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最新专利技术
  • 校准方法、集成电路以及包括集成电路的存储器件
    校准方法、集成电路以及包括集成电路的存储器件_三星电子株式会社_202511225891.5
    提供了一种校准方法、集成电路和存储器件。校准方法包括：输出通过基于校准信号和第一电压来补偿第一数据时钟而获得的第二数据时钟；基于第一数据时钟和第二数据时钟来输出第一脉冲；基于参考电压和第一脉冲来更新控制信号，该参考电压是基于控制信号生成的；...
    2026-05-14
  • 移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路、显示装置
    移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202411612335.9
    提供了一种移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路、显示装置，属于显示技术领域。由于该移位寄存器单元中，寄存电路能够在输入信号和时钟信号等信号的控制下，在不同时段向控制节点传输不同电位的信号，使得传输电路和输出电路均能够在该控制节点的电位控...
    2026-05-14
  • 存储器的操作方法、存储器及存储器系统
    存储器的操作方法、存储器及存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202610024253.5
    本公开提供了一种存储器的操作方法、存储器及存储器系统，涉及存储器技术领域，旨在解决如何缩短编程时间的问题。该方法包括：对存储器的多个存储单元执行多次第一编程验证操作，得到第1编程态至第i编程态的多个存储单元，i为正整数，第一编程验证操作中基...
    2026-05-14
  • 存储器控制方法、装置及存储器
    存储器控制方法、装置及存储器_兆易创新科技集团股份有限公司_202411613348.8
    本公开提供一种存储器控制方法、装置及存储器，属于数据存储技术领域。该方法包括：响应于存储器的温度值满足预设温度条件且存储器处于擦除准备状态，确定存储器中将进行耦合的位线及字线；控制待耦合字线施加至第一电压值，控制非耦合字线浮空，控制顶部选择...
    2026-05-14
  • 存储装置的最优读电压确定方法、电子设备及存储介质
    存储装置的最优读电压确定方法、电子设备及存储介质_慧忆微(上海)科技有限公司_202610478532.9
    本申请公开了一种存储装置的最优读电压确定方法、电子设备及存储介质。所述存储装置的最优读电压确定方法包括：获取到存储装置在不同电压区间内的多个单元分布数量；确定多个单元分布数量中的极小值，以极小值的位置为基准，在多个单元分布数量中进行遍历，直...
    2026-05-14
  • 一种非易失性闪存存储器及数据同或处理方法
    一种非易失性闪存存储器及数据同或处理方法_至讯创新科技(无锡)有限公司_202610153992.4
    本发明提供一种非易失性闪存存储器及数据同或处理方法，包括：第一锁存器用于存储写入的第一数据和同或操作后的结果数据；第二锁存器用于存储读取的第二数据；位线缓存器用于利用非易失性闪存存储器中的位线，存储同或操作中产生的中间数据。通过将位线作为额...
    2026-05-14
  • 包括多个存储装置的存储器封装件
    包括多个存储装置的存储器封装件_三星电子株式会社_202511488922.6
    一种存储器封装件包括：第一存储装置，包括被配置为与主机通信的第一控制器；以及第二存储装置，包括被配置为与主机通信并基于从第一控制器接收的同步信号执行与第一存储装置的同步操作的第二控制器。第一控制器包括：第一同步器，被配置为基于第一存储装置的...
    2026-05-14
  • 数据存储装置及解码组合选择方法
    数据存储装置及解码组合选择方法_慧荣科技股份有限公司_202411604107.7
    一种数据存储装置及解码组合选择方法，数据存储装置包括非挥发性内存以及处理电路，非挥发性内存包括多个块，每一块包括多个页，解码组合选择方法由处理电路执行以包括：周期性地读取非挥发性内存中的任一页以更新块状态表中的包括所述任一页的第一块的状态参...
    2026-05-14
  • SONOS存储器的存储阵列及其编程方法
    SONOS存储器的存储阵列及其编程方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202610113611.X
    本发明提供了一种SONOS存储器的存储阵列及其编程方法，所述存储阵列的存储单元包括一个选择管和平均分布在所述选择管两侧四个存储管，四个存储管呈分栅结构分布在选择管两侧，可大幅缩减存储面积，提高存储密度。进一步的，本发明提供的SONOS存储器...
    2026-05-14
  • 存储器编程控制电路
    存储器编程控制电路_力旺电子股份有限公司_202511645873.2
    存储器编程控制电路包括主计数器、N个寄存器、N个D型正反器、更新控制单元、群组计数器和写入控制单元。主计数器根据时钟信号增加主计数器值。N个寄存器储存待写入存储器的N个位元。更新控制单元随主计数器值增加，用储存在N个寄存器中的数据依序更新N...
    2026-05-14
  • 双多晶硅非易失性存储器位单元
    双多晶硅非易失性存储器位单元_半导体元件工业有限责任公司_202510329844.9
    本公开涉及双多晶硅非易失性存储器位单元。公开了一种非易失性存储器(NVM)位单元。该NVM位单元包括控制栅极、状态晶体管以及与状态晶体管串联耦接的存取晶体管。该控制栅极包括由第一多晶硅层形成的浮动端子、由第二多晶硅层形成的控制端子以及形成于...
    2026-05-14
  • 半导体装置、存算装置及电子设备
    半导体装置、存算装置及电子设备_杭州知存算力科技有限公司_202411600535.2
    本申请提供一种半导体装置、存算装置及电子设备，涉及半导体技术领域。该半导体装置包括：存储单元，存储有第一权值数据，第一权值数据对应存储单元的电导或跨导，存储单元用于耦接第一输入信号，并基于第一权值数据输出第一输出信号；第一补偿单元，存储有第...
    2026-05-14
  • 一种具有自愈合能力的固态硬盘及其控制方法
    一种具有自愈合能力的固态硬盘及其控制方法_芯盛智能科技(湖南)有限公司_202610478765.9
    本发明公开了一种具有自愈合能力的固态硬盘及其控制方法，涉及固态硬盘技术领域，固态硬盘包括PCB电路板以及PCB电路板上通过表面贴装技术焊接的主控芯片、专用电源模块以及NAND Flash存储颗粒，所述NAND Flash存储颗粒为标准的塑封...
    2026-05-14
  • 智能感知存储器的进化方法、系统和装置
    智能感知存储器的进化方法、系统和装置_联和存储科技(江苏)有限公司_202610088894.7
    本发明公开一种智能感知存储器的进化方法、系统和装置，方法包括：接收上位机发送的多模态物理信号，并对多模态物理信号进行调制处理得到的电导分布参数；对电导分布参数进行受控弛豫得到稳态电流分布数据；根据预设阈值对稳态电流分布数据进行稀疏采样得到稀...
    2026-05-14
  • 基于浮栅晶体管结构的非易失静态存储器
    基于浮栅晶体管结构的非易失静态存储器_中国科学院微电子研究所_202511882512.X
    本发明公开基于浮栅晶体管结构的非易失静态存储器，涉及存储器技术领域，用于解决现有技术中SRAM六管单元易失、Flash操作速度慢以及部分存储工艺不成熟的问题。至少包括：SRAM六管单元；以及与SRAM六管单元结合的非易失浮栅存储器件；非易失...
    2026-05-14
  • 快速低泄漏SRAM单元
    快速低泄漏SRAM单元_豪威科技股份有限公司_202511310404.5
    本文中公开了例如用于数字显示系统的快速低泄漏SRAM单元。在一个实施例中，一种位存储电路包含锁存器、第一晶体管及第二晶体管。所述锁存器可具有包含第一反相器及第二反相器的一对交叉耦合的反相器。所述第一晶体管可具有经耦合以接收第一控制信号的源极...
    2026-05-14
  • 快速低泄漏SRAM单元
    快速低泄漏SRAM单元_豪威科技股份有限公司_202511292958.7
    本文中公开了例如用于数字显示系统的快速低泄漏SRAM单元。在一个实施例中，一种位存储电路包含耦合在电源电压与地之间的锁存器，以及第一到第四晶体管。所述锁存器可包括具有第一反相器及第二反相器的一对交叉耦合的反相器。所述第一晶体管可至少部分地基...
    2026-05-14
  • 低温SF-eDRAM及低温自适应基准电压生成电路
    低温SF-eDRAM及低温自适应基准电压生成电路_上海科技大学_202610081014.3
    本发明技术方案的第一个方面是公开了一种低温SF‑eDRAM，其特征在于，由写入管N1、读取管P1、选通管N2、选通管P2以及电容C0组成。本发明技术方案的第二个方面是公开了一种低温自适应基准电压生成电路。本发明针对传统基于SRAM的ACAM...
    2026-05-14
  • 一种磁随机存储器数据写入方法、装置及系统
    一种磁随机存储器数据写入方法、装置及系统_杭州市北京航空航天大学国际创新研究院(北京航空航天大学国际创新学院)_202610135595.4
    本申请提供的磁随机存储器数据写入方法，所述方法包括：基于待写入数据确定第一写入信号，通过第一写入信号将多个磁隧道结写为第一数据；若待写入数据中包含位于其至少一个端部的至少一个第一类第二数据，确定第二写入信号，通过所述第二写入信号将第一类第二...
    2026-05-14
  • 一种4T2MTJ存储单元及其存内计算方法
    一种4T2MTJ存储单元及其存内计算方法_上海科技大学_202610032615.5
    本发明的第一个方面是公开了一种基于STT辅助SOT无场写入机制的4T2MTJ存储单元。本发明的第二个方面是公开了一种上述4T2MTJ存储单元的存内计算方法。与传统2T1MTJ MRAM结构相比，其需多个辅助CMOS电路及参考路径方能实现基本...
    2026-05-14
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