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  • 本申请提供了一种合金喷嘴的表面处理方法、合金喷嘴和光刻胶边缘胶线去除装置。表面处理方法包括对合金喷嘴进行第一处理,以在合金喷嘴表面形成微米级粗糙结构,第一处理包括采用粗刻蚀溶液进行第一湿法刻蚀和打磨处理,粗刻蚀溶液包括:硝酸和三氯化铁,合金...
  • 本申请公开了一种微蚀剂及其在金属表面处理工艺中的应用。所述微蚀剂的组成包括磷酸、双氧水、双氧水稳定剂、络合剂、pH缓冲剂、表面活性剂以及水;所述双氧水稳定剂包括醇醚类化合物;所述表面活性剂包括阳离子表面活性剂。本申请提供一种温和的磷酸‑双氧...
  • 本发明提供一种提升镍基高温合金高温服役性能的表面处理技术,涉及合金表面处理技术领域。所述的表面处理技术包括:首先对镍基高温合金表面进行预处理;随后在预处理表面镀覆一层涂层;最后对带有涂层的镍基高温合金进行整体热处理,获得高抗氧化、高抗蠕变和...
  • 本发明属于金属表面加工领域,具体涉及一种表面含复合膜层的钛合金及其制备方法和含其的输电线路。本发明的钛合金具有纳米尺度的凹凸结构以及附着于凹凸结构表面上的复合膜层,可以明显提高钛合金的耐腐蚀性、耐磨性及界面附着力,使其更合适应用于输电线路,...
  • 本发明公开了一种氨气发动机防腐蚀复合涂层,涉及氨气融合发动机防腐蚀技术,解决了现有的发动机材料体系与防护技术制约了氨燃料发动机的可靠性、耐久性与商业化进程的技术问题。该复合涂层包括,基材,设置在氨气发动机部件的表面;邻近基材层,设置在所述基...
  • 本发明涉及稀土金属电解阴极保护涂层技术领域,尤其涉及一种钨阴极表面耐高温腐蚀的钇稳定氧化锆梯度涂层;本发明通过表面预处理与反应烧结在钨基体上构建冶金结合的强结合底层,然后采用大气等离子技术喷涂成分连续的抗蠕变梯度层以缓冲热应力,最后利用溶胶...
  • 本发明公开了一种激光熔覆同轴送粉喷嘴,涉及金属熔覆技术领域。一种激光熔覆同轴送粉喷嘴包括机座,机座的上方安装有激光发生机构,机座的外侧固定安装有送粉机构,机座的下方通过通道管贯穿连接有喷嘴,喷嘴的内部周向同等角度开设四个第四滑槽,四个第四滑...
  • 本发明涉及激光熔覆技术领域,公开一种基于熔池粉末岛的激光熔覆层成形质量调控方法和系统,包括:根据激光熔覆过程中各个工艺参数的取值范围,基于中心复合设计构建多组不同的工艺参数取值组合;获取每组工艺参数取值组合下的激光熔覆过程中的熔池图像,提取...
  • 本发明涉及激光熔覆修复技术领域,提供基于激光熔覆修复钢厂大型工作辊表面的定位夹持系统及方法,建立温度场、应力场、位移场三场耦合预测模型, 采用偏最小二乘回归算法结合卡尔曼滤波器实现多步前瞻预测, 根据预测的热变形量通过液压驱动、压电陶瓷驱动...
  • 本发明公开了滑动轴承自由曲面巴氏合金激光熔覆系统及其控制方法,激光熔覆系统包括机械臂、激光熔覆设备、并联平台、飞秒激光微加工模块、熔池监控摄像头、轮廓扫描设备和X射线缺陷检测仪。本发明通过机械臂与并联平台协同,使激光熔覆设备维持最优偏角,避...
  • 本发明提供了一种层流气载送粉高速沉积装置、高速激光沉积装置及方法,层流气载送粉高速沉积装置包括输出头主体,开设有中心送粉管、中心喷嘴、第一鞘气输送通道以及第二鞘气输送通道,中心喷嘴沿输出头主体的中心轴线设置,中心送粉管与中心喷嘴相连通且同轴...
  • 本发明涉及激光熔覆喷嘴技术领域,公开了一种激光熔覆同轴送粉喷嘴,包括喷嘴主体,还包括激光通道,同轴开设在喷嘴主体的中部;多个粉末通道,均匀开设在喷嘴主体的内部;锥形保护气通腔,同轴开设在喷嘴主体的内部且位于粉末通道的外部,锥形保护气通腔的外...
  • 一种镁合金表面耐蚀强韧双尺度氮化钛增强铝基复合涂层的冷喷涂制备方法,涉及一种镁合金表面铝基复合涂层的冷喷涂制备方法。本发明为了解决现有的纯铝涂层冷喷涂耐磨性、致密性和硬度差的问题,本发明使用球磨法把纳米颗粒作为增强相附着在微米级的核心颗粒上...
  • 本发明涉及金属钝化控制技术领域,具体涉及一种基于钝化池的精密无缝钢管自动钝化处理方法。本发明根据每根钢管的电导数据的波动剧烈特征,结合每根钢管两端的流量数据的相关性和幅值差异,并分析脉冲作用结束后电导数据的恢复情况,获取每根钢管的稳定性指数...
  • 本发明涉及金属改性技术领域,尤其涉及一种应用于金属表面优化钝化屏障防锈的方法。本发明针对现有技术中不锈钢自带的防锈能力较差的问题,提供一种应用于金属表面优化钝化屏障防锈的方法,包括对不锈钢基材进行表面清洁的前处理步骤;去除不锈钢基材表面部分...
  • 本发明提供了一种工艺腔室、一种工艺腔室气体浓度的控制方法,以及一种计算机可读存储介质。所述工艺腔室包括:侧壁,其上设有晶圆的传片口;以及吹扫机构,集成于所述侧壁,并包括多个匀气通道,其中,所述吹扫机构的第一匀气通道在所述侧壁中沿所述工艺腔室...
  • 本发明公开了一种线圈装置以及气相沉积设备,涉及半导体技术领域。该线圈装置包括顶板和第一线圈机构。第一线圈机构包括第一定心转动组件、第一安装板、第一线圈和第一调节组件,第一安装板通过第一定心转动组件与顶板活动连接,第一定心转动组件具有第一转动...
  • 本发明提供一种半导体wafer化学沉积工艺,步骤为:S0,调试陶瓷环,S1,调整传送腔和工艺腔处于底压状态,将待沉积晶圆传入工艺腔中,S2,通入气体,开启射频,开始沉积薄膜;S3,停止通入沉积气体,保留射频消耗未反应气体;S4,通入氮气,吹...
  • 本申请涉及晶圆生产装置技术领域,具体的说是一种晶圆镀膜工艺炉,包括支撑板,所述支撑板上连接有供料机构,供料机构的一侧设置有与支撑板固定连接的支撑架,所述支撑架上连接有驱动组件,驱动组件的执行端连接有镀晶箱,所述镀晶箱内设置有夹持机构,所述夹...
  • 一种用于钙钛矿ALD的炉门结构,包括炉门本体和支撑架,所述支撑架上设有驱动机构,用于驱动炉门本体沿水平和/或竖向方向移动;所述支撑架上设有用于支撑炉门本体的支撑板,炉门本体上设有连接支撑板的轴承和环绕轴承设置的若干弹性结构,用于浮动调节炉门...
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