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最新专利技术
  • 一种电池盖板及电池
    一种电池盖板及电池_江苏懋略科技有限公司_202311656290.0
    为克服现有电池盖板结构复杂，部件多，加工工艺流程复杂、厚度较厚的问题，本发明提供了一种电池盖板及电池，电池盖板包括盖板本体、引出片和绝缘件，盖板本体上设有第一通孔，引出片嵌入第一通孔，绝缘件设置在引出片和盖板本体之间用以隔绝引出片和盖板本体...
    2026-04-25
  • 金属壳体及电池
    金属壳体及电池_江苏懋略科技有限公司_202311664984.9
    本发明属于电池技术领域，尤其涉及一种金属壳体及电池，由基板沿第一直线对折分别形成第一壳体和第二壳体；第一壳体呈平板状；第二壳体设置有间隔排布的第一容纳槽和第二容纳槽，第一容纳槽和第二容纳槽均朝向远离第一壳体的方向内凹形成；第一壳体的一侧表面...
    2026-04-25
  • 电芯、电芯的制备方法、燃油发动机的起动电池和车辆
    电芯、电芯的制备方法、燃油发动机的起动电池和车辆_上海比亚迪有限公司_202311660714.0
    本发明涉及锂离子电池领域，公开了电芯、电芯的制备方法、燃油发动机的起动电池和车辆。本发明提供的电芯包括正极和负极；所述正极包括磷酸铁锂复合颗粒，所述磷酸铁锂复合颗粒包括两种以上D50粒径的磷酸铁锂颗粒；所述负极包括石墨...
    2026-04-25
  • 一种电解液及包含该电解液的钠离子电池
    一种电解液及包含该电解液的钠离子电池_浙江钠创新能源有限公司_202311659004.6
    本发明公开一种电解液及包含该电解液的钠离子电池。本发明的电解液包括钠盐、有机溶剂和添加剂；所述有机溶剂为醚类溶剂；所述添加剂选自非钠金属盐；所述非钠金属盐，选自第一添加剂、第二添加剂或第三添加剂中的至少一种；其中，所述第一添加剂为锂金属盐；...
    2026-04-25
  • 一种不饱和磷酸基氟硼酸锂在电解液中的应用及其制备方法
    一种不饱和磷酸基氟硼酸锂在电解液中的应用及其制备方法_浙江省化工研究院有限公司_202311653168.8
    本发明公开了一种不饱和磷酸基氟硼酸锂在电解液中的应用及其制备方法，具体地，将不饱和磷酸基氟硼酸锂以占电解液总质量0.01～15wt％的添加量加入到电解液中；所述不饱和磷酸基氟硼酸锂的制备方法包括：不饱和膦酸与无机锂盐反应获得不饱和膦酸锂反应...
    2026-04-25
  • 一种电解液及锂离子电池
    一种电解液及锂离子电池_宁德国泰华荣新材料有限公司_202311648247.X
    本发明涉及一种电解液及锂离子电池，主要解决了现有的锂离子电池循环性能、倍率性能不佳以及产气的问题。本发明通过向电解液中添加氧杂双环己烷衍生物中的一种或多种，该氧杂双环己烷衍生物的结构式为 2026-04-25
  • 一种钒电解液的制备方法及应用
    一种钒电解液的制备方法及应用_中国科学院大连化学物理研究所_202311656960.9
    本申请公开了一种钒电解液的制备方法及应用，包括如下步骤：S1、在含有V2O5固体、单质硫、吸附材料的混合物中加入硫酸溶液，加热反应，除硫、过滤，得到高纯水合硫酸矾固体；S2、将步骤S1中的高纯水合...
    2026-04-25
  • 用于燃料电池的排水控制方法、液位控制系统及燃料电池
    用于燃料电池的排水控制方法、液位控制系统及燃料电池_纬湃汽车电子(长春)有限公司_202311657586.4
    本发明公开了一种用于燃料电池的排水控制方法、液位控制系统及燃料电池，其中，该方法包括以下步骤：借助于液位传感器检测燃料电池的储水箱中的液位水平；判断所检测到的液位水平是否达到或超过预设的阈值；在所检测到的液位水平达到或超过预设的阈值后通过控...
    2026-04-25
  • 启动燃料电池系统的方法、装置、控制器、车辆和介质
    启动燃料电池系统的方法、装置、控制器、车辆和介质_罗伯特·博世有限公司_202311659713.4
    本公开涉及用于启动燃料电池系统的方法、装置、控制器、车辆和介质。该方法包括接收针对燃料电池系统的上电信号。该方法还包括获取燃料电池系统的停机记录，其中停机记录包括以下至少一项：燃料电池系统上一次停机的停机类型、或者燃料电池系统保持停机状态的...
    2026-04-25
  • 一种双原子催化剂复合电极的制备方法、所述双原子催化剂复合电极及其应用
    一种双原子催化剂复合电极的制备方法、所述双原子催化剂复合电极及其应用_中国科学院大连化学物理研究所_202311660081.3
    本申请公开了一种双原子催化剂复合电极的制备方法、所述双原子催化剂复合电极及其应用，属于储能技术领域。本申请方法包括如下步骤：(1)获取硝酸锌的醇溶液，记作A溶液；(2)获取2‑甲基咪唑的醇溶液，记作B溶液；(3)将含有所述A溶液、B溶液、碳...
    2026-04-25
  • 芯片封装结构及其制备方法、存储系统和电子设备
    芯片封装结构及其制备方法、存储系统和电子设备_长江存储科技有限责任公司_202311669693.9
    本公开提供了一种芯片封装结构及其制备方法、存储系统和电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在提升芯片封装结构的可靠性。芯片封装结构包括封装基板、第一芯片、支撑结构和半导体芯片组。封装基板包括第一表面，第一表面具有多个回蚀开口。第一芯片设置于第...
    2026-04-25
  • 半导体结构及其制造方法、存储系统
    半导体结构及其制造方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202311668198.6
    本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。该半导体结构包括：第一半导体结构，包括第一键合层；以及第二半导体结构，包括与所述第一键合层键合的第二键合层，其中所述第一键合层和所述第二键合层的材质包括碳氧化硅。
    2026-04-25
  • 芯片封装结构、芯片倒封装方法、电子设备
    芯片封装结构、芯片倒封装方法、电子设备_华为技术有限公司_202311665822.7
    本申请提供一种芯片封装结构、芯片倒封装方法、电子设备，涉及半导体领域，可不占用裸芯片和电子器件的资源，还可以滤除高频噪声。该芯片封装结构包括裸芯片、电子器件、多个导电凸点、第一电容器。裸芯片包括第一走线，电子器件包括第二走线和第三走线。多个...
    2026-04-25
  • 多层芯片堆叠封装结构及其制备方法、电子设备
    多层芯片堆叠封装结构及其制备方法、电子设备_华为技术有限公司_202311665382.5
    本申请提供一种多层芯片堆叠封装结构及其制备方法，以及电子设备。涉及半导体器件制造技术领域。多层芯片堆叠封装结构包括：第一衬底、第一重布线层、第二衬底和第二重布线层；第一衬底中设置有第一器件，第一重布线层设置在第一衬底的一侧；第二衬底中设置有...
    2026-04-25
  • 晶圆切割方法
    晶圆切割方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202311657180.6
    本申请公开一种晶圆切割方法，包括：在待切割晶圆的第一表面形成具有切割道图案的掩膜层；在所述待切割晶圆的第二表面形成引导层，所述第二表面与所述第一表面相对，所述引导层用于引导对所述待切割晶圆的刻蚀朝向垂直于第一表面；对所述掩膜层暴露出的所述待...
    2026-04-25
  • 一种静电夹盘、下电极组件及等离子体处理装置
    一种静电夹盘、下电极组件及等离子体处理装置_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202311661980.5
    本发明提供一种静电夹盘、下电极组件及等离子体处理装置，其静电夹盘用于在等离子体处理装置中承载基片，其包括：绝缘层，其上表面与基片下表面相对，且内部设有电极；若干个相互连通的导气槽，其设置在所述绝缘层上表面；所述导气槽内设置有若干个贯穿所述绝...
    2026-04-25
  • 半导体处理装置及方法
    半导体处理装置及方法_无锡华瑛微电子技术有限公司_202311664279.9
    本发明公开了一种半导体处理装置及方法。所述半导体处理装置包括第一腔室部和第二腔室部。第一腔室部具有第一凹槽道，第二腔室部具有第二凹槽道。在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置且第二腔室部和第一腔室部之间容纳有晶圆时，第一凹槽道和第二凹...
    2026-04-25
  • 清洗装置、清洗方法及半导体工艺设备
    清洗装置、清洗方法及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202311657895.1
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种清洗装置、清洗方法及半导体工艺设备。半导体工艺设备包括工艺腔室，工艺腔室内放置有承载舟，承载舟包括内舟页和外舟页，承载舟具有正极端和负极端，清洗装置包括第一射频电流提供电路和第二射频电流提供电路，其中：第...
    2026-04-25
  • 功率模块封装方法及功率模块
    功率模块封装方法及功率模块_株洲中车时代半导体有限公司_202311658042.X
    本发明提出了一种功率模块封装方法及功率模块。所述方法包括：提供覆铜陶瓷基板，所述覆铜陶瓷基板具有多个设置有银烧结材料的第一区和除所述第一区以外的第二区；将芯片贴合到所述覆铜陶瓷基板的第一区；对所述银烧结材料进行烧结，将所述芯片固定在所述覆铜...
    2026-04-25
  • 一种基片刻蚀方法及等离子体装置
    一种基片刻蚀方法及等离子体装置_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202311660225.5
    本发明公开了一种基片刻蚀方法及等离子体装置，其中，基片刻蚀方法包括如下步骤：提供一基片放入反应腔，所述基片从下到上包含有基底层、待刻蚀的导电层和掩膜层；向所述反应腔中通入由刻蚀气体和钝化气体组成的混合气体，点燃等离子体，刻蚀所述导电层；调控...
    2026-04-25
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