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最新专利技术
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202411722809.5
    涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置包含第一电极、第二电极、半导体层、多个第三电极、第四电极、第一绝缘层和布线。第二电极位于第一电极的上方。半导体层设于第一电极与第二电极之间，包含第一导电型的第一半导体区域、设于其上的第二导电型的第二半导...
    2026-03-25
  • 一种金属栅极的制作方法及集成电路器件
    一种金属栅极的制作方法及集成电路器件_上海微阱电子科技有限公司_202511958704.4
    本发明涉及半导体生产领域，特别是涉及一种金属栅极的制作方法及集成电路器件，通过提供预制基底；对所述预制基底进行第一次平坦化，暴露所述占位结构；去除所述伪栅，得到待填充空位；在所述待填充空位内设置功函数层；在设置了所述功函数层的预制基底上整面...
    2026-03-25
  • 一种栅氧化层生长方法、半导体器件
    一种栅氧化层生长方法、半导体器件_浙江创芯集成电路有限公司_202511926760.X
    本申请涉及半导体器件制备领域，公开了一种栅氧化层生长方法、半导体器件，其中，所述方法包括：提供一个硅衬底，依次硅衬底进行第一干氧氧化、湿氧氧化和第二干氧氧化，以在硅衬底表面形成栅氧化层，其中，在进行湿氧氧化之后、以及第二干氧氧化之前，执行保...
    2026-03-25
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_荣芯半导体(淮安)有限公司_202511857128.4
    本申请提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，包括第一区域与第二区域；在衬底上形成第一栅氧化层与光刻胶层；对光刻胶层进行光刻工艺形成图形化的光刻胶层，暴露出第二区域，且通过调整光刻工艺使得图形化的光刻胶层靠近第二区域一侧的侧...
    2026-03-25
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_重庆芯联微电子有限公司_202511654799.0
    本发明提供一种半导体结构及其形成方法，在半导体结构的形成方法中，先形成第一栅介质层，第一栅介质层覆盖第一阱区和第二阱区的衬底；然后采用原子层沉积工艺形成第二栅介质层，第二栅介质层覆盖第一栅介质层；其中，第二栅介质层的材料为HfTiO。钛是一...
    2026-03-25
  • 具有底部阻挡金属层的半导体结构及其形成方法
    具有底部阻挡金属层的半导体结构及其形成方法_重庆芯联微电子有限公司_202511654797.1
    本发明提供一种具有底部阻挡金属层的半导体结构的形成方法，衬底上依次形成有栅氧层和介电层；采用物理气相沉积工艺形成底部阻挡金属层，底部阻挡金属层覆盖介电层，以阻挡介电层中的氧扩散；其中，底部阻挡金属层的材料为TiXN，X包括La、Zr或者Eu...
    2026-03-25
  • 晶体管器件和用于制造晶体管器件的方法
    晶体管器件和用于制造晶体管器件的方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202511095977.0
    晶体管器件和用于制造晶体管器件的方法。在实施例中，提供了一种晶体管器件，其包括：具有第一主表面、有源区域和横向围绕有源区域的边缘区的半导体衬底，位于有源区域中的第一主表面中的一个或多个沟槽，沟槽下部中的场板和场板上方的一个或多个沟槽上部中的...
    2026-03-25
  • 一种新型双异质结结构及其制造方法
    一种新型双异质结结构及其制造方法_中国科学院微电子研究所_202411254511.6
    本发明涉及一种SiC/SiC/金刚石双异质结结构及其制造方法，属于半导体材料与器件技术领域，解决了现有碳化硅器件载流子迁移率偏低和无法实现超高温工作等问题。本发明的双异质结结构包括金刚石层、设于金刚石层上的第一SiC层和设于第一SiC层上的...
    2026-03-25
  • 具有高雪崩鲁棒性的碳化硅功率器件及其制备方法、芯片
    具有高雪崩鲁棒性的碳化硅功率器件及其制备方法、芯片_深圳天狼芯半导体有限公司_202610195574.1
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种具有高雪崩鲁棒性的碳化硅功率器件及其制备方法、芯片，通过在N型漂移区与碳化硅衬底之间的界面的第一侧形成异质埋岛区，异质埋岛区与P型阱区相对设置，P型阱区与N型漂移区构成PN结，在远离该PN结的区域引入异...
    2026-03-25
  • 一种碳化硅JTE结构的器件终端及其制备方法
    一种碳化硅JTE结构的器件终端及其制备方法_无锡新洁能股份有限公司_202511825862.2
    本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种碳化硅JTE结构的器件终端及其制备方法。终端包括N型漏极及漏极金属，在N型漏极的上表面设有N型外延层，在N型外延层的上表面设有P型掺杂区，在P型掺杂区的右侧设有第一JTE区，第一JTE区的内部从左至...
    2026-03-25
  • 一种碳化硅场效应晶体管器件及其制造工艺
    一种碳化硅场效应晶体管器件及其制造工艺_无锡新洁能股份有限公司_202511815467.6
    本发明涉及一种半导体器件，具体涉及一种碳化硅场效应晶体管器件及其制造工艺。本发明的器件包括N型漏极及漏极金属，在N型漏极上表面设有N型外延层和P型体区，P型体区上方设有N型重掺杂区和P型源极重掺杂区，N型重掺杂区位于P型源极重掺杂区两侧，N...
    2026-03-25
  • 具有空气间隔物的半导体元件及其制造方法
    具有空气间隔物的半导体元件及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202510283535.2
    本申请案公开一种具有空气间隔物的半导体元件及其制造方法。此半导体元件包括：一基板；一栅极结构，位于该基板上；多个内部间隔层，位于该栅极结构的侧壁上；多个外部间隔层，位于该多个内部间隔层上；多个气隙，位于该多个内部间隔层与该多个外部间隔层之间...
    2026-03-25
  • 一种垂直沟道半导体器件及其制造方法
    一种垂直沟道半导体器件及其制造方法_深圳市昇维旭技术有限公司_202511658106.5
    一种垂直沟道半导体器件及其制造方法，该制造方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有导电材料层；形成覆盖所述导电材料层的研磨停止层；依次刻蚀所述研磨停止层和所述导电材料层，以形成贯穿所述研磨停止层和所述导电材料层的沟槽；形成填充所述沟槽且覆盖所述...
    2026-03-25
  • 高雷击浪涌耐量的超高压结型场效应管器件及其制作方法
    高雷击浪涌耐量的超高压结型场效应管器件及其制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610182773.9
    本发明提供一种高雷击浪涌耐量的超高压结型场效应管器件及其制作方法，超高压结型场效应管器件包括衬底，衬底中具有第一深阱、第二深阱、第一高掺杂阱和第二高掺杂阱，第二高掺杂阱与第一深阱和第二深阱连通；衬底中具有与第一高掺杂阱连接的一阱，一阱中形成...
    2026-03-25
  • 半导体装置以及半导体装置的制造方法
    半导体装置以及半导体装置的制造方法_株式会社半导体能源研究所_202511974617.8
    提供一种通态电流大且可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，包括第一绝缘体、第一绝缘体上的第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第二氧化物上的第三氧化物及第四氧化物、第三氧化物上的第一导电体、第四氧化物上的第二导电体、第二氧化物上的第五氧化物...
    2026-03-25
  • 一种混合异质结三值逻辑氧化物薄膜晶体管及其制备方法
    一种混合异质结三值逻辑氧化物薄膜晶体管及其制备方法_西安电子科技大学_202511904067.2
    本发明公开一种混合异质结三值逻辑氧化物薄膜晶体管及其制备方法，主要解决现有三值逻辑晶体管的三种状态区别特征不明显以及器件可靠性低的问题。其包括衬底、沟道层、源电极和漏电极。该沟道层包括高空穴迁移率的准二维p型Zn掺杂氧化物Bi2O2Se和高...
    2026-03-25
  • 具有电子积累与电场调制的双效碳化硅沟槽栅VDMOSFET
    具有电子积累与电场调制的双效碳化硅沟槽栅VDMOSFET_桂林电子科技大学_202511948800.0
    本发明公开了一种高性能碳化硅沟槽栅VDMOSFET(垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)器件结构及其工作原理，属于功率半导体技术领域。该器件针对传统VDMOSFET在中高压应用场景下导通电阻与耐压性能难以兼顾的核心问题，提出多项结构创新...
    2026-03-25
  • 沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法
    沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法_无锡新洁能股份有限公司_202511825860.3
    本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法，包括漏极金属及其上方的N型衬底、N型外延层、N型JFET区、P型体区、重掺杂N型源区和源极金属，在N型外延层的一端设有纵向沟槽，在纵向沟槽内部设有沟槽栅多晶...
    2026-03-25
  • 横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法
    横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法_东南大学_202511913256.6
    本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法。横向扩散金属氧化物半导体器件包括：衬底，衬底内设有阱区、漂移区、第一源漏区和第二源漏区；漂移区连接于阱区靠近衬底的正面一侧，第一源漏区和第二源漏区在漂移区内沿第一方向间隔排布；第一方向...
    2026-03-25
  • 绝缘体上硅LDMOS及其制造方法
    绝缘体上硅LDMOS及其制造方法_东南大学_202511913141.7
    本发明涉及一种绝缘体上硅LDMOS及其制造方法，所述绝缘体上硅LDMOS包括依次叠设的衬底、绝缘埋层及顶部半导体层，所述顶部半导体层包括：源极区；漏极第一接触区；漂移区，至少部分所述漂移区位于所述源极区和漏极第一接触区之间；所述绝缘体上硅L...
    2026-03-25
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