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能激发横纵波的高压电性能高耐温耐磨ZnCrO压电材料及其制备和应用
本发明公开了一种能激发横纵波的高压电性能高耐温耐磨ZnCrO压电材料及其制备和应用, 涉及压电薄膜材料技术领域。本发明提供ZnCrO压电材料的制备方法, 是将ZnCr合金靶材磁控溅射至基体的表面后形成ZnCrO压电涂层。其中, Zn的掺杂原...
一种具备精准定位的压电陶瓷叠层制备设备
本发明提供一种具备精准定位的压电陶瓷叠层制备设备, 涉及压电陶瓷叠层制备设备技术领域, 本发明包括设备主体, 所述设备主体的一侧设置有控制箱, 所述设备主体的一侧铰接有连接盖, 所述设备主体内壁的底部设置有操作板, 所述设备主体的一侧设置有...
一种小型散热器及应用在散热器上的新型半导体芯片
本发明涉及半导体技术领域, 尤其是涉及一种小型散热器及应用在散热器上的新型半导体芯片, 针对现有的芯片在安装时导线会弯折, 会导致接触不良、影响正常工作及使用寿命, 提供一种新型半导体芯片, 包括冷端面板和热端面板, 所述冷端面板和热端面板...
一种室温立方相GeTe基热电材料及其制备方法及应用
本发明涉及一种室温立方相GeTe基热电材料及其制备方法及应用, 属于热电材料技术领域, 其化学式为, Y=Ag、Pb、Sb;该热电材料的制备方法为:按上述化学式中的化学计量比, 将高纯度(99.999%)单质元素Ge、Te、Sb真空封装、高...
一种含有孔洞结构的AgInTe2半导体热电材料及其制备方法和应用
本发明公开了一种含有孔洞结构的AgInTe2半导体热电材料及其制备方法与应用, 属于新能源材料制备技术领域。通过调节机械合金化的工艺流程和放电等离子体烧结的具体参数, 可精确控制孔洞的尺寸(纳米级)、数量(孔隙率约8%~12%)和分布, 实...
一种SnSe基同质热电器件及其制备方法
本发明涉及能源转换技术领域, 具体涉及一种SnSe基同质热电器件及其制备方法, 其中制备方法包括以下步骤:S1、采用布里奇曼法生长n型SnSe基晶体材料和p型SnSe基晶体材料;S2、根据材料性能参数, 采用有限元方法计算最佳的单臂尺寸;S...
一种晶体PbSe基同质热电器件及其制备方法
本发明涉及热电转换技术领域, 具体涉及一种晶体PbSe基同质热电器件及其制备方法。其中制备方法包括以下步骤:S1、采用物理气相沉积(PVD)法生长n型PbSe基晶体材料和p型PbSe基晶体材料;S2、根据材料性能参数, 采用有限元方法计算最...
一种基于添加剂材料提升钙钛矿太阳能电池性能的方法
本发明涉及一种基于添加剂材料提升钙钛矿太阳能电池性能的方法, 属于钙钛矿太阳能电池技术领域, 解决了当前领域内大面积钙钛矿太阳能电池其钙钛矿结晶以及稳定性较差等问题。本发明的方法中引入一种钙钛矿溶液添加剂材料, 该钙钛矿溶液添加剂材料由氢键...
一种多晶钙钛矿复合膜及制备方法
本发明一种多晶钙钛矿复合膜及制备方法, 该多晶钙钛矿复合膜由湿法制备的钙钛矿薄膜和干法制备的钙钛矿厚膜组合而成, 其制备方法解决了单一成膜工艺中, 湿法工艺难以制备高质量钙钛矿厚膜和干法工艺制备的膜层与衬底附着性差的问题。同时, 湿法工艺提...
图案化组合物、图案化膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法
本申请提供了一种图案化组合物、图案化膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法, 所述图案化组合物包括有机金属团簇和溶剂, 所述有机金属团簇包括至少两个金属团簇核心、配位连接于所述金属团簇核心的多元醇配体、以及配位连接于所述金属团簇核心的非醇配...
一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法, 属于钙钛矿太阳能电池技术领域。本发明在玻璃基板的表面制备导电栅线槽, 在导电栅线槽中制备第一金属电极栅线得到埋栅玻璃基板, 在栅玻璃基板含有第一金属电极栅线的表面制备第一电极层, 在第一电极层...
一种钙钛矿膜表面平整化的方法及其应用
本发明公开了一种钙钛矿膜表面平整化的方法及其应用, 属于X射线探测器技术领域。本发明提供的钙钛矿膜表面平整化的方法, 包括将平整化溶液喷涂在钙钛矿膜的表面;所述平整化溶液的溶剂包括二甲基亚砜和γ‑戊内酯, 溶质包括APbI3。本发明提供的方...
具有多孔纳米结构中间态的钙钛矿薄膜、太阳能电池及制备方法
本发明公开一种具有多孔纳米结构中间态的钙钛矿薄膜、太阳能电池及制备方法, 包括:将碘化铅加入到DMF/DMSO混合液中, 配制碘化铅溶液;将NH4HCO3加入到异丙醇/去离子水混合液中, 配制NH4HCO3溶液;将碘甲脒和甲胺氯加入到异丙醇...
一种有机半导体单晶薄膜及其制备方法和用途
本发明涉及有机半导体技术领域, 特别是涉及一种有机半导体单晶薄膜及其制备方法和用途。所述制备方法包括如下步骤:1)基底两端分别固定于放卷辊和收卷辊, 设置基底的张力为18~24N;2)采用涂布法使有机半导体溶液中的有机半导体在运行的基底表面...
供受体相互作用二维钙钛矿太阳能电池材料的制备方法
本发明公开了供受体相互作用二维钙钛矿太阳能电池材料的制备方法, 涉及太阳能电池领域, 包括以下步骤:S1、依次使用肥皂水、洗洁精水、去离子水、乙醇和紫外线‑臭氧清洗机清洗基底;该供受体相互作用二维钙钛矿太阳能电池材料的制备方法, 通过引入电...
一种钙钛矿光伏玻璃基板的连续化制备系统及方法
本发明涉及一种钙钛矿光伏玻璃基板的连续化制备系统及方法, 包括从左往右依次相互适配的上料模块、转运模块、狭缝涂布机模块、闪蒸模块、退火炉模块和下料模块。本发明提供一种钙钛矿光伏玻璃基板的连续化制备系统及方法, 能够实现玻璃基板的自动化上料、...
一种太阳能电池制备方法及太阳能电池
本申请公开了一种太阳能电池制备方法及太阳能电池, 方法包括提供一导电玻璃基底;在导电玻璃基底上设置阳极修饰层;将给受体材料溶解于非卤溶液中形成预备溶液, 并对预备溶液进行加热处理, 得到活性层溶液;在阳极修饰层远离导电玻璃基底的一面涂覆活性...
一种钙钛矿薄膜的后处理方法
本发明提供了一种钙钛矿薄膜的后处理方法, 包括:获得钙钛矿薄膜;将AX和包含PEA+的化合物混合得到后处理溶液, 其中, A为FA或MA, X为Cl、Br或I;将后处理溶液涂覆到钙钛矿薄膜的表面;对涂覆有后处理溶液的钙钛矿薄膜进行退火处理,...
一种硅基OLED的高解析度BM架构制备方法
本发明涉及OLED制造, 具体涉及一种硅基OLED的高解析度BM架构制备方法, 在CMOS驱动背板上制作阳极结构, 得到第一基板;将第一基板送入蒸镀机, 制作有机发光层, 得到第二基板;将第二基板送入封装薄膜设备, 制作封装薄膜层, 得到第...
一种组串式钙钛矿太阳能组件及其串联方法和应用
本申请公开一种组串式钙钛矿太阳能组件及其串联方法和应用, 涉及钙钛矿太阳能电池领域。该方法包括在衬底上依次层叠设置TCO透明导电层、PVK电池和背电极, TCO透明导电层上连接有正极, 背电极层上连接有负极, 形成待封装组件;待封装组件包括...
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