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  • 本发明公开了一种硅外延生长用的分区温控石英反应腔,涉及石英反应腔技术领域,包括腔室,所述腔室顶部设置有供气座,所述腔室底部设置有排气口,还包括:载具,所述载具包括:基座,所述基座置于腔室内部,所述基座上表面边缘设置有围挡;多个第一挡环,固定...
  • 本发明涉及单晶金刚石制备技术领域,公开了一种用于MPCVD设备的偏压基台结构,包括腔体,所述腔体内部设置有陶瓷套筒,所述腔体外侧装有外接电源的KF单芯电极,所述腔体内壁顶部设置有基台环,基台垫板,所述基台垫板上表面设置有生长衬底,铜台,所述...
  • 本发明公开了一种基于Mxene衬底可控生长氧化镓薄膜的方法,包括以下步骤:选择Mxene作为衬底;加热衬底至一定温度,并在一定生长压强下、惰性气氛中进行溅射沉积,在Mxene衬底表面外延生长氧化镓薄膜。本发明首次采用射频磁控溅射法在Mxen...
  • 本发明属于单晶硅制造技术领域,具体涉及一种液口距控制方法,将石英坩埚划依次沿着高度方向水平划分为若干区域,并获得每个区域内溶液的高度Hi和重量Wi,设定变形量并结合其他参数计算基准Ratio值,根据单位时间内平均籽晶生长速度计算生长的单晶重...
  • 本发明属于半导体材料制备技术领域,具体涉及一种利用调整后的8寸拉晶系统拉制12寸硅单晶的方法,通过调整热屏尺寸、角度,扩大热场空间,上移加热器位置以及优化保温材设置,有助于优化热场内的温度分布和热传递效率,为拉制12寸硅单晶创造更适宜的热场...
  • 本发明提供一种降低重掺单晶氧化物堆积的方法,属于重掺拉晶控制方法技术领域,在整个拉晶过程中,所述第二排出部始终开启,而在掺杂时,再开启所述吹送部及所述第一排出部,所述吹送部产生向下的多股进气气流,且吹送部产生的多股气流与炉内较大的氩气量产生...
  • 本发明公开了直拉单晶制造领域的一种直拉单晶炉加料系统,旨在解决连续直拉单晶时连续加料引起的双层坩埚内外温差的技术问题。所述系统包括炉体以及位于炉体外部的硅料加料装置,硅料加料装置通过下料管道贯穿延伸至炉体内部;炉体内部安装有双层坩埚,双层坩...
  • 本发明提供一种重掺单晶的放肩方法,属于重掺拉晶控制方法技术领域,通过根据不同的高径比得到不同的放肩肩型、放肩拉速及温度梯度变化趋势,使得放肩肩型与高径比适配,通过放肩拉速匹配对应的温度梯度得到放肩肩型,减少溶体因为受热不同而产生密度差,降低...
  • 一种可连续拉制多根晶棒的单晶炉结构及方法,包括主炉室、副炉室、炉台支撑结构;炉台支撑结构包括位于主炉室同一侧的第一支撑立柱、第二支撑立柱、第三支撑立柱;第一支撑立柱、第二支撑立柱对称设于主炉室两侧,第三支撑立柱设于第一支撑立柱与第二支撑立柱...
  • 本公开提供了单晶硅棒的制造方法、硅晶圆及其制造方法以及拉晶炉,所述制造方法包括:在拉晶炉中,采用直拉法拉制单晶硅棒;在所述拉晶炉中,对所述单晶硅棒进行第一热处理,所述第一热处理的温度范围为650℃至800℃,持续时间范围为5分钟至90分钟;...
  • 本申请公开了一种用于单晶叶片的引晶结构、叶片蜡模模组及其制备方法,包括选晶器、引晶过渡段、支撑棍和底座;引晶过渡段为锥形结构,且引晶过渡段的第一分部的大径端与叶片蜡模连接为一体,引晶过渡段的第二分部的小径端与选晶器的第一端连接为一体,第一分...
  • 本发明实施例提供一种纳米晶的制备方法及装置,制备方法包括:S1,将高温前驱体溶液I、常温前驱体溶液II同时注入超声雾化喷头中混合后超声雾化为前驱体微纳液滴;S2,气体气流带着前驱体微纳液滴喷涂于控温腔室内,使微纳液体中的前驱体溶液I和前驱体...
  • 本发明公开了一种基于泡沫金属的金属板表面毛化处理方法,具体为:将泡沫金属与待毛化处理的金属板相对置于电解液中,以泡沫金属作为阴极,待毛化处理的金属板作为阳极,分别与外部电源的负极和阳极连接;其中,金属板需要毛化处理的那一侧与泡沫金属相对设置...
  • 一种基于等离子体电解技术的热障涂层去除方法,属于材料表面处理技术领域,通过构建特定的等离子体电解体系,调配含特定离子的溶液,并控制电压、溶液温度及处理时间等关键参数,借助等离子体产生的高温、高压和强电场等物理化学环境,促使YSZ涂层发生一系...
  • 本发明涉及柴油发动机连杆表面处理设备技术领域,特别是涉及一种柴油发动机连杆表面处理的输送装置;包括吊轨、机架、滑车和悬吊机构,吊轨设置在机架上方,机架上侧设有处理槽,滑车滑动安装于吊轨上,悬吊机构通过升降驱动件连接滑车,所述升降驱动件用于带...
  • 本发明涉及铜箔加工技术领域,特别是涉及一种用于铜箔表面镀锌镍的高效连续电镀装置,包括电镀机构,电镀机构两侧分别设置有送料机构和收卷机构;电镀机构包括电镀池,电镀池循环连通有循环组件,用于维持电镀池中的电解液循环流动;送料机构包括前处理组件,...
  • 本发明涉及U型母线排生产加工技术领域,具体是一种消除悬挂盲区的U型母线排电镀设备及电镀方法,包括电镀池及桁架,还包括:活动设于桁架上的横移架,横移架能够沿桁架的长度方向移动,且横移架上设有能够升降的横台;固定于横台底部的立板,立板的两侧均设...
  • 本发明涉及摇摆电镀技术领域,公开了一种新能源电池钢壳加工用多向摇摆电镀设备。本发明在电镀过程中各个电镀槽分别在对应的横向摆动机构和斜向摆动机构的驱动下进行摆动,以保证电镀液在电镀槽内部的均匀分布和浓度均匀的同时,保证电镀液与零件之间的充分接...
  • 本发明提供了一种具有离散过渡层的金刚石铜复合材料的制备方法,通过将预处理后的金刚石颗粒与钨粉混合均匀,将混合物装入氧化铝坩埚,并在混合物上均匀覆盖NaCl和KCl的混合盐;将装有物料的氧化铝坩埚放入管式炉中,通入氩气以排除空气,营造还原气氛...
  • 本发明公开了一种CTAB改性的硅酸铋/碳化钼/碳碳复合材料光电催化涂层材料及制备方法,属于光电催化涂层材料领域,将五水硝酸铋、九水硅酸钠和十六烷基三甲基溴化铵的混合液pH调节至7‑14,得到混合体系;将混合体系在100‑200 °C下保温处...
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