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最新专利技术
  • 气动驱动装置、定位装置、处理装置、器件制造方法
    气动驱动装置、定位装置、处理装置、器件制造方法_住友重机械工业株式会社_202480017465.X
    一种气动致动器， 其具备：X引导件， 利用气体压力沿X方向驱动被驱动体；以及Y引导件(132)， 利用气体压力沿与X方向交叉的Y方向驱动被驱动体。在X引导件的内部设置有第1驱动管(128)， 该第1驱动管(128)被供给产生基于该X引导件的...
    2025-11-07
  • 装载端口模块的门开关装置
    装载端口模块的门开关装置_韩华动力株式会社_202580001263.0
    一种装载端口模块的门开关装置， 包括：装载端口单元， 包括载物台和支撑部， 所述载物台上载置有FOUP， 所述支撑部相对于所述载物台沿竖直方向布置并被支撑在安装表面上， 并且具有沿所述FOUP的横向方向形成的开口；门单元， 被构造成选择性地...
    2025-11-07
  • 基片处理装置
    基片处理装置_大金优科股份有限公司_202380096448.5
    基片处理装置(A1)包括：基片处理单元(U1)， 其包括进行包含润湿基片(W)的处理的第一工序的第一腔室(1A)和在第一工序之后在基片进行第二工序的第二腔室(1B)；第一运送装置(3)， 其进行基片(W)向基片处理单元(U1)的送入和基片(...
    2025-11-07
  • 用于检测晶片滑移的方法
    用于检测晶片滑移的方法_应用材料公司_202480019789.7
    用于检测基板滑移的例示性方法包括当基板经历用可旋转平台进行的研磨时， 使原位监测系统的第一传感器及第二传感器扫过此基板。来自此第一传感器的第一信号值序列及来自此第二传感器的第二信号值序列包括相对于层的厚度的信号强度。对于此第一信号值序列及第...
    2025-11-07
  • 半导体基板的缺陷评价方法
    半导体基板的缺陷评价方法_信越半导体株式会社_202480017324.8
    本发明是一种半导体基板的缺陷评价方法， 包含以下工序：第一工序， 检测多片半导体基板的表面的缺陷；第二工序， 取得所述缺陷的显微图像；第三工序， 对所述缺陷是否为Ni缺陷进行成分分析；第四工序， 基于所述显微图像与所述成分分析的结果， 对所...
    2025-11-07
  • 晶圆级封装方法及集成芯片
    晶圆级封装方法及集成芯片_深圳市凯意科技有限公司_202580000935.6
    本申请实施例公开一种晶圆级封装方法及集成芯片， 方法包括：提供尺寸大于12寸的硅片， 硅片的硅含量比例大于80％， 在大于12寸的硅片上形成TSV孔， 得到尺寸大于12寸的中介层， 对TSV孔进行预处理， 在尺寸大于12寸的中介层的表面形成...
    2025-11-07
  • 密封膜及其制造方法、以及电子零件装置及其制造方法
    密封膜及其制造方法、以及电子零件装置及其制造方法_株式会社力森诺科_202480017406.2
    本发明公开一种用于密封电子零件的密封膜的制造方法， 所述密封膜具备：支撑体；及热固性树脂层， 设置于支撑体上且含有热固性树脂组合物。该密封膜的制造方法包括：以通过设置于支撑体的背面侧的辊使支撑体移动的涂布方式， 将含有热固性树脂组合物及有机...
    2025-11-07
  • 用于半导体蚀刻的系统和方法
    用于半导体蚀刻的系统和方法_东京毅力科创株式会社_202480017284.7
    提供了一种方法。该方法包括通过多个阶段蚀刻衬底以在衬底中形成凹槽。该多个阶段中的第一阶段基于第一蚀刻剂自由基形成作为凹槽的初始部分的衬里的抑制剂层。该多个阶段中的第二阶段基于离子暴露凹槽的初始部分。该多个阶段中的第三阶段基于第二蚀刻剂自由基...
    2025-11-07
  • 蚀刻装置和蚀刻方法
    蚀刻装置和蚀刻方法_东京毅力科创株式会社_202480020292.7
    本发明涉及蚀刻装置和蚀刻方法。腔室在内部设置有能够载置基片的载置台。在腔室内交替地实施对载置于载置台的基片进行成膜的第一步骤和对基片进行蚀刻的第二步骤来蚀刻基片时， 电源对载置台周期性地施加脉冲状的电压， 该脉冲状的电压是在第一步骤和第二步...
    2025-11-07
  • 预测算法生成装置、信息处理装置、预测算法生成方法以及处理条件决定方法
    预测算法生成装置、信息处理装置、预测算法生成方法以及处理条件决定方法_株式会社斯库林集团_202380096298.8
    本发明的预测算法生成装置具备：第一数据取得部， 取得复数组第一数据集；以及第一决定部， 将复数组第一数据集赋予至预先设定的第一函数并进行回归分析， 由此决定第一参数；复数组第一数据集中的每一组包含第一处理结果以及第一处理条件， 该第一处理结...
    2025-11-07
  • 学习装置、信息处理装置、基板处理装置、学习模型生成方法以及处理条件决定方法
    学习装置、信息处理装置、基板处理装置、学习模型生成方法以及处理条件决定方法_株式会社斯库林集团_202380095225.7
    学习装置具有：处理条件获取部， 获取用于驱动基板处理装置的处理条件， 所述基板处理装置通过向形成有覆膜的基板供给处理液来进行覆膜的处理；第一处理结果获取部， 在以处理条件驱动基板处理装置来进行覆膜的处理之后， 获取第一处理结果， 所述第一处...
    2025-11-07
  • 测定方法和基板处理装置
    测定方法和基板处理装置_东京毅力科创株式会社_202480020374.1
    本公开的一个方式的测定方法包括与第一测定部(100)碰撞的工序、测定电位差的工序以及估计碰撞能量的工序。在与第一测定部(100)碰撞的工序中， 使从喷嘴(30)喷射出的流体与具有热电偶(102)的第一测定部(100)碰撞。在测定电位差的工序...
    2025-11-07
  • 研磨用组合物、研磨用组合物的浓缩液以及研磨方法
    研磨用组合物、研磨用组合物的浓缩液以及研磨方法_福吉米株式会社_202480017548.9
    本发明提供一种能够改善研磨后的研磨对象物表面品质的研磨用组合物。本发明涉及一种研磨用组合物， 其包含：(A)磨粒、(B)具有聚环氧乙烷结构和聚环氧丙烷结构的化合物α、(C)不同于所述化合物α的水溶性高分子、(D)碱性化合物、和(E)分散介质...
    2025-11-07
  • 半导体晶片的研磨垫以及研磨方法
    半导体晶片的研磨垫以及研磨方法_株式会社则武_202480017309.3
    提供在半导体晶片的研磨中能得到稳定的研磨且实用性高的研磨垫以及研磨方法。一种研磨垫18， 在将其树脂中所含的氢原子的含有率记为MH(质量％)， 将碳原子的含有率记为MC(质量％)， 将氧原子的含有率记为MO(质量％)， 将氮原子的含有率记为...
    2025-11-07
  • 半导体装置的制造方法及切割带
    半导体装置的制造方法及切割带_株式会社力森诺科_202380095685.X
    本发明作为一例涉及一种CoW(Chip on Water：芯片到水)方法中的混合接合制法。在该制法中， 以使被单片化的一侧的半导体晶圆(100)的绝缘膜(102)及端子电极(103)朝向切割带(DCT)的方式将半导体晶圆(100)贴附于切割...
    2025-11-07
  • 栅极界面的分段形成
    栅极界面的分段形成_应用材料公司_202480019893.6
    一种形成半导体结构的方法包括：执行第一沉积工艺以在基板的表面上沉积第一高κ介电层；执行界面形成工艺以在所述基板的所述表面上形成界面层；执行第二沉积工艺以在所述界面层上沉积第二高κ介电层；执行等离子体氮化工艺以在所述第一高κ介电层和所述第二高...
    2025-11-07
  • 含有有机硅系树脂的临时粘合剂及带电路的基板的加工方法
    含有有机硅系树脂的临时粘合剂及带电路的基板的加工方法_信越化学工业株式会社_202480017699.4
    本发明为一种含有有机硅系树脂的临时粘合剂， 其为含有有机硅系树脂并将半导体基板与支撑体临时粘合的含有有机硅系树脂的临时粘合剂， 其特征在于， 通过由所述临时粘合剂形成的临时粘合层将所述半导体基板与所述支撑体贴合并于260℃加热2小时后， 将...
    2025-11-07
  • 复合半导体衬底和制造方法
    复合半导体衬底和制造方法_优美科公司_202480017120.4
    一种复合半导体晶圆， 该复合半导体晶圆包括复合层结构， 该复合层结构具有层(2a、2b)的叠层(2)。该叠层包括半导体材料的衬底层和在该衬底层上延伸的多孔层。该半导体材料是In、GaAs、GaP或Ge中的一者。该多孔层是InP的， 并且具有...
    2025-11-07
  • 用于使分析物离子与电子或反应物离子反应的装置
    用于使分析物离子与电子或反应物离子反应的装置_英国质谱公司_202480018262.2
    一种质谱仪和/或离子迁移率谱仪的方法， 该方法包括：利用DC电场在反应区域内捕获电子或反应物离子(3)；将分析物离子(16)输送到该反应区域的第一侧中并且通过该反应区域， 使得该分析物离子与该电子或反应物离子(3)反应， 并且允许所得离子(...
    2025-11-07
  • 用于电子光学模块的屏蔽装置
    用于电子光学模块的屏蔽装置_ASML荷兰有限公司_202480021368.8
    一种用于带电粒子光学设备的带电粒子光学模块， 该带电粒子光学设备被配置为沿着射束路径将带电粒子束引向样品位置， 带电粒子光学模块包括：叠层， 其包括带电粒子光学板， 该带电粒子光学板被布置为跨该射束路径并且被配置为对该带电粒子束进行操作；以...
    2025-11-07
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