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最新专利技术
  • 存储阵列及其形成方法
    存储阵列及其形成方法_芯盟科技有限公司_202511093070.0
    一种存储阵列及其形成方法，包括：至少一个第一导电层位于至少一个开关器件沿第一方向的一侧；与至少一个第一导电层电连接的存储层位于至少一个第一导电层沿与第一方向相交的第二方向的一侧；至少一个第二导电层位于沿第二方向、存储层远离至少一个第一导电层...
    2025-11-22
  • 存储装置及其制作方法
    存储装置及其制作方法_清华大学_202511092910.1
    一种存储装置及其制作方法。存储装置包括衬底结构、第一金属结构、第二金属结构和介电层。阻变存储器，包括沿第一方向层叠设置的第一电极、阻变反应层和第二电极。介电层包括电极孔，电极孔的侧壁围绕形成在第一方向上相对的第一开口和第二开口，第一开口暴露...
    2025-11-22
  • 电阻式随机存取存储元件及其制作方法
    电阻式随机存取存储元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410608091.0
    本发明公开一种电阻式随机存取存储元件及其制作方法，其中电阻式随机存取存储元件包含：基底；第一层间介电层，设置于该基底上；第一互连结构，设置于该第一层间介电层中；盖层，设置于该第一互连结构和该第一层间介电层上；中间介电层，设置于该盖层上；导电...
    2025-11-22
  • 一种分裂栅极U型沟道铁电场效应晶体管存储器
    一种分裂栅极U型沟道铁电场效应晶体管存储器_湘潭大学_202511055486.3
    本发明公开了一种分裂栅极U型沟道铁电场效应晶体管存储器，涉及存储器技术领域，包括：通过U型沟道结构克服平面FeFET增加AIL/AFE面积比时需额外非自对准MFM图案化的设计限制，实现AIL>AFE高面积比，使铁电层分压显著增大，在相同总栅...
    2025-11-22
  • 半导体存储器
    半导体存储器_铠侠股份有限公司_202511041213.3
    根据一个实施例，一种半导体存储器装置包含第一存储器芯片、电路芯片及位于所述第一存储器芯片的表面上的外部连接电极。所述第一存储器芯片包括经由绝缘体堆叠的第一导体，及穿过所述第一导体的第一柱。所述电路芯片包括衬底、控制电路及连接到所述控制电路的...
    2025-11-22
  • NAND型闪速存储器及其制造方法
    NAND型闪速存储器及其制造方法_华邦电子股份有限公司_202510151359.7
    本发明提供一种能够减低相邻的存储单元间的电容耦合的NAND型闪速存储器及其制造方法。本发明的NAND型闪速存储器包括：有源区，在硅衬底内以沿位线方向延伸形成；槽隔离区，用以限定有源区；电荷蓄积层，在有源区上对应每个存储单元而形成，且层叠有被...
    2025-11-22
  • 半导体装置
    半导体装置_华邦电子股份有限公司_202510153337.4
    本发明提供一种将NOR型存储单元阵列与NAND型存储单元阵列集成而成的半导体装置。本发明的闪速存储器包括：存储单元阵列，由NOR型存储单元阵列与NAND型存储单元阵列集成而成；字线，与存储单元各者连接；以及位线，与NOR型存储单元阵列及NA...
    2025-11-22
  • NOR型闪速存储器及其制造方法
    NOR型闪速存储器及其制造方法_华邦电子股份有限公司_202510151463.6
    本发明提供一种抑制非选择单元的漏电流，且与NAND型闪速存储器具有相容性的NOR型闪速存储器及其制造方法。本发明的NOR型闪速存储器包括：有源区，在硅衬底内沿位线方向延伸形成；槽，与有源区相邻；电荷蓄积层，在有源区上对应每个存储单元而形成；...
    2025-11-22
  • 闪存及其形成方法
    闪存及其形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511046930.5
    本发明提供一种闪存及其形成方法，字线两侧的衬底上方分别形成有堆叠的浮栅、间隔层和控制栅；在垂直于衬底的截面上，浮栅上表面呈弧形状；控制栅的正上方不再有侧墙，在闪存统一制作接触孔的时候，能直接将控制栅引出来，利用同一光罩在一次刻蚀工艺中形成接...
    2025-11-22
  • 闪存及其制作方法
    闪存及其制作方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511046917.X
    本发明提供一种闪存及其制作方法，包括：提供衬底，衬底上依次形成栅氧化层、浮栅层和掩膜层；以掩膜层为掩膜，对浮栅层进行各项同性刻蚀，使开口暴露出的浮栅层的上表面呈弧形状；在掩膜层开口两侧的侧壁上依次形成间隔层、控制栅、偏移层和HTO层；刻蚀去...
    2025-11-22
  • 改进存储器阵列中的连续性
    改进存储器阵列中的连续性_美光科技公司_202510576319.7
    本申请涉及改进存储器阵列中的连续性。可以将材料堆叠形成为连续的存储器通道和连接通道。例如，所述堆叠可以包含一组氧化物层和金属层。可以形成第一堆叠。柱可以延伸穿过所述第一堆叠。可以在所述柱的第一层中形成凹槽。可以在所述第一堆叠和所述凹槽的顶部...
    2025-11-22
  • 半导体器件和包括半导体器件的电子系统
    半导体器件和包括半导体器件的电子系统_三星电子株式会社_202510015993.8
    一种半导体器件，包括：第一堆叠结构，设置在衬底的上表面上，并且包括设置在衬底的连接区域上的第一凹陷区域；第二堆叠结构，设置在第一堆叠结构上，并且包括设置在连接区域上的第二凹陷区域；第一封盖图案，设置在第一凹陷区域上；第二封盖图案，设置在第二...
    2025-11-22
  • 非挥发性存储器的存储单元
    非挥发性存储器的存储单元_力旺电子股份有限公司_202511088743.3
    本发明公开一种非挥发性存储器的存储单元，包括：一N型区域、一N型阱区、一P型阱区、一第一p型掺杂区域、一第二p型掺杂区域与一第一n型掺杂区域。该N型阱区与该P型阱区形成于该N型区域中。该第一p型掺杂区域与该第二p型掺杂区域位于该N型阱区的表...
    2025-11-22
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_福建省晋华集成电路有限公司_202511099659.1
    本发明公开了半导体器件及其制作方法，包括衬底、浅沟槽隔离和至少一栅极线。衬底包括多个有源区。浅沟槽隔离设置在衬底中、并在一方向上与有源区交替设置，其中，浅沟槽隔离包括第一浅沟槽隔离和第二浅沟槽隔离。至少一栅极线设置在衬底内并同时与浅沟槽隔离...
    2025-11-22
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202511070988.3
    一种半导体装置，包括：基板层；位于基板层上方的第一晶体管和第二晶体管；位于基板层上方的第一存储器单元；位于基板层上方并电性连接到第一存储器单元的第一字元线，其中第一字元线位于第一高度，并且第一晶体管电性连接到第一字元线；位于基板层上方的第二...
    2025-11-22
  • DRAM中深沟槽的制作方法
    DRAM中深沟槽的制作方法_杭州积海半导体有限公司_202511041790.2
    本发明提供了一种DRAM中深沟槽的制作方法，包括：提供衬底，衬底上至少形成有第一氧化硅层；在第一氧化硅层的表面涂敷光阻层，且利用光刻的EBR工艺去除衬底边缘的光阻层；对衬底边缘暴露的第一氧化硅层进行预设深度及预设浓度的离子注入形成离子注入层...
    2025-11-22
  • 半导体器件
    半导体器件_福建省晋华集成电路有限公司_202511036687.9
    本申请提供一种半导体器件，涉及半导体技术领域，用于解决半导体体存储器件的整体性能不良的技术问题，该半导体器件包括衬底和字线结构，衬底具有核心区和与核心区相邻的外围区，衬底包括隔离结构以及有源结构，隔离结构包括位于核心区的第一隔离结构和位于外...
    2025-11-22
  • 一种半导体结构及其制作方法、半导体存储器及电子设备
    一种半导体结构及其制作方法、半导体存储器及电子设备_成都高真科技有限公司_202510926488.9
    本公开提供一种半导体结构及其制作方法、半导体存储器及电子设备。本公开的半导体结构包括：半导体基底，包括彼此间隔开的有源区；在所述有源区之间的隔离区的下方填埋有沿第一方向延伸的金属体线；所述金属体线与晶体管的体区连接，用于将晶体管的体区连接到...
    2025-11-22
  • 半导体结构、动态随机存储器及其制备方法
    半导体结构、动态随机存储器及其制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202510884691.4
    提供一种半导体结构，动态随机存储器及其制造方法，包括：提供衬底，衬底形成有叠层结构，叠层结构由第一材料层和第二材料层交替重复形成；在叠层结构中形成第一沟槽，第一沟槽在沿平行于衬底表面的方向延伸；形成第一沟槽包括：形成第二沟槽，通过第二沟槽在...
    2025-11-22
  • 包含双面字元线的半导体元件及其制造方法
    包含双面字元线的半导体元件及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202510671656.4
    提供一种半导体元件及其制造方法。此半导体元件，包括一基板、一位元线、一第一字元线、一第二字元线及一通道层。该位元线设置于该基板上并且沿着一第一方向延伸。该第一字元线设置于该基板上并且沿着大致上垂直于该第一方向的一第二方向延伸。该第二字元线设...
    2025-11-22
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