底和半导体器件，所述制备方法包括如下步骤：对碳化硅衬底原材料进行预处理；对材料进行中子辐照处理；对材料进行退火处理。通过本申请制备方法制备的碳化硅衬底，能够具有比较高的机械性能、导电性、均一性和...
    2025-12-01
  • 金刚石衬底的制备方法、金刚石衬底及半导体器件
    金刚石衬底的制备方法、金刚石衬底及半导体器件_深圳大学_202510912124.5
    本申请提供了一种金刚石衬底的制备方法、金刚石衬底及半导体器件。所述制备方法包括如下步骤：选择原材料；对材料进行离子辐照处理；对材料进行等离子体处理；对材料进行退火处理。本申请金刚石衬底的制备方法包括离子辐照处理，通过缺陷诱导导电网络、掺杂协...
    2025-12-01
  • 一种InAs/GaSb超晶格材料及其制备方法
    一种InAs/GaSb超晶格材料及其制备方法_武汉高芯科技有限公司_202511206528.9
    本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及一种InAs/GaSb超晶格材料及其制备方法，包括如下步骤：S1、提供一衬底；S2、在所述衬底上依次外延生长若干周期的InAs/GaSb超晶格结构，其中，每个周期的InAs/GaSb超晶格结构均包括...
    2025-12-01
  • 一种InAs/GaSb超晶格材料及其外延生长方法
    一种InAs/GaSb超晶格材料及其外延生长方法_武汉高芯科技有限公司_202511055261.8
    本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及一种InAs/GaSb超晶格材料及其外延生长方法，包括如下步骤：S1、提供一衬底；S2、在所述衬底上外延生长缓冲层；S3、在所述缓冲层上依次外延生长若干周期的InAs/GaSb超晶格结构，且一个周期...
    2025-12-01
  • 一种二硒化铂及其制备方法和应用
    一种二硒化铂及其制备方法和应用_季华实验室_202511535388.X
    本发明属于二维薄膜材料生长制备技术领域，公开了一种二硒化铂及其制备方法和应用，该二硒化铂的形貌为四方单晶、具有枝晶特征的纳米结构、薄片或连续薄膜。本发明在形貌与产物形态创新上，不仅制备出形貌为四方单晶的二硒化铂，为充分发挥其潜在的不同光电器...
    2025-12-01
  • 一种超长氮化铝单晶纳米纤维材料及其制备方法与应用
    一种超长氮化铝单晶纳米纤维材料及其制备方法与应用_东华大学_202510964471.2
    本发明涉及一种超长氮化铝单晶纳米纤维材料及其制备方法与应用，所述制备方法包括以下步骤：1)将铝源、串联催化剂、氧化抑制剂、粘结剂经涡流旋转喷雾造粒，获得前驱体颗粒；2)对前驱体颗粒进行负压抽吸，使其均匀分布在孔道型反应衬底上，获得预反应衬底...
    2025-12-01
  • 一种复合材料、半导体材料
    一种复合材料、半导体材料_华东理工大学_202510686663.1
    本发明公开了一种复合材料和半导体材料。所述复合材料包括具有非常规化学计量比的化合物和基底层，所述化合物由Ⅰ‑Ⅶ族元素组成，Ⅰ族元素与Ⅶ族元素的化学计量比为1 : 2，所述基底层为带有正电位的纳米材料。所述半导体材料包含所述复合材料或所述具有...
    2025-12-01
  • 一种复合材料、半导体材料
    一种复合材料、半导体材料_华东理工大学_202410660498.8
    本发明公开了一种复合材料和半导体材料。所述复合材料包括具有非常规化学计量比的化合物NaCl2和带有正电位的纳米材料基底层。所述半导体材料包含所述的复合材料，其在常温常压条件下具有宽带隙，可应用于高频器件、光电器件、量子材料等多个领域。
    2025-12-01
  • 一种硼酸锌晶体的应用、磁光晶体及其磁光器件
    一种硼酸锌晶体的应用、磁光晶体及其磁光器件_中国科学院理化技术研究所_202410640994.7
    本发明涉及磁光晶体技术领域，尤其涉及一种硼酸锌晶体的应用、磁光晶体及其磁光器件。所述硼酸锌晶体为Zn4B6O13晶体，所述硼酸锌晶体作为磁光晶体的应用。本发明提供Zn4B6O13晶体的应用，Zn4B6O13晶体具有大的Verdet系数，同时...
    2025-12-01
  • 一种单层二硫化钼薄膜的制备方法
    一种单层二硫化钼薄膜的制备方法_西交利物浦大学_202511196863.5
    本申请涉及一种单层二硫化钼薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、将钼源与钠钙玻璃熔融共混，使钼源嵌入钠钙玻璃的网络结构中，得到具有嵌入式钼源的钠钙玻璃，所述钼源为钼酸钠；S2、清洗具有嵌入式钼源的所述钠钙玻璃表面；S3、将具有嵌入式钼源的所述...
    2025-12-01
  • 半导体设备的温度控制装置和温度控制方法
    半导体设备的温度控制装置和温度控制方法_研微(江苏)半导体科技有限公司_202511143380.9
    本申请提供了一种半导体设备的温度控制装置和温度控制方法。该温度控制装置包括：加热元件组，包括多个加热元件，多个加热元件包括至少一个上加热元件和至少一个下加热元件，加热元件组对应于半导体设备中的一个加热区域；温度传感器，对应于加热区域而设置，...
    2025-12-01
  • 一种MOCVD喷淋器
    一种MOCVD喷淋器_中国科学院电工研究所_202511246753.5
    本发明公开一种MOCVD喷淋器。所述MOCVD喷淋器包括喷淋腔、扩散板、隔热板、喷淋板和氧气板，所述喷淋腔、所述扩散板、所述隔热板、所述喷淋板和所述氧气板从上之下依次设置，其中所述喷淋板上设置有多个沿长度方向排列的长条形喷淋孔，所述长条形喷...
    2025-12-01
  • 畴区尺寸均一的石墨烯晶畴及其制备方法
    畴区尺寸均一的石墨烯晶畴及其制备方法_北京石墨烯研究院_202410643199.3
    本发明公开了一种畴区尺寸均一的石墨烯晶畴及其制备方法。该方法包括：对石墨烯生长基底加热预处理，使所述基底表面出现预熔融状态；通入碳源、含氧助剂，进行石墨烯的生长，得到所述石墨烯晶畴；其中，所述预处理的气氛为惰性气氛；所述预熔融状态是指升温过...
    2025-12-01
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