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最新专利技术
  • TOPCon光伏电池及其制备方法
    TOPCon光伏电池及其制备方法_润马光能科技(金华)有限公司_202511583866.4
    本申请公开了一种TOPCon光伏电池及其制备方法，涉及光伏电池技术领域；LPCVD炉为管式扩散炉，LPCVD炉设有炉口区、炉中区和炉尾区；炉口区、炉中区和炉尾区分别设置有反应气体出气口；方法包括：在LPCVD炉的沉积腔室内，采用n步骤沉积工...
    2026-03-22
  • 纳米晶体和光电器件的化学处理辅助的纳米打印
    纳米晶体和光电器件的化学处理辅助的纳米打印_香港大学_202511226991.X
    一种用于组装纳米晶体(NC)亚微米结构的方法涉及将用配体制备的NC核材料分散在非极性溶剂中以形成油墨。使用电流体动力过程打印所述油墨，其中喷墨打印机在喷嘴尖端与基材之间施加高电压，因此所述油墨以超小液滴的形式从喷嘴的尖端处的弯液面喷射。在喷...
    2026-03-22
  • 在扇出再分布层中制作外围壁结构的半导体器件和方法
    在扇出再分布层中制作外围壁结构的半导体器件和方法_星科金朋私人有限公司_202511214676.5
    在扇出再分布层中制作外围壁结构的半导体器件和方法。一种半导体器件具有堆积互连结构。穿过堆积互连结构形成开口。在开口周围形成外围壁结构。在堆积互连结构上方设置光子半导体管芯，其中光子半导体管芯的光子电路与开口对准。在外围壁结构上方的堆积互连结...
    2026-03-22
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202411252613.4
    本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：SOI衬底，所述SOI衬底包括顶硅层，所述顶硅层包括探测器区域，所述探测器区域包括第一区域、包围所述第一区域的第二区域以及包围所述第二区域的第三区域；探测器通孔，位于所述探测器区域的顶硅...
    2026-03-22
  • 一种太阳能电池栅线制备工艺及太阳能电池
    一种太阳能电池栅线制备工艺及太阳能电池_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202411215704.0
    本发明适用于太阳能电池技术领域，提供一种太阳能电池栅线制备工艺及太阳能电池，太阳能电池栅线制备工艺包括以下步骤：提供电池基片；在电池基片待制备栅线的表面制备种子层；在种子层上电镀形成整面的金属层；在金属层上制备图案化掩膜，图案化掩膜具有与非...
    2026-03-22
  • 一种TOPCon电池的钝化方法
    一种TOPCon电池的钝化方法_宜宾英发德耀科技有限公司_202411194285.7
    本发明涉及太阳能电池技术领域，提出了一种TOPCon电池的钝化方法。一种TOPCon电池的钝化方法，包括如下步骤：S1、将背面抛光后的硅片沉积隧穿氧化层；S2、再在隧穿氧化层上形成第一poly层；S3、在第一poly层上形成第一氧化层；S4...
    2026-03-22
  • 一种以DMAC为辅助溶剂用于制备半透明Sb2S3太阳能电池的水热沉积法
    一种以DMAC为辅助溶剂用于制备半透明Sb2S3太阳能电池的水热沉积法_天津工业大学_202411189963.0
    本发明提供一种在硫化锑薄膜水热沉积的前驱体溶液中添加N，N‑二甲基乙酰胺(DMAC)这一辅助溶剂来调节沉积速率，从而优化薄膜厚度、改善薄膜形貌、提高结晶度并降低薄膜的缺陷密度，以此来提高器件性能。所述硫化锑太阳能电池包括：导电衬底(包括FT...
    2026-03-22
  • 能带工程改善半透明硫化锑太阳能电池的方法
    能带工程改善半透明硫化锑太阳能电池的方法_天津工业大学_202411189777.7
    本发明主要研究利用后硒化的方法来改善硫化锑太阳能电池的能带排列。首先，选取适当的原材料和溶剂，利用半水酒石酸锑钾、五水合硫代硫酸钠作为Sb、S的前驱体材料，采用水热沉积法制备硫化锑薄膜。对硫化锑薄膜表面再进行能带工程处理。研究能带工程处理对...
    2026-03-22
  • 一种光电耦合器制造方法及光电耦合器
    一种光电耦合器制造方法及光电耦合器_深圳市聚飞光电股份有限公司_202511760050.4
    本申请提供一种光电耦合器制造方法及光电耦合器，属于光电耦合器制造技术领域，光电耦合器制造方法中，通过第一封装胶封装发光器件形成发射模块，在所述发射模块表面形成出光面；通过第二封装胶封装接收器件形成接收模块，在所述接收模块表面形成入光面；将所...
    2026-03-22
  • 光学装置
    光学装置_日月光半导体制造股份有限公司_202511856689.2
    本发明提供一种光学装置，其包括载体、光源、裸片、光导引结构和反射结构。所述载体具有表面。所述光源安置于所述表面上且被配置成发射光束。所述裸片安置于所述表面上且被配置成感测所述光束。所述光导引结构安置于所述表面上且被配置成导引所述光束。所述光...
    2026-03-22
  • 一种大光敏面2.5D芯片堆叠的微型激光告警光电探测模块及其制造方法
    一种大光敏面2.5D芯片堆叠的微型激光告警光电探测模块及其制造方法_中国电子科技集团公司第四十四研究所_202511900707.2
    本申请提供一种大光敏面2.5D芯片堆叠的微型激光告警光电探测模块及其制造方法，该探测模块包括管座、陶瓷电路、放大器芯片、硅基板、光电探测器芯片及管帽，通过管座与管帽对光电探测模块进行封装，硅基板通过陶瓷电路与管座电连接，陶瓷电路上设置有多个...
    2026-03-22
  • 一种芯片封装体及其制备方法、芯片封装结构
    一种芯片封装体及其制备方法、芯片封装结构_上海新微技术研发中心有限公司_202511962817.1
    本申请涉及芯片封装技术领域，具体涉及一种芯片封装体及其制备方法、芯片封装结构。该方法包括：S1、对晶圆的背面依次进行光刻、刻蚀处理，形成空腔，空腔的侧壁与晶圆的背面相接处自然形成尖角；S2、对晶圆的整个背面进行刻蚀处理，使尖角转变成圆角；S...
    2026-03-22
  • 一种具有偏振响应特性陷光结构的图像传感器像素单元
    一种具有偏振响应特性陷光结构的图像传感器像素单元_西安邮电大学_202511907378.4
    本发明提出了一种具有偏振响应特性陷光结构的图像传感器像素单元及其制备方法，包括半导体衬底、设置于衬底上的多层结构以及偏振响应单元。所述多层结构抗反射层、填平层和微透镜层。偏振响应单元采用基于背向散射技术的全介质型亚波长光栅，其与深沟槽隔离结...
    2026-03-22
  • 图像感测装置
    图像感测装置_爱思开海力士有限公司_202511000582.8
    公开了图像感测装置。在实施方式中，一种图像感测装置包括：基板，其包括第一表面和与第一表面面对或相对的第二表面；多个光电转换区域，其在基板内彼此相邻布置，并且被配置为将通过第一表面接收的入射光转换为光电荷；像素隔离结构，其被配置为将基板内的光...
    2026-03-22
  • 背照式图像传感器及其制造方法
    背照式图像传感器及其制造方法_DBHiTek株式会社_202411601319.X
    本发明涉及一种背照式图像传感器及其制造方法，尤其涉及一种通过在基板的相隔空间内形成上部导电膜但是不在所述基板的背面上形成，可以在焊盘区域内使得在基板的背面上形成的结构体的厚度相对变薄并借此事先防止在所述基板上形成带状条纹，而且还可以事先防止...
    2026-03-22
  • 光电传感器及探测设备
    光电传感器及探测设备_杭州海康威视数字技术股份有限公司_202411246904.2
    本申请公开一种光电传感器及探测设备，属于光电探测技术领域。光电传感器包括基板、电路板、晶片和封装盖板，基板的表面设有开槽，电路板和晶片均设置于开槽内，晶片设置于电路板背向基板的一侧，封装盖板设置于基板的表面，以封闭开槽，晶片与封装盖板相对；...
    2026-03-22
  • 一种图像传感器形成方法及图像传感器
    一种图像传感器形成方法及图像传感器_格科微电子(上海)有限公司_202411204829.3
    本发明提供一种图像传感器形成方法，包括：对应于所述图像传感器的每个像素单元形成至少两个垂直转移晶体管，刻蚀所述图像传感器同一像素单元的两个垂直转移晶体管外侧的半导体衬底，以及与所述垂直转移晶体管相邻的浮置扩散区外侧的半导体衬底，以降低所述浮...
    2026-03-22
  • 影像感测器
    影像感测器_采钰科技股份有限公司_202411519387.1
    一种影像感测器，包含相位检测自动对焦单元。相位检测自动对焦单元包含多个光电二极管，以及设置于光电二极管中的一群组上的混合式彩色滤光器。混合式彩色滤光器包含直接接触彼此的第一材料与第二材料，第一材料的消光系数实质上与第二材料的消光系数相同，且...
    2026-03-22
  • 雪崩光电探测器芯片及光接收模块
    雪崩光电探测器芯片及光接收模块_华为技术有限公司_202411294274.6
    本公开公开了雪崩光电探测器芯片及光接收模块，属于光电转换技术领域。雪崩光电探测器芯片包括沿着光透射方向依次分布的多层光接收单元，每一光接收单元包括P型接触层、N型接触层以及层叠布置于P型接触层和N型接触层之间的吸收层、电荷层和倍增层。沿着光...
    2026-03-22
  • 单片三维集成光电探测器及其制备方法
    单片三维集成光电探测器及其制备方法_北京大学重庆碳基集成电路研究院_202610030161.8
    本公开提供了一种单片三维集成光电探测器及其制备方法。制备方法包括：在作为光电探测器的基底的读出集成电路上形成隔离钝化层；在隔离钝化层中形成源极导电通孔、漏极导电通孔和底栅接触孔；沉积导电材料并进行平坦化处理，导电材料填充在源极导电通孔、漏极...
    2026-03-22
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