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最新专利技术
  • 多层基板的制造方法及半导体装置
    多层基板的制造方法及半导体装置_株式会社力森诺科_202380097530.X
    作为封装基板的制造方法的一例，准备具有固化的绝缘层的第1基板(30)、具有固化的绝缘层的第2基板(40)、具有固化的绝缘层的第3基板(50)及具有固化的绝缘层的第4基板(60)。在第1基板(30)与第2基板(40)之间夹入半固化的接合体(7...
    2025-11-29
  • 布线电路基板、半导体封装基板、电子设备、以及布线电路基板的制造方法
    布线电路基板、半导体封装基板、电子设备、以及布线电路基板的制造方法_日东电工株式会社_202480028895.1
    再布线基板具有在支承层上层叠有多个第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层以及第四绝缘层的结构。在多个绝缘层中的最上部的第一绝缘层形成有多个贯通孔。以填埋各贯通孔的方式形成有第三导体层。在位于第三导体层的上端部的端子形成部上形成有端子部。多个贯通...
    2025-11-29
  • 垂直动态随机存取存储器(DRAM)器件的背面工艺中的字线保护方法
    垂直动态随机存取存储器(DRAM)器件的背面工艺中的字线保护方法_长江存储科技有限责任公司_202480000715.9
    一种半导体存储器器件包括在位线方向上布置的沟槽隔离；在垂直于位线方向的字线方向上布置的栅极结构；在垂直于位线方向和字线方向的垂直方向上布置并由沟槽隔离和栅极结构分开的垂直晶体管沟道的阵列，每列中的垂直晶体管沟道的顶端在半导体存储器器件的背面...
    2025-11-29
  • 用于4F2的超薄主体阵列晶体管
    用于4F2的超薄主体阵列晶体管_应用材料公司_202480027574.X
    本技术包括垂直单元阵列晶体管(VCAT)，其包括在第一水平方向上布置的位线和在第二水平方向上布置的字线。阵列包括沟道，在与第一方向和第二水平方向大体上正交的垂直方向上延伸，使得位线与多个沟道的源极/漏极区域相交，字线与多个沟道的栅极区域相交...
    2025-11-29
  • 3D存储器模制膜堆叠
    3D存储器模制膜堆叠_应用材料公司_202480027990.X
    本文提供了三维(3D)存储器结构及其形成方法。在一些实施方式中，3D存储器制造结构包括：基底硅(Si)层；硅锗(SiGe)层，其设置在基底Si层上方；以及经掺杂的硅(Si)层，其设置在SiGe层的至少一侧上，其中经掺杂的Si层含有掺杂剂，所...
    2025-11-29
  • 管理半导体装置中的保护结构
    管理半导体装置中的保护结构_长江存储科技有限责任公司_202480000988.3
    本公开涉及用于管理半导体装置中的保护结构的方法、装置、系统和技术。一种示例性半导体装置包括至少一个阵列区、至少一个连接区以及围绕所述至少一个阵列区和所述至少一个连接区的保护结构。所述保护结构具有包括连接在一起的一系列弯曲部分的表面。
    2025-11-29
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_罗姆股份有限公司_202480020671.6
    本发明的半导体装置包括：芯片，其具有主面；第一导电型的漂移区域，其形成于所述主面的表层部；以及第二导电型的主体区域，其以水平方向的宽度朝向厚度方向减少的方式在所述漂移区域的表层部形成为前端变细形状，且具有相对于所述主面沿倾斜方向倾斜的周缘部...
    2025-11-29
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202480027716.2
    具备：碳化硅层，包括第一导电型的第一碳化硅区域、第二导电型的第二碳化硅区域以及第一导电型的第三碳化硅区域，并具有第一面以及第二面；第一栅极电极以及第二栅极电极，沿第一方向延伸；第一面侧的第一电极，包括在第一栅极电极与第二栅极电极之间与第二碳...
    2025-11-29
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202480027717.7
    实施方式的半导体装置具备：第一电极；第二电极；以及碳化硅层，所述碳化硅层包括：第一导电型的第一碳化硅区域；第二导电型的第二碳化硅区域，设置于第一碳化硅区域与第一面之间，与栅极电极对置，与第一电极电连接；第三碳化硅区域以及第四碳化硅区域；第一...
    2025-11-29
  • 碳化硅衬底、碳化硅半导体装置及碳化硅衬底的制造方法
    碳化硅衬底、碳化硅半导体装置及碳化硅衬底的制造方法_住友电气工业株式会社_202480025712.0
    碳化硅衬底具有：碳化硅单晶衬底，具有第一导电型；碳化硅外延层，设置在所述碳化硅单晶衬底上，具有所述第一导电型；以及漂移层，设置在所述碳化硅外延层上，具有所述第一导电型，所述碳化硅外延层具有第一区域和第二区域，所述第一区域位于所述第二区域上，...
    2025-11-29
  • 碳化硅半导体装置
    碳化硅半导体装置_株式会社电装_202480027722.8
    在元件隔离区域(In)中，形成配置于主单元区域(Rm)与感测单元区域(Rs)之间并且比衬底层(18)深的多条隔离沟槽(40)，由此将衬底层(18)分离为主单元区域侧和感测单元区域侧。而且，在多条隔离沟槽各自的底部，具备相互分离地配置并且与该...
    2025-11-29
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_株式会社半导体能源研究所_202480023847.3
    提供一种能够微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括晶体管及绝缘体，绝缘体设置于晶体管的源极和漏极中的一个上，晶体管的源极和漏极中的另一个设置于绝缘体上，在绝缘体及源极和漏极中的另一个中设置到达源极和漏极中的一个的开口部，晶体管所包括...
    2025-11-29
  • 氮化铪粘附层
    氮化铪粘附层_任耐特公司_202480026815.9
    公开了一种可用于制作半导体器件的新颖的氮化铪粘附层。特别地，如薄膜晶体管(其包括由具有高电子浓度的金属(比如钼、钨、镍、钌、钴及其合金)形成的一个或多个元件)等半导体器件可以采用本发明来更好地将金属元件粘附到其上形成有半导体器件的电介质材料...
    2025-11-29
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_新唐科技日本株式会社_202480022422.0
    半导体装置(1)具有：电子行进层(103)；电子供给层(104)，设置在电子行进层(103)上，带隙比电子行进层(103)大；栅极电极(303)，设置在电子供给层(104)上；接触层(212)，在隔着栅极电极(303)的位置被埋入到将电子供...
    2025-11-29
  • 具有包括超晶格的偏移源极/漏极掺杂剂阻挡结构的纳米结构晶体管和相关方法
    具有包括超晶格的偏移源极/漏极掺杂剂阻挡结构的纳米结构晶体管和相关方法_阿托梅拉公司_202480021065.6
    一种半导体装置可以包括衬底和衬底上的间隔开的栅极堆叠，所述栅极堆叠在其间限定相应的沟槽。每个栅极堆叠可以包括第一半导体材料和第二半导体材料的交替层，其中第二半导体材料的层限定纳米结构。该半导体装置还可以包括沟槽内的相应的源极/漏极区、与第一...
    2025-11-29
  • 用于半导体触点的最佳材料堆叠
    用于半导体触点的最佳材料堆叠_应用材料公司_202480027256.3
    本公开的方法使得能够形成高导电性触点，所述高导电性触点促进提高器件速度和降低半导体器件的操作电压，所述半导体器件诸如但不限于半导体上金属(MOS)晶体管和类似物。在一个实施方式中，所述方法通过形成金属‑绝缘体‑半导体(MIS)接触结构或非化...
    2025-11-29
  • 半导体装置的制造方法以及半导体装置
    半导体装置的制造方法以及半导体装置_株式会社力森诺科_202380097616.2
    作为半导体装置的制造方法的一例，例如，准备四个半导体晶片(40、50、60、70)。在该制造方法中，通过混合键合将半导体晶片(40)和半导体晶片(50)接合，从而制作层叠晶片(100)。同样地，通过混合键合将半导体晶片(60)和半导体晶片(...
    2025-11-29
  • 用于环绕式栅极场效应晶体管的选择性覆盖
    用于环绕式栅极场效应晶体管的选择性覆盖_应用材料公司_202480026707.1
    本公开的实施例包括一种在半导体基板上形成环绕式栅极(GAA)接触结构的方法。方法将包括：从在包括多个特征的基板的表面中形成的特征的表面移除材料，多个特征各自包括多个源极/漏极接触表面；在多个源极/漏极接触表面中的每一者的表面上方选择性地形成...
    2025-11-29
  • 一种半导体器件、其制作方法、功率转换电路及车辆
    一种半导体器件、其制作方法、功率转换电路及车辆_华为技术有限公司_202380097114.X
    本申请提供一种半导体器件、其制作方法、功率转换电路及车辆。半导体器件包括：N型的半导体衬底、外延层、以及相互连接的第一栅极和第二栅极。其中，第一栅极沿第一方向延伸，第二栅极沿第二方向延伸。第一栅极和第二栅极分别位于外延层内的不同沟槽中；第一...
    2025-11-29
  • 电子器件和电路
    电子器件和电路_务实半导体有限公司_202480015176.6
    本发明公开了一种制造至少第一电子器件(1，1a)的方法，该第一电子器件(1，1a)包括第一多个部件(11，12，13，131，132，14，15，16)。该方法包括：提供衬底(2)，以至少在第一电子器件的制造期间支撑该第一电子器件；以及通过...
    2025-11-29
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