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最新专利技术
  • 清洗腔室及半导体清洗设备
    清洗腔室及半导体清洗设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411246642.X
    本申请公开了一种清洗腔室及半导体清洗设备，属于半导体加工技术领域。清洗腔室包括腔室本体、旋转卡盘、喷淋固定件和喷淋组件，旋转卡盘设置于腔室本体内并用于承载晶圆；喷淋固定件设置于腔室本体内并与腔室本体的侧壁连接，喷淋固定件位于旋转卡盘的上方，...
    2026-03-20
  • 基板干燥装置及基板干燥方法
    基板干燥装置及基板干燥方法_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202411239194.0
    本申请提出了一种基板干燥装置和方法。该装置包括腔室、流体供给单元、减压单元、检测单元和控制单元，所述控制单元被配置为：在开启所述减压单元后，控制所述检测单元实时获取所述检测数据，判断所述检测数据是否低于预设的阈值，若所述检测数据低于预设的阈...
    2026-03-20
  • 一种用于监测退火设备晶圆传出温度的方法
    一种用于监测退火设备晶圆传出温度的方法_上海光通信有限公司_202411238973.9
    本申请公开了一种用于监测退火设备晶圆传出温度的方法。方法包括：提供样片晶圆，样片晶圆具有衬底、过渡层及金属层，过渡层制备于衬底与金属层的中间；测量退火前的金属层的反射率，得到第一反射率值；将样片晶圆放入监控的退火设备中，在退火设备中对样片晶...
    2026-03-20
  • 工艺腔室、半导体器件的加工设备及方法
    工艺腔室、半导体器件的加工设备及方法_拓荆科技股份有限公司_202411226810.9
    本发明提供了工艺腔室、半导体器件的加工设备及加工方法。所述工艺腔室包括晶圆支撑机构、喷淋头及旋转升降机构。所述晶圆支撑机构位于所述工艺腔室的内部，用于支撑晶圆的边缘，并暴露所述晶圆的背面。所述喷淋头位于所述晶圆支撑机构的下方，以向所述晶圆的...
    2026-03-20
  • 工艺腔室，以及半导体器件的加工设备及方法
    工艺腔室，以及半导体器件的加工设备及方法_拓荆科技股份有限公司_202411226800.5
    本发明提供了一种工艺腔室，以及一种半导体器件的加工设备及加工方法。所述工艺腔室包括晶圆支撑机构、喷淋头、升降机构及旋转机构。所述晶圆支撑机构位于所述工艺腔室的内部，用于支撑晶圆的边缘，并暴露所述晶圆的背面。所述喷淋头位于所述晶圆支撑机构的下...
    2026-03-20
  • 片环承载装置及晶圆贴膜设备
    片环承载装置及晶圆贴膜设备_华海清科(北京)科技有限公司_202411226352.9
    本申请实施例提供了一种片环承载装置及晶圆贴膜设备。其中，片环承载装置包括：承载平台，用于与晶圆贴膜设备相连接；移动机构，可移动地设置于承载平台；放置机构，连接于所述移动机构，用于放置片环；锁定机构，连接于所述承载平台，用于在所述移动机构移入...
    2026-03-20
  • 一种半导体器件的加工设备
    一种半导体器件的加工设备_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202411221271.X
    本发明公开一种半导体器件的加工设备，包括：工艺腔组件，包括第一主体部、第一盖板、介质窗和进气部件；配件腔组件，包括第二盖板和射频线圈；驱动组件，驱动组件和第一盖板以及第二盖板均相连，驱动组件具有第一驱动状态和第二驱动状态，在第一驱动状态下，...
    2026-03-20
  • 基板处理装置
    基板处理装置_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202411204300.1
    本申请公开了一种基板处理装置，包括腔室、流体供应部、流体供应管线、多个硬件端、流体排出管线、检测系统和第一采样管线，腔室用于处理基板，流体供应部用于向腔室供应流体，流体供应管线连接流体供应部和腔室并将流体输送至腔室，多个硬件端设置于流体供应...
    2026-03-20
  • 药液循环系统及湿法设备
    药液循环系统及湿法设备_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202411204289.9
    本申请公开了一种药液循环系统及湿法设备，药液循环系统包括喷嘴、储液槽、供液管路以及气体吹扫组件，喷嘴用于向基板供应药液；储液槽用于储存药液；供液管路连接储液槽的出液口和喷嘴；气体吹扫组件包括吹扫管路和调节元件，吹扫管路与供液管路连接，调节元...
    2026-03-20
  • 半导体清洗设备
    半导体清洗设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411203621.X
    本发明提供一种半导体清洗设备，包括内槽、外槽以及连通内槽和外槽的循环过滤单元。内槽一侧的内壁上设置有至少一个与循环过滤单元连通的喷淋孔，喷淋孔位于靠近内槽的槽口位置处，喷淋孔用于向清洗液的液面注入经循环过滤单元过滤后的清洗液，以使内槽中的清...
    2026-03-20
  • 一种晶片制程监测方法、系统及相关设备
    一种晶片制程监测方法、系统及相关设备_中芯北方集成电路制造(北京)有限公司_202411191134.6
    本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种晶片制程监测方法、系统及相关设备，方法包括获取待监测机台的晶片制程历史数据和相应的关联运行数据；将关联运行数据输入预设神经网络，通过预设神经网络基于关联运行数据得到待监测机台的晶片制程监测数据；根据晶片...
    2026-03-20
  • 一种晶圆清洗装置及方法
    一种晶圆清洗装置及方法_吉姆西半导体科技(无锡)股份有限公司_202511979680.0
    本申请实施例公开了一种晶圆清洗装置及方法。晶圆清洗装置包括：箱体，其内具有腔体；工作台，设置在腔体中，工作台被配置为夹持晶圆并带动晶圆转动；第一清洗机构，包括第一驱动机构、摆臂和第一喷头组件；第一驱动机构至少部分设置在腔体内；第一喷头组件安...
    2026-03-20
  • 一种大尺寸碳化硅籽晶的清洗方法
    一种大尺寸碳化硅籽晶的清洗方法_北京天科合达半导体股份有限公司_202511954082.8
    本申请公开了一种大尺寸碳化硅籽晶的清洗方法，包括：将大尺寸籽晶在第一混合液中抛动清洗、高温纯水动态清洗、第二混合液中第二次抛动清洗，常温纯水动态清洗与存储。本申请提供的大尺寸碳化硅籽晶的清洗方法能够有效的清洗碳化硅籽晶，包括碳化硅籽晶表面的...
    2026-03-20
  • 一种改善外延发雾的磷化铟衬底清洗工艺
    一种改善外延发雾的磷化铟衬底清洗工艺_广东先导微电子科技有限公司_202511888922.5
    本申请涉及半导体材料技术领域，具体公开了一种改善外延发雾的磷化铟衬底清洗工艺。清洗工艺包括以下步骤：将磷化铟衬底置于至少一种有机溶液中进行超声浸洗，浸洗结束后进行干燥处理；将磷化铟衬底依次置于盐酸溶液、碱性过氧化氢溶液、酸性溶液中浸洗，浸洗...
    2026-03-20
  • 一种锑化镓晶片的无损伤清洗方法
    一种锑化镓晶片的无损伤清洗方法_广东先导微电子科技有限公司_202511888908.5
    本申请涉及半导体材料技术领域，具体公开了一种锑化镓晶片的无损伤清洗方法。该清洗方法将锑化镓晶片依次置于有机溶剂、弱酸性溶液、硫钝化溶液进行浸洗，浸洗结束后经去离子水漂洗、干燥处理，得到表面洁净、无损伤的锑化镓晶片。本申请利用有机溶剂超声清洗...
    2026-03-20
  • 一种多尺寸兼容带倾斜角度的浸泡设备
    一种多尺寸兼容带倾斜角度的浸泡设备_苏州施密科微电子设备有限公司_202511879306.3
    本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及了一种多尺寸兼容带倾斜角度的浸泡设备，包括固定组件。固定组件包括支撑框架、多个承载板和调节结构，支撑框架为承载板提供稳定安装基础，多个承载板可拆卸的设置于支撑框架内。在多个承载板均安装于支撑框架时，调节...
    2026-03-20
  • 一种氮化镓功率芯片封装焊接方法及在线压力烧结炉
    一种氮化镓功率芯片封装焊接方法及在线压力烧结炉_泰姆瑞(北京)精密技术有限公司_202511844099.8
    本发明涉及芯片封装技术领域，提供一种氮化镓功率芯片封装焊接方法及在线压力烧结炉。氮化镓功率芯片封装焊接方法包括：氮化镓功率半导体工件及治具进入等离子清洗区，执行等离子清洗步骤；氮化镓功率半导体工件及治具进入正压清洗区，执行正压清洗步骤；氮化...
    2026-03-20
  • 硅片的清洗方法及硅片
    硅片的清洗方法及硅片_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511814006.7
    本申请适用于太阳能电池技术领域，提出了一种硅片的清洗方法、太阳能电池、组件及光伏系统，该方法包括：提供抛光后或制绒后的硅片；在不经过水洗的情况下，使用氧化清洗溶液对硅片进行氧化清洗；对硅片进行水洗；水洗的水洗温度大于常温。如此，可以提高硅片...
    2026-03-20
  • 机能水辅助硅片清洗方法、硅片清洗方法
    机能水辅助硅片清洗方法、硅片清洗方法_常州捷佳创精密机械有限公司_202511790059.X
    本发明属于硅片湿法清洗技术领域，具体涉及一种机能水辅助硅片清洗方法、硅片清洗方法，包括如下步骤：S1，获取氧气微纳米气泡水；S2，对氧气微纳米气泡水附加不高于20kHz的低频超声，以产生氧气微纳米气泡；S3，对含有氧气微纳米气泡的机能水进行...
    2026-03-20
  • 一种氮化铝衬底清洗方法
    一种氮化铝衬底清洗方法_奥趋光电技术(杭州)有限公司_202511651796.1
    本发明公开了一种氮化铝衬底清洗方法，该清洗方法包括异位化学预处理和原位Al辅助清洗两个工艺。其中异位化学预处理包括步骤：先用清洗剂去除AlN衬底表面油污，再使用酸性溶液混合液去除衬底表面氢氧化物，最后使用氢氟酸处理，使衬底暴露原子台阶。随后...
    2026-03-20
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