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最新专利技术
  • 单片集成多沟道鳍形栅HEMT和凹槽SBD及制备方法
    单片集成多沟道鳍形栅HEMT和凹槽SBD及制备方法_西安电子科技大学_202511777983.4
    本发明提供单片集成多沟道鳍形栅HEMT和凹槽SBD及制备方法，包括：衬底层、多沟道鳍形栅HEMT和凹槽阳极SBD；多沟道鳍形栅HEMT包括第一缓冲层、重复层叠的第一势垒层和第一沟道层、p‑GaN层、源极、漏极、介质层、栅极和多个凹槽；多个凹...
    2026-03-23
  • 单片集成p-GaN HEMT-Si SBD器件及其制备方法
    单片集成p-GaN HEMT-Si SBD器件及其制备方法_西安电子科技大学_202511777988.7
    本申请提供了一种单片集成p‑GaN HEMT‑Si SBD器件及其制备方法，通过将p‑GaN HEMT和Si SBD单片集成，利用Si SBD的低开启电压，显著降低反向导通损耗。通过将p‑GaN HEMT和Si SBD单片集成，减小器件间外...
    2026-03-23
  • 氮化镓晶体管组件
    氮化镓晶体管组件_力智电子股份有限公司_202411202032.X
    本发明提供一种氮化镓晶体管组件。氮化镓晶体管组件包括半导体叠层、第一晶体管、第二晶体管、介电层、内连线结构以及电容结构。半导体叠层具有第一区及第二区。第一晶体管设置于半导体叠层的第一区之上。第二晶体管设置于半导体叠层的第二区之上。介电层设置...
    2026-03-23
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411194548.4
    本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，第一凹槽和第二凹槽从衬底的表面延伸至衬底内，并分别位于衬底的外围电路区和核心电路区中；未掺杂外延缓冲层覆盖第一凹槽的内壁；第一嵌入式外延层和第二嵌入式外延层分别填充第一凹槽和第二凹槽；第一栅极结构位于...
    2026-03-23
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_世界先进积体电路股份有限公司_202411260983.2
    本申请提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括具有第一导电类型的一基底；位于基底上的一外延层，且外延层具有第一导电类型；一第一掺杂区域，自前述外延层的顶表面延伸至外延层中，且第一掺杂区域具有第一导电类型；位于第一掺杂区域中的第一元件...
    2026-03-23
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510462456.8
    一种半导体装置包括：有源图案，在第一区域中包括多个沟道图案；栅电极，围绕所述多个沟道图案；掺杂底部图案，在第二区域中包括的第一阱区域和第二阱区域，第一阱区域具有第一导电类型，第二阱区域与第一阱区域在相同高度处并且具有第二导电类型；器件隔离层...
    2026-03-23
  • 集成电路装置
    集成电路装置_三星电子株式会社_202511116166.4
    一种集成电路装置可以包括：在竖直方向上延伸的至少一个第一半导体图案；连接到所述至少一个第一半导体图案在第一水平方向上的端部的第一源极/漏极区；在竖直方向上延伸并且在第二水平方向上与所述至少一个第一半导体图案间隔开的至少一个第二半导体图案；连...
    2026-03-23
  • 半导体器件及其设计方法
    半导体器件及其设计方法_瑞萨电子株式会社_202511274040.X
    本公开的各实施例涉及半导体器件及其设计方法。在不引起成对元件的特性变化的情况下，抑制了开发成本和开发周期的增加。在平面图中，多个MOS单元3Q彼此相邻地布置在半导体衬底的主表面上，多个MOS单元中的每个MOS单元由至少一个MOSFET组成并...
    2026-03-23
  • 堆叠半导体器件及其制造方法
    堆叠半导体器件及其制造方法_三星电子株式会社_202511288138.0
    提供了一种堆叠半导体器件及其制造方法。该堆叠半导体器件包括：衬底；在衬底上的第一源极/漏极区；以及在第一源极/漏极区的垂直上方的第二源极/漏极区，第二源极/漏极区与第一源极/漏极区的第一部分和第二部分当中的第一部分垂直地重叠，其中衬底的顶表...
    2026-03-23
  • 一种MOS器件及其制造方法
    一种MOS器件及其制造方法_上海集成电路研发中心有限公司_202411205151.0
    本申请涉及半导体领域，公开了一种MOS器件及其制造方法，包括：衬底；源极区和漏极区，位于衬底中；栅极，位于衬底的第一表面所在一侧；第一后道互联层，位于衬底的第一表面所在一侧，并通过第一导电结构与栅极、源极区和漏极区电连接；第二后道互联层，位...
    2026-03-23
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_上海集成电路研发中心有限公司_202411205152.5
    本申请涉及半导体领域，公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：衬底；源极区和漏极区，位于衬底中；第一栅极，位于衬底的第一表面所在一侧；第二栅极，位于衬底的第二表面所在一侧；第一表面和第二表面为相对的两个表面；第一后道互联层，位于衬底的第一表...
    2026-03-23
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510498880.8
    一种半导体装置包括：有源图案，在第一方向上间隔开，并且在与第一方向不同的第二方向上延伸；下沟道图案和下源极/漏极图案，位于有源图案上，并且在第二方向上交替布置；上沟道图案，在下沟道图案上；上源极/漏极图案，在下源极/漏极图案上；栅极图案，在...
    2026-03-23
  • 集成环绕栅的FDSOI器件及其制造方法
    集成环绕栅的FDSOI器件及其制造方法_锐立平芯微电子(广州)有限责任公司_202511920135.4
    本公开提供了一种集成环绕栅的FDSOI器件及其制造方法，可以应用于半导体技术领域。该半导体器件包括：绝缘体上半导体衬底，包括埋氧层和埋氧层上与埋氧层邻接的半导体层；绝缘体上半导体衬底上的沟道部，包括半导体层；栅极以及栅极的侧壁上的侧墙，栅极...
    2026-03-23
  • 电子基板及其制造方法
    电子基板及其制造方法_群创光电股份有限公司_202510593994.0
    本发明公开了一种电子基板及其制造方法。电子基板包括基板、晶体管、数据线以及导电元件。晶体管设置在基板上并包括主动层、源极、汲极以及设置在主动层上的闸极，其中主动层设置在源极以及汲极之间并与闸极重叠，且主动层、源极与汲极由同一半导体材料层所形...
    2026-03-23
  • 一种阵列基板及显示面板
    一种阵列基板及显示面板_惠州华星光电显示有限公司_202511727815.4
    本申请公开了一种阵列基板及显示面板，属于显示技术领域，阵列基板，包括：有源层，位于基板上，包括薄膜晶体管的有源图案，有源图案具有依次相连的源部、沟道部和漏部；第二导电层，位于有源层上，包括薄膜晶体管的源极和漏极，源极连接于源部，漏极连接于漏...
    2026-03-23
  • 背板及显示面板
    背板及显示面板_京东方科技集团股份有限公司_202411237105.9
    本公开提供一种背板及显示面板。具体地，所述背板包括所述背板包括显示区和环绕显示区的周边区，所述背板包括：衬底基板；多个存储组，位于衬底基板上，沿第一方向间隔排布；存储组包括多个沿第二方向排布的存储单元；存储单元包括沿第三方向层叠设置的多个子...
    2026-03-23
  • 一种半导体器件、制备方法和电子设备
    一种半导体器件、制备方法和电子设备_中国科学院微电子研究所_202511912833.X
    本申请提供了一种半导体器件、制备方法和电子设备，涉及半导体技术领域，该器件包括位于衬底一侧且位于介质层中的多个晶体管结构，覆盖各源漏结构的刻蚀保护层，分别与源漏结构对应的通孔。通孔的第一通孔由介质层表面延伸至刻蚀保护层，第二通孔贯穿刻蚀保护...
    2026-03-23
  • 消除天线效应的电路结构和半导体结构
    消除天线效应的电路结构和半导体结构_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411198400.8
    本申请涉及消除天线效应的电路结构和半导体结构，该消除天线效应的电路结构包括：包括至少一个二极管和缓冲器，二极管中一端和缓冲器的输入端均和电路结构的输入端连接，缓冲器的输出端为电路结构的输出端，二极管中的另一端接地。本申请实施例中，通过上述电...
    2026-03-23
  • 半导体器件的测试版图结构、半导体版图结构及其制造方法
    半导体器件的测试版图结构、半导体版图结构及其制造方法_无锡华润微电子有限公司_202411218244.7
    本发明提供一种半导体器件的测试版图结构、半导体版图结构及其制造方法，半导体器件的测试版图结构包括：至少一个子测试版图层，子测试版图层包括连接区版图层和测试端版图层；连接区版图层的第一端用于连接半导体器件的衬底图形区、栅极图形区、源极图形区和...
    2026-03-23
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202511992112.4
    一种半导体装置包括有源图案，其包括沟道区。沟道区布置在第一方向上彼此间隔开的第一源极/漏极图案与第二源极/漏极图案之间以及所述第一方向上彼此间隔开的第二源极/漏极图案之间。所述沟道区被构造为将所述第一源极/漏极图案彼此连接以及将所述第二源极...
    2026-03-23
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