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最新专利技术
  • 垂直鳍式场效应晶体管和存储器装置
    垂直鳍式场效应晶体管和存储器装置_南亚科技股份有限公司_202411526452.3
    本公开的实施方式提供一种存储器装置和垂直鳍式场效应晶体管。存储器装置包括存储器单元，其中存储器单元包括位元线、位于位元线上方的字元线、位于位元线上且嵌入字元线中的多个半导体鳍片、物理性接触各个半导体鳍片的一个侧壁的主体线，以及包覆主体线的绝...
    2026-03-25
  • 半导体结构及半导体结构的形成方法
    半导体结构及半导体结构的形成方法_芯盟科技有限公司_202411294662.4
    一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底，包括第一区、第二区和第三区，衬底包括：若干第一有源区和若干第二有源区，第一有源区和第二有源区交替排列，衬底第二面的第一有源区包括相互分立的第一分部和第二分部，衬底第二面的第二有源区包括相互分立的第...
    2026-03-25
  • 存储单元、存储阵列及其控制方法、存储装置及其制造方法
    存储单元、存储阵列及其控制方法、存储装置及其制造方法_芯盟科技有限公司_202411294655.4
    一种存储单元、存储阵列及其控制方法、存储装置及其制造方法，所述存储单元包括：器件柱、周向围绕所述器件柱的栅极结构、位于所述器件柱靠近所述第一端的一侧的存储电容以及位于所述器件柱靠近所述第二端的一侧的互连台。所述存储单元的面积较小，能够有效提...
    2026-03-25
  • 动态随机存取存储器及其形成方法
    动态随机存取存储器及其形成方法_芯盟科技有限公司_202411294648.4
    一种动态随机存取存储器及其形成方法，其中动态随机存取存储器包括：第一沟道柱组，包括若干第一沟道柱；第二沟道柱组，包括若干第二沟道柱；第一字线栅结构，控制1个第一沟道柱组中的每个第一沟道柱；第二字线栅结构，控制1个第二沟道柱组中的每个第二沟道...
    2026-03-25
  • 半导体结构及其制造方法、存储器
    半导体结构及其制造方法、存储器_芯盟科技有限公司_202411294633.8
    本申请实施例提供一种半导体结构及其制造方法、存储器。其中，该半导体结构包括：有源柱阵列；有源柱阵列的相邻的两行有源柱之间的有源柱、相邻的两列有源柱之间的有源柱均相互错开；每一有源柱包括垂直方向设置的第一源/漏极、沟道、第二源/漏极；多条字线...
    2026-03-25
  • 存储器器件、制作方法以及控制方法
    存储器器件、制作方法以及控制方法_芯盟科技有限公司_202411294623.4
    本公开实施例公开了一种存储器器件、制作方法以及控制方法，所述存储器器件包括：行，包括沿第一方向交替设置的第一半导体柱以及第二半导体柱，奇数行以及偶数行沿第二方向交替排布；列，包括沿第二方向交替设置的第一半导体柱以及第二半导体柱，奇数列以及偶...
    2026-03-25
  • 半导体结构及其形成方法、存储阵列
    半导体结构及其形成方法、存储阵列_芯盟科技有限公司_202411291370.5
    一种半导体结构及其形成方法、存储阵列，其中方法包括：提供衬底；在第一表面上形成第一光刻胶层；对第一光刻胶层进行曝光显影，形成具有垂直晶体管图案的第一光刻胶层；以具有垂直晶体管图案的第一光刻胶层为掩膜，沿第一表面对部分有源区和部分隔离区进行刻...
    2026-03-25
  • 存储单元、存储阵列及其控制方法、存储装置及其制造方法
    存储单元、存储阵列及其控制方法、存储装置及其制造方法_芯盟科技有限公司_202411291361.6
    一种存储单元、存储阵列及其控制方法、存储装置及其制造方法，存储单元包括：器件柱，所述器件柱具有沿所述器件柱的轴向相背的第一端和第二端；栅极结构，所述栅极结构沿周向围绕所述器件柱，沿所述器件柱的轴向，所述栅极结构与所述第一端和所述第二端均分离...
    2026-03-25
  • 动态随机存取存储器及其形成方法
    动态随机存取存储器及其形成方法_芯盟科技有限公司_202411291121.6
    一种动态随机存取存储器及其形成方法，其中动态随机存取存储器包括：第一沟道柱组，包括若干第一沟道柱；第二沟道柱组，包括若干第二沟道柱；第一字线栅，其材料包括金属和多晶硅；第二字线栅，其材料包括金属和多晶硅；第一位线，与第一沟道柱组中对应的第一...
    2026-03-25
  • 半导体结构及其制造方法、存储器
    半导体结构及其制造方法、存储器_芯盟科技有限公司_202411291058.6
    本申请实施例提供一种半导体结构及其制造方法、存储器。其中，半导体结构包括：有源柱阵列；每一有源柱包括垂直设置的第一源/漏极、沟道、第二源/漏极；多条字线；每条字线包括多个第一部分和多个第二部分；每个第一部分至少覆盖对应的有源柱阵列的一行有源...
    2026-03-25
  • 存储器器件、制作方法以及控制方法
    存储器器件、制作方法以及控制方法_芯盟科技有限公司_202411291041.0
    本公开实施例公开了一种存储器器件、制作方法以及控制方法，所述存储器器件包括：行，包括沿第一方向排列的多个第一半导体柱；列，包括沿第二方向排列的多个第一半导体柱；行上的任意两个相邻的第一半导体柱间隔一列排布，列上的任意两个相邻的第一半导体柱间...
    2026-03-25
  • 半导体结构及其制备方法、存储器和存储系统
    半导体结构及其制备方法、存储器和存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411290151.5
    本申请实施方式提供了一种半导体结构、半导体结构的制备方法、存储器和存储系统，其中，半导体结构包括衬底以及第一隔离结构，第一隔离结构位于衬底中且沿第一方向延伸并包括电容结构和第一绝缘层，电容结构沿所述第一方向延伸，第一绝缘层位于电容结构和衬底...
    2026-03-25
  • 半导体结构及半导体结构的形成方法
    半导体结构及半导体结构的形成方法_芯盟科技有限公司_202411289362.7
    一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底，包括第一区、第二区和第三区，衬底包括：若干有源区，衬底第二面暴露出的有源区包括相互分立的第一分部和第二分部；位于相邻有源区之间的第一隔离层；位于第二区的若干第一切断层，若干第一切断层对间隔的第一隔...
    2026-03-25
  • 半导体结构及其形成方法、存储阵列
    半导体结构及其形成方法、存储阵列_芯盟科技有限公司_202411289337.9
    一种半导体结构及其形成方法、存储阵列，其中形成方法包括：提供衬底，衬底具有垂直交叉排列的位线方向和字线方向，衬底包括沿位线方向平行排布的若干有源区以及位于有源区之间的隔离区，且衬底包括第一表面；在第一表面上形成光刻胶层；对光刻胶层进行曝光显...
    2026-03-25
  • 半导体结构及其制造方法、存储器
    半导体结构及其制造方法、存储器_芯盟科技有限公司_202411289241.2
    本申请实施例提供一种半导体结构及其制造方法、存储器。其中，半导体结构包括：有源柱阵列；每一有源柱包括垂直方向设置的第一源/漏极、沟道、第二源/漏极；多条字线；每条字线全环绕有源柱阵列的一行有源柱的每一有源柱的沟道；多个存储单元；每一存储单元...
    2026-03-25
  • 半导体结构及半导体结构的形成方法
    半导体结构及半导体结构的形成方法_芯盟科技有限公司_202411288343.2
    一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底，包括第一区、第二区和第三区，衬底包括：若干位于第一区、第三区和部分第二区的第一有源区和若干位于第一区、第二区和部分第三区的第二有源区，第一有源区包括第一分部、第二分部和第三分部，第二有源区包括第四...
    2026-03-25
  • 动态随机存取存储器阵列及其形成方法
    动态随机存取存储器阵列及其形成方法_芯盟科技有限公司_202411287895.1
    一种动态随机存取存储器阵列及其形成方法，其中动态随机存取存储器阵列包括：若干第一沟道柱组，包括若干第一沟道柱；若干第二沟道柱组，包括若干第二沟道柱，第一沟道柱与对应的第二沟道柱具有重叠区域；若干第一字线栅，每个第一字线栅控制1个第一沟道柱组...
    2026-03-25
  • 芯片及其制备方法、存储器、电子设备
    芯片及其制备方法、存储器、电子设备_华为技术有限公司_202411284930.4
    本申请提供一种芯片及其制备方法、存储器、电子设备，可以避免第二沟道或第一沟道过薄或过厚。芯片包括衬底和设置在衬底上的晶体管组，晶体管组包括依次邻接的第一晶体管、介电层、第二晶体管。第一晶体管包括第一栅结构，及依次层叠设置的第一极、第一沟道、...
    2026-03-25
  • 半导体结构以及半导体结构的制作方法
    半导体结构以及半导体结构的制作方法_长鑫科技集团股份有限公司_202411282682.X
    一种半导体结构的制作方法以及半导体结构，该制作方法包括：提供衬底；于衬底上形成由多个半导体材料层和多个绝缘材料层交替堆叠的叠层结构；于叠层结构中形成沟道区叠层和初始栅极柱，初始栅极柱至少包括初始栅导电层以及初始栅介质层，初始栅极柱具有两个相...
    2026-03-25
  • 存储器器件及其形成方法
    存储器器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511253141.9
    本申请的实施例公开了存储器器件及其形成方法。存储器器件包括形成在衬底的第一侧上并由供电电压供电的存储器单元；第三金属化层，形成在第一侧上并包括第三金属轨道，第三金属轨道中的至少一个被配置为仅承载非电源信号而不是承载供电电压；第四金属化层，形...
    2026-03-25
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