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  • 本发明涉及PVD镀膜技术领域,具体公开了一种基于膜厚补偿板的PVD镀膜均匀性提升方法,通过以下步骤实现突破:基准调试:在标准设备上优化磁场至均匀性极限;镀率分析:根据实测膜厚与靶材长度计算各点镀率;补偿设计;根据镀率、膜厚、最低膜厚计算膜厚...
  • 本发明属于真空镀膜技术领域,公开了一种工件转架及真空腔室。工件转架包括若干个沿周向分布的镀膜区域,镀膜区域内设置用于支撑工件的回转轴,回转轴的自转轴方向与镀膜区域的中心对称线呈夹角设置。真空腔室包括工件转架,工件转架设置于真空腔室的腔体内,...
  • 本发明提供了一种翻转工装装置及镀膜机,包括:限位组件,设于镀膜机的外筒上;行程底座,设于镀膜机的内筒上,内筒可相对外筒转动,行程底座的顶面具有至少两个挡位部;集成座,可转动地设于行程底座上且用于可拆卸地安装基材,集成座具有一对止挡部;一对滑...
  • 本发明涉及薄膜制备技术领域,具体为一种对基底表面修饰进行改性的氮掺杂碳薄膜制备工艺,包括以下制备步骤:S1.基底预处理;S2.复合蚀刻处理;S3.动态表面修饰;S4.磁控共溅射沉积;S5.梯度退火处理。本发明通过引入电活性单体并调节沉积过程...
  • 本发明提供一种高折射率光学涂层及其制备方法,属于光学涂层技术领域,包括以下步骤:将聚偏氟乙烯经硅烷化和稀土修饰制得改性聚偏氟乙烯;将二氧化锆喷涂到光学基板上形成基底层;遮挡基底层的边缘部分,将改性聚偏氟乙烯旋涂到基底层的中间部分制得功能区;...
  • 本发明公开了一种磁控溅射镀膜机防颗粒物污染挡板结构,属于磁控溅射镀膜领域,包括内安装板和固接在内安装板一侧的靶材,还包括连接在内安装板一侧的转动部、与转动部相连的第二挡板、位于第二挡板下端的第一挡板、开设在第一挡板内部的镂空腔体、固接在第一...
  • 本发明提供了一种衬底薄膜制备方法,涉及半导体制造技术领域。包括以下步骤:将衬底放置在反应腔内的加工工位上;采用等离子体轰击靶材表面,使靶材材料粒子脱离,溅射至所述反应腔内;控制所述材料粒子向所述衬底表面移动,以在所述衬底表面形成初始沉积层;...
  • 本发明涉及用于事故耐受核燃料、粒子加速器、和航空航天前沿的金属和陶瓷纳米涂层的方法和设备,其中设备系统包括:溅射靶;磁元件阵列,其包括多组磁体,所述多组磁体被布置为具有沿所述溅射靶的长度延伸的霍耳效应区域。细长的溅射电极材料管介于所述磁阵列...
  • 本发明涉及光学镀膜技术领域,且公开了一种高折射非导低应力镀膜材料制备方法及其在光效薄膜的应用,该制备方法在柔性基材表面涂覆UV胶,通过压印机在UV胶层表面压印微纳结构,将压印纹理后的基材置于真空镀膜机中进行真空镀膜;采用后氧化溅射镀膜技术,...
  • 本发明涉及半导体光学镀膜技术领域,特别是涉及一种蒸发与磁控混合镀膜的方法及设备。采用反应磁控溅射的方式在基片上镀设第一打底层,采用电子束蒸发的方式在第一打底层上镀设第二打底层;采用电子束蒸发的方式在第二打底层上镀设功能层;采用电子束蒸发的方...
  • 本发明公开了一种溅射机工件桶自动挂取输送工件系统, 包括机械手抓取装置、工件放置架、可容纳多个工件桶的真空镀膜室、输送装置及转运装置;机械手抓取装置包括一机械手和抓取组件,通过机械手操作抓取组件从工件桶上挂接或取下工件;工件放置架放置多个工...
  • 本申请属于镀膜设备领域,具体公开了一种多弧离子镀膜设备,该多弧离子镀膜设备通过设置旋转轴,以及嵌套于旋转轴内部的摆动轴,配合动力源的独立动力输入,从而使得旋转轴驱动工件平台带动工件进行旋转的同时,摆动轴通过倾斜件、摆动臂、连接器和缓冲结构的...
  • 本发明属于物理气相沉积技术领域,具体涉及一种电弧离子镀及磁控溅射通用蒸发源结构,包括设有中心槽与外环槽的主体、设于中心槽内的中心磁体、设于外环槽内的外围磁体以及设于主体远离靶面一侧的移动件,外环槽同心且间隔地套设于中心槽的外周,中心磁体和外...
  • 本发明公开了一种高功率激光镜片用表面镀膜设备及镀膜工艺,涉及镜片镀膜技术领域,包括蒸镀箱体,蒸镀箱体的底部设置有蒸镀源;蒸镀箱体的内部还设置有载料机构,其包括通过连接杆连接在蒸镀箱体内部的载料支架、转动设置在载料支架上的多干组载料板以及用于...
  • 本发明公开了一种蒸镀设备及蒸镀设备的控制方法,其中蒸镀设备包括主体、蒸发组件以及温度调节组件。主体内设置有蒸镀区域,蒸镀区域的顶部设置有传输机构,传输机构用于传输待镀件。蒸发组件设置在蒸镀区域,蒸发组件包括用于蒸发待蒸发材料的加热件,蒸发组...
  • 本发明属于派瑞林材料领域,具体涉及偶联剂的蒸发沉积装置、方法、偶联剂层及应用。装置包括:偶联剂储存部,其设置偶联剂出口;偶联剂蒸汽发生部,其包括偶联剂汽化腔体,偶联剂汽化腔体外设置蒸汽发生器,偶联剂汽化腔体上设置偶联剂入口和偶联剂蒸汽出口,...
  • 本发明公开了一种异质外延五氧化二铌薄膜及其制备方法和应用,属于薄膜沉积技术领域。制备方法包括:将衬底和靶材置于真空系统中,通过脉冲激光轰击靶材,在衬底表面沉积得到初始异质外延五氧化二铌薄膜;对初始异质外延五氧化二铌薄膜进行退火处理得到异质外...
  • 本发明公开了一种金属辅助氧化镓薄膜及其制备方法,金属辅助氧化镓薄膜包括:衬底;第一氧化镓薄膜,形成于衬底的表面;金属结晶辅助膜,形成在所述第一氧化镓薄膜的表面;第二氧化镓薄膜,形成在所述金属结晶辅助膜的表面。制备方法包括如下步骤:在衬底的表...
  • 本发明公开了一种高熵氮化物光热转换薄膜、制法及倒置式太阳能蒸发水处理装置;所述高熵氮化物光热转换薄膜由高熵氮化物涂层、过渡层和基底组成,所述高熵氮化物涂层为(CrNbTiZrMo)Nx,x为10~30;所述薄膜通过吸收太阳能并将其高效转化为...
  • 本申请提供了一种IC均热片表面微织构成型方法及装置,涉及电子设备制造领域。本申请将铝合金放入冲压模具中进行冲压成型,得到一面具有微织构的工件;将工件转移至PVD腔室,抽真空,通入惰性气体,开启溅射电源,依次在具有微织构的一面溅射沉积氧化钛涂...
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