Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510403995.4
    一种半导体器件包括：半导体元件部分，半导体元件部分包括半导体元件；第一布线部分，第一布线部分位于半导体元件部分的第一表面上；支撑衬底，支撑衬底位于第一布线部分上；接合层，接合层位于第一布线部分与支撑衬底之间；以及第二布线部分，第二布线部分位...
    2026-03-21
  • 半导体结构
    半导体结构_长鑫科技集团股份有限公司_202411267639.6
    本公开实施例提供了一种半导体结构，包括多行第一字线和多条第一导电线，各第一导电线与奇数行或偶数行的各第一字线对应设置且彼此连接；多个第一导电触点与各第一导电线对应设置，多个第二导电触点与各第一导电触点对应设置且彼此隔离；各第二导电触点连接至...
    2026-03-21
  • 半导体结构以及集成组合件
    半导体结构以及集成组合件_长鑫科技集团股份有限公司_202411267637.7
    本公开实施例提供了一种半导体结构，包括：相对的第一表面和第二表面；第一连接垫和第二连接垫，设置于第一表面；第三连接垫、第四连接垫和第五连接垫，设置于第二表面；存储单元区域，存储单元区域设置在第一表面与第二表面之间，存储单元区域包括沿第一方向...
    2026-03-21
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(天津)有限公司_202411203623.9
    一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，所述基底包括多层金属连线层，所述多层金属连线层包括第一金属连线层和第二金属连线层；在所述第一金属连线层上形成至少一个第一电容结构，所述第一电容结构包括第一底电极、位于所述第一底电极上的...
    2026-03-21
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子设备
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411259913.5
    一半导体器件及其制造方法、电子设备，半导体器件包括：设置在衬底上的阶梯区域，阶梯区域包括沿垂直于衬底方向堆叠的多个导电层，相邻的导电层之间设置有绝缘膜层，至少存在一个所述绝缘膜层包括沿平行于衬底方向分布的第一绝缘层、隔离层和支撑层，隔离层在...
    2026-03-21
  • 一种大马士革膜层结构及其制备方法
    一种大马士革膜层结构及其制备方法_珠海天成先进半导体科技有限公司_202511931469.1
    本发明公开了一种大马士革膜层结构及其制备方法，属于半导体制造技术领域。该方法采用PECVD工艺，在铜基底上于350℃沉积Si3N4作为停止层；在停止层上于180℃沉积SiO2作为图形化层；再于400℃沉积SiOxNy作为介电抗反射层。通过调...
    2026-03-21
  • 半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备
    半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备_苏州龙驰半导体科技有限公司_202511924015.1
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备。该方法包括提供基底，并图案化基底，以在基底中形成接触孔；形成阻挡层，阻挡层至少覆盖于接触孔的内壁上，阻挡层的材质为NiSix；执行沉积工艺形成导电材料层，导电材料层填充部分接触孔，并覆盖...
    2026-03-21
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_湖北江城芯片中试服务有限公司_202511819080.8
    本申请公开了一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括提供第一晶圆，第一晶圆包括衬底、堆叠结构、第一停止层以及第一保护层；对第一晶圆进行图形化处理形成互连通孔；在形成互连通孔后，去除第一保护层，使第一停止层暴露；在去除第一保护层后，在互连...
    2026-03-21
  • 多孔阵列互连线的制备方法
    多孔阵列互连线的制备方法_上海傲睿科技有限公司_202511789889.0
    本发明提供了一种多孔阵列互连线的制备方法，首先，通过结构设计阶段的几何关系，预先确定侧壁倾角、介质层厚度与通孔间距的定量关系，为形成稳定的梯形或三角形支撑结构提供保障。其次，在工艺上，采用基于氧等离子体的灰化以及低选择比刻蚀技术，通过精确控...
    2026-03-21
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_深圳市昇维旭技术有限公司_202511748553.X
    本申请公开了一种半导体结构及其制备方法，制备方法包括：提供基底，在基底上部形成镶嵌的多个金属柱，其中，金属柱通过ALD工艺形成，金属柱的上表面与基底的上表面平齐；在基底和金属柱的上表面形成保护层；在保护层上形成具有多个开口的掩膜层，其中，多...
    2026-03-21
  • 芯片及其制备方法、电子设备
    芯片及其制备方法、电子设备_北京大学_202511656767.4
    本申请提供了一种芯片及其制备方法、电子设备；该芯片的制备方法包括：在晶圆背面形成低层金属层，其中，低层金属层中包括低层金属结构，低层金属结构与在晶圆正面形成的半导体器件电连接；在低层金属层上方，形成后道器件；至少基于后道器件，形成电压转换模...
    2026-03-21
  • 芯片及其制备方法、电子设备
    芯片及其制备方法、电子设备_北京大学_202511656761.7
    本申请提供了一种芯片及其制备方法、电子设备；该芯片的制备方法包括：在第一晶圆背面形成低层金属层，其中，低层金属层中包括低层金属结构，低层金属结构与在第一晶圆正面形成的半导体器件电连接；在第二晶圆正面形成高层金属层，其中，高层金属层中包括高层...
    2026-03-21
  • 半导体装置与其形成方法
    半导体装置与其形成方法_南亚科技股份有限公司_202411518145.0
    一种半导体装置，包含基板、主动栅极结构、虚设栅极结构，以及储存节点。基板包含主动区以及围绕主动区的隔离结构，其中隔离结构为双层结构，且隔离结构的平均介电常数为小于3.9。主动栅极结构设置于主动区中，虚设栅极结构设置于隔离结构中。储存节点设置...
    2026-03-21
  • BCD工艺中改善有源区CDU的方法
    BCD工艺中改善有源区CDU的方法_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202511936662.4
    本发明公开了一种BCD工艺中改善有源区CDU的方法，包括：在所述硅衬底上依次淀积缓冲氧化层、SiN层和SiON层；通过光刻和刻蚀工艺在硅衬底上形成浅隔离沟槽；通过热氧化工艺形成高温氧化层；去除SiON层表面在热氧化工艺过程中形成的表面氧化层...
    2026-03-21
  • 一种自主修复辐照损伤的芯片系统及方法
    一种自主修复辐照损伤的芯片系统及方法_西安电子科技大学_202511810539.8
    本发明公开了一种自主修复辐照损伤的芯片系统及方法，包括功能芯片、温度传感器、介电导热层、射频加热器及隔热衬底；所述介电导热层作为桥接层用于将射频加热器的产生的热量传递到功能芯片，同时所述介电导热层也为功能芯片提供电绝缘；所述功能芯片作为退火...
    2026-03-21
  • 一种可转移衬底的半导体器件及其制备方法
    一种可转移衬底的半导体器件及其制备方法_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202511909123.1
    本发明公开了一种可转移衬底的半导体器件及其制备方法，包括：基础衬底；半导体器件结构层，位于所述基础衬底一侧；可剥离中间层，位于所述基础衬底和所述半导体器件结构层之间；其中，所述可剥离中间层具有电穿透性，并且能够使所述基础衬底和所述半导体器件...
    2026-03-21
  • 碳化硅衬底离子注入的硬掩膜层结构及离子注入方法
    碳化硅衬底离子注入的硬掩膜层结构及离子注入方法_杰平方半导体(上海)有限公司_202411207226.9
    本发明公开了一种碳化硅衬底离子注入的硬掩膜层结构及离子注入方法，属于半导体镀膜技术领域，该碳化硅衬底离子注入的硬掩膜层结构，包括碳化硅衬底；无定形碳膜层，设置在所述碳化硅衬底的顶部，所述碳化硅衬底和所述无定形碳膜层之间还设置有第一氧化硅层，...
    2026-03-21
  • 一种翘曲晶圆矫正方法
    一种翘曲晶圆矫正方法_宁波芯丰精密科技有限公司_202512042851.3
    本申请公开了一种翘曲晶圆矫正方法，属于半导体技术领域。该翘曲晶圆矫正装置，第一抵压机构包括第一吸盘组件，若干个第一吸盘组件呈阵列排布，第一吸盘组件包括第一吸盘，第一吸盘沿第一方向滑动连接于机架且正对第一板面，若干个第一吸盘沿第一方向的移动范...
    2026-03-21
  • 一种带手持区与预定断裂结构的FMM及其后段处理方法
    一种带手持区与预定断裂结构的FMM及其后段处理方法_拓维光电材料(滁州)有限公司_202511918613.8
    本发明公开一种带手持区与预定断裂结构的FMM及其后段处理方法，属于OLED显示面板制造领域；结构包括产品区，以及位于产品区两侧的手持区；手持区与产品区的交界位置设置有预定断裂结构，预定断裂结构包括位于A面的矩形线槽，以及位于B面且与矩形线槽...
    2026-03-21
  • 一种超导量子芯片、衬底及其加工方法
    一种超导量子芯片、衬底及其加工方法_本源量子计算科技(合肥)股份有限公司_202411199843.9
    本申请公开了一种超导量子芯片、衬底及其加工方法，属于深硅刻蚀技术领域。加工衬底的方法包括：提供表面设置有第一光刻胶层的衬底；第一光刻胶层形成有露出部分衬底的第一沟槽；在第一沟槽的内壁形成保护层；保护层围绕形成第二沟槽；在衬底的厚度方向上，通...
    2026-03-21
首页 上一页 7 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证