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最新专利技术
  • 一种MOSFET器件及其制造方法
    一种MOSFET器件及其制造方法_厦门芯达茂微电子有限公司_202511924896.7
    本发明涉及半导体功率器件技术领域，特别涉及一种MOSFET器件及其制造方法，其包括以下步骤：在衬底上依次生长第一外延层和第二外延层；在第二外延层表面依据沟槽图案沉积掩膜，并进行首次蚀刻形成第一沟槽，在第一沟槽内进行P型掺杂的离子注入，形成第...
    2026-03-25
  • 垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管及制备方法
    垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管及制备方法_北京中科新微特科技开发股份有限公司_202511912745.X
    本申请公开了一种垂直双扩散金属‑氧化物半导体场效应晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域。该制备方法在外延层的一侧依次形成栅氧化层、栅极和第一介质层，利用第一介质层具有较大的密度(结构疏松)，在有氧条件下，氧能够穿透第一介质层与外延层中的硅反...
    2026-03-25
  • 一种沟槽型VDMOS器件及其制造方法
    一种沟槽型VDMOS器件及其制造方法_浙江炎黄民芯科技有限公司_202511895311.3
    本发明涉及VDMOS技术领域，并公开了一种沟槽型VDMOS器件及其制造方法，包括以下步骤：衬底准备与初始氧化、有源区与沟槽图形定义、双台阶沟槽刻蚀与成形、栅介质与多晶硅栅集成、自对准体区与源区构建、层间介质沉积与接触孔刻蚀、正面金属化与合金...
    2026-03-25
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202511819275.2
    本申请公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该制造方法包括：提供半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面；在半导体本体形成阱区和第一区域，第一区域位于第一表面，阱区位于第一区域远离第一表面的一侧；在第一表面形成栅...
    2026-03-25
  • 降低导通电阻的SGT-MOSFET的制造方法
    降低导通电阻的SGT-MOSFET的制造方法_重庆万国半导体科技有限公司_202511704732.3
    本发明公开了一种降低导通电阻的SGT‑MOSFET的制造方法，包括：取一具有外延层的硅衬底；在所述外延层上刻蚀形成栅极沟槽；在所述栅极沟槽的槽壁上形成栅氧化层，并在所述栅极沟槽中从下至上依次形成底部多晶硅、第一隔离氧化层、中部多晶硅、第二隔...
    2026-03-25
  • 晶体管及形成和操作晶体管的方法
    晶体管及形成和操作晶体管的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511671163.7
    本发明提供一种晶体管，其栅极电介质层包括中央区域和一个或多个边缘区域。中央区域的厚度小于多个边缘区域的厚度。这增加了角落氧化物厚度并减少了双峰现象，在不需要额外掩模的情况下改善了性能。
    2026-03-25
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_无锡华润微电子有限公司_202411263604.5
    本申请提供一种半导体器件及其制造方法，该方法包括：提供衬底，所述衬底中形成有至少一个沟槽型栅极结构；形成覆盖所述衬底和所述沟槽型栅极结构的层间介质层；在所述层间介质层上形成具有预设角度的图案化的光刻胶层，以光刻胶层为掩膜刻蚀所述层间介质层，...
    2026-03-25
  • 一种SiGe结构制造方法及半导体器件
    一种SiGe结构制造方法及半导体器件_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202411253906.4
    本发明公开了一种SiGe结构制造方法及半导体器件，应用于半导体器件制备技术领域，包括：获取具有多个凹槽的预制件；在凹槽内基于SiGe工艺制备目标结构；目标结构为SiGe结构的部分结构；对目标结构进行回刻蚀，得到刻蚀结构；回刻蚀的刻蚀速率与硅...
    2026-03-25
  • 场效应晶体管及其制造方法
    场效应晶体管及其制造方法_无锡华润上华科技有限公司_202411233272.6
    本发明涉及一种场效应晶体管及其制造方法，所述方法包括：获取形成有漂移区、源极区、漏极区及栅极的晶圆；形成金属硅化物阻挡层，包括氧化层和氧化层上的刻蚀停止层；形成层间介质层；使用接触孔光刻版进行光刻，在层间介质层上，形成接触孔刻蚀窗口和位于栅...
    2026-03-25
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_无锡华润上华科技有限公司_202411232499.9
    本发明涉及一种半导体器件极其制造方法，所述方法包括：获取形成有源极区、漏极区、栅极及场氧层的晶圆；形成覆盖源极区、漏极区及栅极的刻蚀停止层；在刻蚀停止层上形成氮氧化硅复合层；氮氧化硅复合层从底部到顶部，氮元素对氧元素的比值呈上升趋势；光刻并...
    2026-03-25
  • 一种定位限压双向晶闸管
    一种定位限压双向晶闸管_杭州西风半导体有限公司_202511846965.7
    本发明属于电力半导体技术领域，且公开了一种定位限压双向晶闸管，包括芯片，芯片正反两面均自中心向边缘依次设置的P型门极区及隔离区、N+放大门极区、P型短路点、P型放大门极区、N+阴极区、交替掺杂区；交替掺杂区环绕N+阴极区设置，交替掺杂区由多...
    2026-03-25
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202511048393.8
    本公开的目的在于提供一种能够准确地测定温度感测部的电位的技术。半导体装置具备：发射极电极、与发射极电极邻接地设置的温度感测部、感测布线、和发射极电极与感测布线的连接部邻接地设置的第1引线接合部。感测布线包括第1感测布线部、第2感测布线部以及...
    2026-03-25
  • IGBT器件及其制造方法
    IGBT器件及其制造方法_上海鼎阳通半导体科技有限公司_202511863177.9
    本发明公开了一种IGBT器件，背面结构包括：形成于场截止层整个背面区域的第一P型背面注入层和形成于场截止层的部分背面区域的第二P型背面注入层。在第二P型背面注入层的形成区域中，第一和第二P型背面注入层和场截止层的杂质相叠加形成净掺杂为P型重...
    2026-03-25
  • 反向导通绝缘栅双极晶体管RC-IGBT的晶圆背面N+布局结构
    反向导通绝缘栅双极晶体管RC-IGBT的晶圆背面N+布局结构_文赉半导体电子科技(深圳)有限公司_202511814600.6
    本发明公开了一种反向导通绝缘栅双极晶体管(RC‑IGBT)的晶圆背面N+ 布局结构。晶圆背面设有N+ 掺杂区域，所述N+ 掺杂区域按照由多个正六边形单元构成的周期性六角形密堆积结构进行排布，各正六边形单元内部形成N+ 掺杂区，并在晶圆背面以...
    2026-03-25
  • 终端区集成温度传感器的功率半导体器件
    终端区集成温度传感器的功率半导体器件_江苏中科君芯科技有限公司_202511740812.4
    本发明涉及一种终端区集成温度传感器的功率半导体器件。按照本发明提供的技术方案，一种终端区集成温度传感器的功率半导体器件，所述功率半导体器件包括：半导体基板，呈第一导电类型；终端区，环绕包围半导体基板中心区的有源区，至少包括截止环以及集成在所...
    2026-03-25
  • 一种具有渐变P基区掺杂及复合缓冲层的IGBT元胞
    一种具有渐变P基区掺杂及复合缓冲层的IGBT元胞_北京卫星制造厂有限公司_202511656395.5
    本发明公开了一种具有渐变P基区掺杂及复合缓冲层的IGBT元胞，包括：发射极金属电极11、重掺杂的N型发射极3、重掺杂的P型欧姆接触区4、N型漂移区1、沟槽栅8、P型重掺杂集电极9、集电极金属电极10和P基区12；其中，发射极金属电极11、重...
    2026-03-25
  • 功率半导体器件、制造功率半导体器件的方法、单芯片半桥转换器、操作功率半导体器件的方法
    功率半导体器件、制造功率半导体器件的方法、单芯片半桥转换器、操作功率半导体器件的方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202511267934.6
    本发明涉及功率半导体器件、制造功率半导体器件的方法、单芯片半桥转换器、操作功率半导体器件的方法。该功率半导体器件包括：半导体本体，其包括具有第一导电类型或第二导电类型的衬底区域，其中，半导体本体具有前侧；在前侧处的第一负载端子和第二负载端子...
    2026-03-25
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202511108181.4
    本公开的目的在于提供能够抑制栅极信号的延迟的半导体装置。本公开所涉及的半导体装置具备：半导体基板，形成有第1沟槽；栅极焊盘，设置于半导体基板之上；第1栅极布线，与栅极焊盘电连接；第2栅极布线，与栅极焊盘电连接；指状布线，设置于第1栅极布线与...
    2026-03-25
  • 一种柔性复合钝化层的无铅GPP二极管芯片
    一种柔性复合钝化层的无铅GPP二极管芯片_济南晶恒电子有限责任公司_202511886167.7
    本申请涉及一种柔性复合钝化层的无铅GPP二极管芯片，属于半导体技术领域，具体包括：单晶硅芯片、玻璃层、聚酰亚胺膜层和镍金层，所述玻璃层钝化在单晶硅芯片的两侧，所述聚酰亚胺层钝化在玻璃层上，所述镍金层分别与单晶硅芯片的正面和背面连接。本申请采...
    2026-03-25
  • 电容器结构和包括电容器结构的电容器阵列和电子装置
    电容器结构和包括电容器结构的电容器阵列和电子装置_三星电子株式会社_202511108167.4
    提供了电容器结构、电容器阵列和电子装置。电容器结构包括半导体基底、第一阱、第二阱、第一电极、第二电极、第一扼流圈阻抗元件和第二扼流圈阻抗元件。半导体基底包括具有第一导电类型的外阱。第一阱设置在外阱中并且具有第二导电类型。第二阱设置在第一阱中...
    2026-03-25
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