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最新专利技术
  • 基于多参数耦合的半导体薄膜性能协同控制方法及系统
    基于多参数耦合的半导体薄膜性能协同控制方法及系统_苏州中瑞宏芯半导体有限公司_202511360337.8
    本发明公开了基于多参数耦合的半导体薄膜性能协同控制方法及系统，属于半导体材料制造技术领域，其具体包括：确定含等离子体功率密度等参数的控制参数集，建立多参数耦合响应模型；用拉丁超立方采样生成样本点，量化参数交互效应，结合图模型形成动态权重矩阵...
    2026-03-21
  • 一种多分片侧边钝化设备及方法
    一种多分片侧边钝化设备及方法_理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司_202511075836.2
    本发明涉及钝化镀膜领域，提供一种多分片侧边钝化设备及方法，腔体上设有喷淋系统和加热系统；底盘可运动地设置于腔体的底部，底盘上表面间隔设置有若干料盒，电池片水平堆叠设置于料盒内并使切割面在电池组的侧边形成钝化面；真空均流系统包含设置于底盘上的...
    2026-03-21
  • 工艺腔体及半导体薄膜设备
    工艺腔体及半导体薄膜设备_拓荆科技(上海)有限公司_202511029765.2
    本发明公开了一种工艺腔体及半导体薄膜设备，该工艺腔体包括腔体、设于腔体中的加热盘、波纹管和吹扫块，波纹管与吹扫块同轴固定连接且两者均套设在加热盘的盘柄外周，波纹管通过其法兰与吹扫块固定连接，法兰设有进气口和与进气口连通的环形流道，环形流道布...
    2026-03-21
  • 气体输送结构、半导体加工设备、方法及存储介质
    气体输送结构、半导体加工设备、方法及存储介质_拓荆科技(上海)有限公司_202511029027.8
    本发明提供了一种气体输送结构、一种半导体加工设备、一种半导体加工方法及一种计算机可读存储介质。所述气体输送结构包括多个分气支路及至少一个限流件。所述多个分气支路的一端连接至少一个气源，另一端分别连接至少一个工艺腔室。所述至少一个限流件串接于...
    2026-03-21
  • 一种基于不对称茂基镍ALD生长氧化镍薄膜的方法
    一种基于不对称茂基镍ALD生长氧化镍薄膜的方法_苏州源展材料科技有限公司_202510990407.1
    本发明公开了一种基于不对称茂基镍ALD生长氧化镍薄膜的方法，包括如下步骤：向原子层沉积设备反应腔通入不对称茂基镍，所述不对称茂基镍在反应腔内的衬底表面进行化学吸附至吸附饱和；向反应腔通入保护气体进行吹扫，然后通入氧源进行反应，生成原子层氧化...
    2026-03-21
  • 含氮掺杂的二氧化钛层的制备方法、含氮掺杂的二氧化钛层及TBC电池
    含氮掺杂的二氧化钛层的制备方法、含氮掺杂的二氧化钛层及TBC电池_TCL中环新能源科技股份有限公司_202510983219.6
    本发明提供了一种含氮掺杂的二氧化钛层的制备方法、含氮掺杂的二氧化钛层及TBC电池，涉及太阳能电池技术领域。所述含氮掺杂的二氧化钛层的制备方法，包括：对待沉积基体的表面进行前体引入、第一净化、氧化和第二净化的循环沉积，并在循环沉积结束后进行退...
    2026-03-21
  • 一种半导体化学气相沉积CVD设备
    一种半导体化学气相沉积CVD设备_芯微半导体(南宁)有限公司_202510979838.8
    本发明公开了一种半导体化学气相沉积CVD设备，包括基座，所述基座中设有气流腔，气流腔连接有排气管，且气流腔中设有支柱体，支柱体上端设有加热盘，且气流腔上端连接有导气环，导气环上端安装有环盖，环盖内壁设有平行的环筋二和环筋一，环筋一和环筋二上...
    2026-03-21
  • 一种化学气相沉积设备
    一种化学气相沉积设备_苏州实验室_202510893100.X
    本申请提供了一种化学气相沉积设备，包括：反应腔；承载平台，设于所述反应腔内，用于承载晶圆；喷淋头，位于所述反应腔内，且与所述承载平台相对设置，所述喷淋头具有若干喷淋孔和N个气室，N个所述气室从所述喷淋头的中心朝边缘依次划分，所述喷淋孔与所述...
    2026-03-21
  • 一种气相沉积法硅碳负极生产设备
    一种气相沉积法硅碳负极生产设备_商聚粉_202511106129.5
    本发明涉及一种气相沉积法硅碳负极生产设备。目的是解决可控硅碳、碳硅包覆、单套设备产能低、能耗高的技术问题。技术方案为：它包括气体燃烧器、反应室、气体返混装置、流化板组件、中心气体流化装置、气固过滤分离装置；反应器壳体固设于反应室内，气体燃烧...
    2026-03-21
  • 一种制备碳化硅涂层石墨基座的方法及碳化硅涂层石墨基座
    一种制备碳化硅涂层石墨基座的方法及碳化硅涂层石墨基座_湖南德智新材料股份有限公司_202511190155.0
    本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种制备碳化硅涂层石墨基座的方法及碳化硅涂层石墨基座。该方法包括：(1)将石墨基体放置于化学气相沉积设备中(2)将化学气相沉积设备抽真空至10‑1Pa‑10‑2Pa，以5℃/min‑10℃/min的速率升温...
    2026-03-21
  • 一种曲面型内表面异质层级涂层及制备方法
    一种曲面型内表面异质层级涂层及制备方法_西安交通大学_202511071210.4
    本发明公开了一种曲面型内表面异质层级涂层及制备方法，制备方法包括在基体表面逐层制备第一Cr涂层、第一CrN涂层、CrAlN涂层、第二CrN涂层与第二Cr涂层，得到CrAlN复合过渡层；在镀有Cr/Al/N复合过渡层的基体表面制备TiO2涂层...
    2026-03-21
  • 一种制备碳化硅涂层的方法
    一种制备碳化硅涂层的方法_湖南德智新材料股份有限公司_202510888275.1
    本发明涉及半导体材料制备的技术领域，提供了一种制备碳化硅涂层的方法。该方法采用化学气相沉积工艺，控制第一沉积温度为1150℃‑1250℃，第二沉积温度为1300℃‑1400℃，第三沉积温度为1150℃‑1250℃，并结合降温工艺，以及第二沉...
    2026-03-21
  • 基于LCVD法制备石墨烯金刚石空心钻头的方法、钻头及应用
    基于LCVD法制备石墨烯金刚石空心钻头的方法、钻头及应用_上海圣永丞半导体科技有限公司_202511383512.5
    本发明涉及超硬材料加工领域，公开了一种基于LCVD法制备石墨烯金刚石空心钻头的方法、钻头及应用。该方法包括以下步骤：基体预处理；催化剂负载：将预处理后的基体浸入硝酸镍溶液中，超声处理使镍离子均匀吸附在基体表面；然后将基体取出；石墨烯生长：将...
    2026-03-21
  • 一种硒碲化钒材料的制备方法、制备系统、产品和应用
    一种硒碲化钒材料的制备方法、制备系统、产品和应用_中国科学院上海技术物理研究所_202511396381.4
    本发明名称为一种硒碲化钒材料的制备方法、制备系统、产品和应用，属于材料制备技术领域。本发明提供一种制备大面积单层硒碲化钒三元拓扑复合材料的方法，包括以下步骤：S1、在衬底上沉积钒氧化物，得钒氧化物薄膜；S2、在含有惰性气体和氢气的环境中，使...
    2026-03-21
  • 真空腔室内单双层输送转换机构及其输送镀膜系统和工艺
    真空腔室内单双层输送转换机构及其输送镀膜系统和工艺_福建金石能源有限公司_202511216664.6
    本发明涉及真空镀膜设备领域，公开了一种真空腔室内单双层输送转换机构及其输送镀膜系统和工艺，其中，转换机构包括两组双层输送升降机构。双层输送升降机构主要通过控制双层水平输送轮组件对上下层载板进行独立运输，以及相对真空腔体进行升降移动，从而实现...
    2026-03-21
  • 一种热蒸发镀膜设备
    一种热蒸发镀膜设备_蒙城繁枫真空科技有限公司_202510789470.9
    本发明公开了一种热蒸发镀膜设备，涉及蒸发镀膜技术领域，包括真空箱，所述真空箱的底部位置固定安装有底座，所述真空箱的表面位置固定安装有控制面板，所述真空箱的内部固定安装有一对支架，一对所述支架上开设有卡槽，所述卡槽的内部转动连接有收卷辊；还包...
    2026-03-21
  • 一种蒸镀设备的蒸镀速率采集系统
    一种蒸镀设备的蒸镀速率采集系统_浙江晟霖益嘉科技有限公司_202511157977.9
    本发明公开了一种蒸镀设备的蒸镀速率采集系统，包括加热源，所述加热源和可编程电源相连调节加热功率；石英晶体微天平：利用石英晶体的压电效应，将石英晶体电极表面质量变化转化为石英晶体振荡电路输出电信号的频率变化；可编程逻辑控制器：接受上位机下发的...
    2026-03-21
  • 用于红外金属化窗片的镀膜控制方法及系统
    用于红外金属化窗片的镀膜控制方法及系统_唐山斯腾光电科技有限公司_202511113468.6
    本发明涉及金属镀膜控制相关技术领域，具体包括用于红外金属化窗片的镀膜控制方法及系统，所述方法包括：获取基底与膜层参数，经动态关联分析配工艺适配评估向量；基于此向量，结合膜层厚度增长曲线、膜层均匀性评价指标，以模糊控制得到参数调整指令；满足条...
    2026-03-21
  • 一种卫浴龙头PVD镀膜设备的LAB值实时检测与智能调控装置
    一种卫浴龙头PVD镀膜设备的LAB值实时检测与智能调控装置_杭州泛亚卫浴股份有限公司_202510962792.9
    本发明公开了一种卫浴龙头PVD镀膜设备的LAB值实时检测与智能调控装置，包括镀膜腔室，所述镀膜腔室一侧安装有腔室观察窗，所述镀膜腔室内部集成安装有LAB值实时检测模块，所述LAB值实时检测模块一侧设有智能调控模块，所述智能调控模块一侧设有主...
    2026-03-21
  • 一种基于膜厚补偿板的PVD镀膜均匀性提升方法
    一种基于膜厚补偿板的PVD镀膜均匀性提升方法_欧昊新能源电力(甘肃)有限责任公司_202510933181.1
    本发明涉及PVD镀膜技术领域，具体公开了一种基于膜厚补偿板的PVD镀膜均匀性提升方法，通过以下步骤实现突破：基准调试：在标准设备上优化磁场至均匀性极限；镀率分析：根据实测膜厚与靶材长度计算各点镀率；补偿设计；根据镀率、膜厚、最低膜厚计算膜厚...
    2026-03-21
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