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最新专利技术
  • 基于RRAM的KAN网络加速方法、存储器及存储系统
    基于RRAM的KAN网络加速方法、存储器及存储系统_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511603460.8
    本申请提供了一种基于RRAM的KAN网络加速方法、存储器及存储系统，涉及半导体芯片技术领域。方法包括：确定目标柯尔莫哥洛夫‑阿诺德网络KAN的网络层数和权重参数，根据目标KAN的网络层数确定所述RRAM的存储阵列数量，根据所述目标KAN的权...
    2026-03-30
  • 静态随机存取存储装置及电子设备
    静态随机存取存储装置及电子设备_华为技术有限公司_202411292944.0
    本申请提供一种静态随机存取存储装置及电子设备，涉及半导体技术领域，用以解决如何兼顾SRAM的功耗和面积的问题。该静态随机存取存储装置，包括全局位线、局部位线、选通单元及沿第一方向排列的第一存储区和第二存储区，选通单元设置在第一存储区和第二存...
    2026-03-30
  • 一种SRAM控制器
    一种SRAM控制器_中国科学院微电子研究所_202511768147.X
    本发明公开一种SRAM控制器，涉及集成电路芯片技术领域，以解决现有技术中出厂后的SRAM控制器不能自适应调整自身IO驱动强度且数据传输质量较差的问题。SRAM主控制器至少包括纠错检错模块、驱动强度逻辑控制模块、波形检测模块以及双向IO电路；...
    2026-03-30
  • 基于DRAM阵列的整型GEMV计算方法、装置、介质及终端
    基于DRAM阵列的整型GEMV计算方法、装置、介质及终端_上海光羽芯辰科技有限公司_202511481333.5
    本申请提供基于DRAM阵列的整型GEMV计算方法、装置、介质及终端，所述包括：将权重矩阵存储在DRAM阵列中，所述DRAM阵列中的各个DRAM单元用于存储所述权重矩阵中的单个权重值；将待施加向量的每个元素依次通过字线施加到所述DRAM阵列中...
    2026-03-30
  • 存储器电路、存储器器件及其制造方法
    存储器电路、存储器器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511314530.8
    本申请的实施例提供了存储器电路、存储器器件及其制造方法。存储器电路包括第一阵列、第二阵列、第一输入/输出电路、第二输入/输出电路和位线，所述第一阵列包括第一存储器单元，所述第二阵列沿第一方向位于第一阵列旁边并包括第二存储器单元，第一输入/输...
    2026-03-30
  • 存储器件、存储系统及存储系统的操作方法
    存储器件、存储系统及存储系统的操作方法_爱思开海力士有限公司_202511271940.9
    本公开内容涉及存储器件、包括存储器件的存储系统以及存储系统的操作方法，并且存储器件包括：存储单元阵列，其包括存储单元；第一电压选择电路，其适于在读取模式下响应于指示正向读取操作或反向读取操作的标志信号而将高电压和低电压中的一者供应至存储单元...
    2026-03-30
  • 存储器及电子设备
    存储器及电子设备_北京超弦存储器研究院_202411267534.0
    本公开涉及一种存储器及电子设备，涉及半导体技术领域，用于提升存储器的可靠性。所述存储器，包括：存储单元阵列和多条字线。其中，存储单元阵列包括在三维方向上排列的多个存储单元。一条字线对应连接一个存储单元组。存储单元组包括：平行间隔且沿同一方向...
    2026-03-30
  • 存储系统、存储装置和存储装置的操作方法
    存储系统、存储装置和存储装置的操作方法_三星电子株式会社_202511219456.1
    提供了一种存储系统、存储装置以及存储装置的操作方法。存储装置的操作方法包括：从所述存储装置中的存储单元阵列读取包括至少一条被擦除位数据的读取数据；基于读取数据生成擦除位置信息；基于擦除位置信息、H矩阵和读取数据生成与读取数据的非被擦除位数据...
    2026-03-30
  • 包括铁电存储单元的存储设备的操作方法
    包括铁电存储单元的存储设备的操作方法_三星电子株式会社_202510977451.9
    公开了一种包括铁电存储单元的存储设备的操作方法。该方法包括：从控制器接收读取命令和地址；以及根据读取命令，基于第一读取模式或第二读取模式对与地址对应的铁电存储单元执行读取操作。在第一读取模式中，第一读取电压被施加作为包括在铁电存储单元中的铁...
    2026-03-30
  • 双极型铁电场效应管存内逻辑操作方法及器件制备方法
    双极型铁电场效应管存内逻辑操作方法及器件制备方法_中国科学院微电子研究所_202411278222.X
    本发明涉及半导体器件存内逻辑计算技术领域，提供了一种双极型铁电场效应管存内逻辑操作方法及器件制备方法，双极型铁电场效应管中的栅介质层内插入铁电层，源极和漏极采用金属化源漏工艺；方法包括向双极型铁电场效应管施加栅源电压和漏源电压，对双极型铁电...
    2026-03-30
  • 存储器装置及其操作方法
    存储器装置及其操作方法_旺宏电子股份有限公司_202411437021.X
    本发明提供一种存储器装置及其操作方法。存储器装置包含存储器阵列、感测电路及控制电路。存储器阵列包含多个存储器单元。多个存储器单元各自具有第一电阻值或大于第一电阻值的第二电阻值。当多个存储器单元皆具有第一电阻值时，存储器阵列的等效电阻值等于第...
    2026-03-30
  • 基于电流脉冲产生及擦除斯格明子的方法及装置
    基于电流脉冲产生及擦除斯格明子的方法及装置_武汉大学_202411283823.X
    本申请涉及磁性存储技术领域，特别涉及一种基于电流脉冲产生及擦除斯格明子的方法及装置，其中，包括：获取目标样品，其中，目标样品包括电极和材料层；将目标样品放置于可控磁场中，给目标样品电极施加预设脉冲电流，基于可控磁场和预设脉冲电流在材料层上写...
    2026-03-30
  • 半导体存储器件以及操作该半导体存储器件的方法
    半导体存储器件以及操作该半导体存储器件的方法_三星电子株式会社_202511208432.6
    提供了一种存储器件。一种存储器件包括：解码器，被配置为接收基于主机数据的第一输入数据和指示第一输入数据是否被反相的第一数据总线反相(DBI)信号，并且输出主机数据；计数器，被配置为对第一DBI信号中的具有第一值的比特的数量进行计数；指示符生...
    2026-03-30
  • 用于性能改善的循环感知自适应编程电压调整
    用于性能改善的循环感知自适应编程电压调整_桑迪士克科技股份有限公司_202510464017.0
    一种存储器装置包括连接到字线的存储器单元。该存储器单元设置在存储器孔中并且被配置为保持与数据状态相对应的阈值电压。该存储器孔被组织成以串分组的行，该串包括多个块中的每个块。一种控制部件被配置为通过在智能验证操作中对连接到该字线中的一个字线并...
    2026-03-30
  • 可高速传输的数据输入装置及可实现高速传输的输入数据的处理方法
    可高速传输的数据输入装置及可实现高速传输的输入数据的处理方法_乾瞻科技股份有限公司_202411284018.9
    本发明公开了一种数据输入装置包含输入端电路、训练电路、检测电路、数据延迟线及时钟延迟线。输入端电路用以接收第一数据信号及第一时脉信号。训练电路用以依据第一数据信号及第一时脉信号设定第一延迟设定。第一延迟设定包含第一数据延迟量及第一时脉延迟量...
    2026-03-30
  • 灵敏放大器及控制方法、存储器、电子设备
    灵敏放大器及控制方法、存储器、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411290460.2
    本申请实施例提供了一种灵敏放大器及控制方法、存储器、电子设备，涉及半导体技术领域。灵敏放大器，包括：感应放大模块、预充电模块和失调补偿模块；灵敏放大器被配置为在失调补偿阶段，将预充电模块的第一端分别与第二端和第三端导通且预充电模块的第一端接...
    2026-03-30
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510225588.9
    本发明将位线高效地布线。在实施方式的半导体存储装置中，第二位线具有：第二单元模块间布线，与第二存储单元电连接，从与第二存储单元在上下方向上重叠的位置朝向感测放大器模块沿第一方向延伸；以及第二模块内布线，在接近第一模块内布线的位置处与第一模块...
    2026-03-30
  • 存储器、存储器的操作方法、存储系统及芯片
    存储器、存储器的操作方法、存储系统及芯片_长江存储科技有限责任公司_202411281664.X
    本申请公开了一种存储器、存储器的操作方法、存储系统及芯片，涉及存储技术领域，该存储器包括：存储阵列和外围电路；外围电路，被配置为：响应于接收到上电信号，使用第一读参数从存储阵列中读取多个修正参数副本，多个修正参数副本是针对修正参数存储的副本...
    2026-03-30
  • 液冷散热装置及电子设备
    液冷散热装置及电子设备_广东普睿云创科技有限公司_202512020315.3
    本申请实施例提供一种液冷散热装置及电子设备，涉及散热技术领域。该液冷散热装置包括第一冷板组件、至少一个锁定组件和至少一个第二冷板组件。其中，第一冷板组件用于与待散热件的下表面接触。第二冷板组件与第一冷板组件转动连接，第二冷板组件与锁定组件一...
    2026-03-30
  • 磁盘装置
    磁盘装置_株式会社东芝_202510858085.5
    本发明的实施方式涉及磁盘装置。实施方式的磁盘装置具备旋转轴、护罩以及阻尼器。旋转轴使多个盘旋转。护罩以与盘的外缘隔开间隔并沿着盘的外缘的方式包围盘的至少一部分。阻尼器相对于由盘的旋转诱发的所述盘之间的流动配置于护罩的下游侧，阻尼器具有与该流...
    2026-03-30
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