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最新专利技术
  • 碳化硅半导体装置
    碳化硅半导体装置_株式会社电装_202480027722.8
    在元件隔离区域(In)中，形成配置于主单元区域(Rm)与感测单元区域(Rs)之间并且比衬底层(18)深的多条隔离沟槽(40)，由此将衬底层(18)分离为主单元区域侧和感测单元区域侧。而且，在多条隔离沟槽各自的底部，具备相互分离地配置并且与该...
    2025-11-29
  • 碳化硅衬底、碳化硅半导体装置及碳化硅衬底的制造方法
    碳化硅衬底、碳化硅半导体装置及碳化硅衬底的制造方法_住友电气工业株式会社_202480025712.0
    碳化硅衬底具有：碳化硅单晶衬底，具有第一导电型；碳化硅外延层，设置在所述碳化硅单晶衬底上，具有所述第一导电型；以及漂移层，设置在所述碳化硅外延层上，具有所述第一导电型，所述碳化硅外延层具有第一区域和第二区域，所述第一区域位于所述第二区域上，...
    2025-11-29
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202480027717.7
    实施方式的半导体装置具备：第一电极；第二电极；以及碳化硅层，所述碳化硅层包括：第一导电型的第一碳化硅区域；第二导电型的第二碳化硅区域，设置于第一碳化硅区域与第一面之间，与栅极电极对置，与第一电极电连接；第三碳化硅区域以及第四碳化硅区域；第一...
    2025-11-29
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202480027716.2
    具备：碳化硅层，包括第一导电型的第一碳化硅区域、第二导电型的第二碳化硅区域以及第一导电型的第三碳化硅区域，并具有第一面以及第二面；第一栅极电极以及第二栅极电极，沿第一方向延伸；第一面侧的第一电极，包括在第一栅极电极与第二栅极电极之间与第二碳...
    2025-11-29
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_罗姆股份有限公司_202480020671.6
    本发明的半导体装置包括：芯片，其具有主面；第一导电型的漂移区域，其形成于所述主面的表层部；以及第二导电型的主体区域，其以水平方向的宽度朝向厚度方向减少的方式在所述漂移区域的表层部形成为前端变细形状，且具有相对于所述主面沿倾斜方向倾斜的周缘部...
    2025-11-29
  • 管理半导体装置中的保护结构
    管理半导体装置中的保护结构_长江存储科技有限责任公司_202480000988.3
    本公开涉及用于管理半导体装置中的保护结构的方法、装置、系统和技术。一种示例性半导体装置包括至少一个阵列区、至少一个连接区以及围绕所述至少一个阵列区和所述至少一个连接区的保护结构。所述保护结构具有包括连接在一起的一系列弯曲部分的表面。
    2025-11-29
  • 3D存储器模制膜堆叠
    3D存储器模制膜堆叠_应用材料公司_202480027990.X
    本文提供了三维(3D)存储器结构及其形成方法。在一些实施方式中，3D存储器制造结构包括：基底硅(Si)层；硅锗(SiGe)层，其设置在基底Si层上方；以及经掺杂的硅(Si)层，其设置在SiGe层的至少一侧上，其中经掺杂的Si层含有掺杂剂，所...
    2025-11-29
  • 用于4F2的超薄主体阵列晶体管
    用于4F2的超薄主体阵列晶体管_应用材料公司_202480027574.X
    本技术包括垂直单元阵列晶体管(VCAT)，其包括在第一水平方向上布置的位线和在第二水平方向上布置的字线。阵列包括沟道，在与第一方向和第二水平方向大体上正交的垂直方向上延伸，使得位线与多个沟道的源极/漏极区域相交，字线与多个沟道的栅极区域相交...
    2025-11-29
  • 垂直动态随机存取存储器(DRAM)器件的背面工艺中的字线保护方法
    垂直动态随机存取存储器(DRAM)器件的背面工艺中的字线保护方法_长江存储科技有限责任公司_202480000715.9
    一种半导体存储器器件包括在位线方向上布置的沟槽隔离；在垂直于位线方向的字线方向上布置的栅极结构；在垂直于位线方向和字线方向的垂直方向上布置并由沟槽隔离和栅极结构分开的垂直晶体管沟道的阵列，每列中的垂直晶体管沟道的顶端在半导体存储器器件的背面...
    2025-11-29
  • 布线电路基板、半导体封装基板、电子设备、以及布线电路基板的制造方法
    布线电路基板、半导体封装基板、电子设备、以及布线电路基板的制造方法_日东电工株式会社_202480028895.1
    再布线基板具有在支承层上层叠有多个第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层以及第四绝缘层的结构。在多个绝缘层中的最上部的第一绝缘层形成有多个贯通孔。以填埋各贯通孔的方式形成有第三导体层。在位于第三导体层的上端部的端子形成部上形成有端子部。多个贯通...
    2025-11-29
  • 多层基板的制造方法及半导体装置
    多层基板的制造方法及半导体装置_株式会社力森诺科_202380097530.X
    作为封装基板的制造方法的一例，准备具有固化的绝缘层的第1基板(30)、具有固化的绝缘层的第2基板(40)、具有固化的绝缘层的第3基板(50)及具有固化的绝缘层的第4基板(60)。在第1基板(30)与第2基板(40)之间夹入半固化的接合体(7...
    2025-11-29
  • 制造配线结构体的方法
    制造配线结构体的方法_株式会社力森诺科_202380097580.8
    本发明提供一种新型的配线结构体的制造方法，其包括如下步骤：在基板上通过两阶段的电解镀敷形成导体层的步骤，所述基板具有形成有第1凹部及第2凹部的主面，并且第1底面的最小宽度比第2底面的最小宽度大。该方法包括如下步骤：形成具有包含使第1底面中至...
    2025-11-29
  • 配线基板形成用热硬化性树脂组合物、硬化物、预浸体、层间绝缘膜
    配线基板形成用热硬化性树脂组合物、硬化物、预浸体、层间绝缘膜_JSR株式会社_202480026968.3
    一种配线基板形成用热硬化性树脂组合物、硬化物、预浸体、层间绝缘膜，其中，所述配线基板形成用热硬化性树脂组合物含有：具有式(1‑1)所表示的结构单元的聚合物(A)；以及具有源自乙烯或α‑烯烃的结构单元、源自芳香族乙烯基化合物的结构单元及源自芳...
    2025-11-29
  • 部件安装基板及部件安装基板的制造方法
    部件安装基板及部件安装基板的制造方法_松下知识产权经营株式会社_202480021582.3
    部件安装基板具备电子部件和电子部件被焊接到的基板。电子部件具备底座和被载置于底座的部件主体。基板具备第1贯通孔。底座具备第2贯通孔。第1贯通孔与第2贯通孔相互连通。
    2025-11-29
  • 发光元件、显示装置以及发光层的形成方法
    发光元件、显示装置以及发光层的形成方法_夏普显示科技株式会社_202380097297.5
    蓝色发光元件(5B)具备阳极(22)、阴极(25)以及设置在阳极(22)与阴极(25)之间的蓝色发光层(24BEM)，蓝色发光层(24BEM)包含多个量子点(QD)、混合有包含金属元素或者半金属元素的无机氧化物与金属硫化物的介质(MR)。
    2025-11-29
  • 发光元件及显示装置
    发光元件及显示装置_夏普显示科技株式会社_202380097318.3
    发光元件(1a)具备阳极(2)、阴极(6)、设置于阳极(2)与阴极(6)之间的发光层(4a)以及设置于阴极(6)与发光层(4a)之间的作为载流子传输层的电子传输层(5)，发光层(4a)包含多个量子点(QDa)和设置于多个量子点(QDa)各自...
    2025-11-29
  • 通信方法、通信设备及通信系统
    通信方法、通信设备及通信系统_北京小米移动软件有限公司_202580001331.3
    本公开实施例提供了一种通信方法、通信设备及通信系统。该通信方法包括：多链路站点设备non‑AP MLD包括：向多链路接入点设备AP MLD发送第一无线帧；其中，所述第一无线帧用于请求：对至少一条链路下，所述non‑AP MLD的附属non‑...
    2025-11-29
  • 用于会话管理功能(SMF)重新分配的系统和方法
    用于会话管理功能(SMF)重新分配的系统和方法_中兴通讯股份有限公司_202380096294.X
    本发明涉及一种用于会话管理功能(SMF)重新分配的系统和方法。会话管理功能(SMF)可以从接入和移动性管理功能(AMF)接收请求以建立协议数据单元(PDU)会话。SMF可以确定要执行SMF重新分配以建立PDU会话。SMF可以向AMF发送指示...
    2025-11-29
  • 通信方法及装置、存储介质
    通信方法及装置、存储介质_北京小米移动软件有限公司_202480025414.1
    本公开提供一种通信方法及装置、存储介质。本公开可以由终端向网络设备发送用于指示终端支持的RACH操作的能力信息，以在SBFD符号上部署RACH过程提供更加丰富的信息，降低SBFD符号上的RACH过程的复杂程度，提高SBFD符号上的RACH过...
    2025-11-29
  • 用于支持相对于具有用户装备触发的随机访问信道的单个服务小区配置的两个定时提前的随机访问信道增强
    用于支持相对于具有用户装备触发的随机访问信道的单个服务小区配置的两个定时提前的随机访问信道增强_苹果公司_202480022238.6
    本文讨论了用于支持相对于单个服务小区配置的两个定时提前(TA)的随机访问信道(RACH)增强。可存在相对于由用户装备(UE)使用的相同(单个)服务小区配置/操作的两个TA。在UE处，可根据两个定时提前组(TAG)来理解两个TA。本文的一些提...
    2025-11-29
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