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最新专利技术
  • SiC外延晶片
    SiC外延晶片_株式会社力森诺科_202511288248.7
    本公开涉及SiC外延晶片。目的在于提供定位槽附近的SiC外延层的膜厚偏差小的SiC外延晶片。该SiC外延晶片具有定位槽。所述定位槽具有将所述定位槽的最内侧点与所述晶片的外周相连的第1边和第2边。所述第1边相比于所述最内侧点位于[‑1‑120...
    2026-03-23
  • 一种提高功率器件短路耐受能力的平面结构及其器件
    一种提高功率器件短路耐受能力的平面结构及其器件_电子科技大学_202511857405.1
    本发明属于功率半导体技术领域，具体提供一种槽栅功率器件表面集成反偏二极管的栅极保护结构及其器件。反偏二极管阴极接多晶硅栅(7)、阳极导体接源极金属(12)，通过电热反馈栅极电压调节机制，实现对短路事件的主动防护显著提升器件的短路耐受能力，同...
    2026-03-23
  • 碳化硅器件、制备方法及新能源设备
    碳化硅器件、制备方法及新能源设备_珠海格力电子元器件有限公司_202511840611.1
    本申请提供了一种碳化硅器件、制备方法及新能源设备，可广泛应用于新能源技术领域，该碳化硅器件包括：包括碳化硅本体，所述碳化硅本体的表面设置有：多个管芯区；各个所述管芯区具有多个顶角；划片道，位于所述多个管芯区之外的区域形成所述划片道，所述划片...
    2026-03-23
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411912734.7
    本实施方式的半导体装置具备：基板；氮化物半导体层，设置在基板上，具有第一层和设置在第一层上且带隙比第一层宽的第二层；源极电极；漏极电极；栅极电极，在第一方向上位于源极电极与漏极电极之间；以及绝缘膜，设置在栅极电极与氮化物半导体层之间，氮化物...
    2026-03-23
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411246731.4
    本发明实施例提供一种半导体器件及其形成方法，其中，所述半导体器件包括：基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的支撑结构以及位于所述支撑结构上的鳍部；浅沟槽隔离结构，位于所述衬底上和所述支撑结构、所述鳍部底部以及所述衬底顶面之间形成的刻蚀空腔...
    2026-03-23
  • 一种提高功率器件芯片可靠性的外围结构
    一种提高功率器件芯片可靠性的外围结构_安建科技有限公司_202411224631.1
    一种提高功率器件芯片可靠性的外围结构，本发明涉及功率半导体技术领域，一种防止污染物离子入侵芯片内部的器件外围结构，本发明通过在所述的器件区域和电场截止区域之间设置防止外部污染物离子进入芯片内部的防离子入侵区域的方式，该防离子入侵区域和相邻的...
    2026-03-23
  • 新型氧化物异质结的生产方法、新型晶体管及透明器件
    新型氧化物异质结的生产方法、新型晶体管及透明器件_杭州镓仁半导体有限公司_202511958834.8
    本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种新型氧化物异质结的生产方法、新型晶体管及透明器件，通过准备衬底；在所述衬底上生长铟镓氧外延层；在所述铟镓氧外延层上生长铝镓氧外延层，使所述铟镓氧外延层与所述铝镓氧外延层的界面处形成二维电子气，形成铟镓...
    2026-03-23
  • 半导体装置
    半导体装置_台湾中山大学_202411829102.4
    一种半导体装置包括基板、半导体层、源极电极、漏极电极以及栅极电极。半导体层设置于基板上。源极电极直接接触半导体层。漏极电极直接接触半导体层。栅极电极位于源极电极与漏极电极之间，其中栅极电极直接接触半导体层。通过设计此半导体装置为击穿式N型金...
    2026-03-23
  • 一种栅控结型场效应晶体管
    一种栅控结型场效应晶体管_苏州龙驰半导体科技有限公司_202511685799.7
    本申请提供了一种栅控结型场效应晶体管，包括：衬底、形成在所述衬底之上的外延层；漏极电极，形成在所述衬底背侧；第二掺杂类型的沟道区，形成在所述外延层的顶面向下的位置；第二掺杂类型源极接触区，形成在所述外延层的顶面向下的位置，且连接在所述沟道区...
    2026-03-23
  • SONOS存储器及其制造方法
    SONOS存储器及其制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202411215453.6
    本发明公开了一种SONOS存储器，存储单元的选择管和存储管的栅极结构都形成于单元阱区的顶部表面之上；选择管的阈值电压调节区呈非对称结构，包括：第一阈值电压注入区，形成于单元阱区表面区域中，第一阈值电压注入区的形成区域位于选择管的形成区域中且...
    2026-03-23
  • 基于垂直辅助栅的嵌入式闪存结构及其动态编程方法
    基于垂直辅助栅的嵌入式闪存结构及其动态编程方法_重庆芯联微电子有限公司_202511520957.3
    本发明公开了一种基于垂直辅助栅的嵌入式闪存结构及其动态编程方法，属于存储器技术领域，该基于垂直辅助栅的嵌入式闪存结构，包括衬底，所述衬底的顶面覆盖有沟道氧化层，在所述沟道氧化层上还分布有浮栅，所述浮栅上还设置有控制栅，所述沟道氧化层和所述浮...
    2026-03-23
  • 碳化硅半导体器件及其制备方法
    碳化硅半导体器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511859858.8
    本申请提供了一种碳化硅半导体器件及其制备方法，器件包括：基底，包括衬底和外延层，外延层位于衬底的一侧，外延层背离衬底的一侧表面为第一表面；多个源区结构，间隔的位于外延层中，且源区结构背离衬底一侧的表面位于第一表面中；JFET区，位于外延层中...
    2026-03-23
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_无锡博通微电子技术有限公司_202511602746.4
    本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，其中半导体器件包括衬底、N型漂移层、源极层以及栅极层；衬底的一侧为漏极层；N型漂移层设于衬底另一侧，N型漂移层内设有两个间隔设置的P型区，P型区沿垂直于衬底的方向延伸，并与衬底接触...
    2026-03-23
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_无锡博通微电子技术有限公司_202511602743.0
    本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，其中，半导体器件包括衬底、N型漂移层、源极层以及栅极层，衬底为N型掺杂，衬底的一侧为漏极层；N型漂移层设于衬底另一侧上，N型漂移层内设置有至少两个间隔设置的P型区，P型区沿垂直于衬...
    2026-03-23
  • 包括沟槽结构的绝缘栅场效应晶体管
    包括沟槽结构的绝缘栅场效应晶体管_英飞凌科技奥地利有限公司_202511224868.4
    提出了一种绝缘栅场效应晶体管IGFET(100)。IGFET(100)包括从宽带隙半导体主体(104)的第一表面(1061)沿着垂直方向(y)延伸到宽带隙半导体主体(104)中的沟槽结构(102)。IGFET还包括第一导电类型的主体区(10...
    2026-03-23
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411797768.6
    本发明的实施方式一般来说涉及一种半导体装置。实施方式的半导体装置具备第一电极、第二电极、半导体层、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第三电极、及第一导电型的第三半导体区域。半导体层设于第一电极与第二电极之间。第一半导体...
    2026-03-23
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411776967.9
    本发明的半导体装置具备：第一电极；第一电极的上方的第二电极；第一电极与第二电极之间的半导体层，有第一导电型的第一半导体区域、第一半导体区域之上的第二导电型的第二半导体区域、及设于第二半导体区域之上且与第二电极电连接的第一导电型的第三半导体区...
    2026-03-23
  • 减少光致抗蚀剂毒化
    减少光致抗蚀剂毒化_德州仪器公司_202511137089.0
    本公开大体上涉及减少光致抗蚀剂毒化。在一实例中，半导体装置包含半导体衬底(202)、氮化物结构(302)和氧化物层(402)。所述氮化物结构(302)在所述半导体衬底(202)上方。所述氧化物层(402)在所述氮化物结构(302)上。所述半...
    2026-03-23
  • 横向器件
    横向器件_电子科技大学_202411230437.4
    本发明涉及一种横向器件，包括：源极区，具有第一导电类型；漏极区，具有第一导电类型；漂移区，具有第一导电类型，且至少部分位于所述源极区和漏极区之间；第二导电类型埋藏区，位于所述源极区和漏极区之间的漂移区中；场氧层，位于所述漂移区上；顶部掺杂，...
    2026-03-23
  • 半导体器件
    半导体器件_电子科技大学_202411227310.7
    本发明涉及一种半导体器件，包括：源极区；漏极区，所述漏极区与所述源极区的导电类型相同；场氧层，位于所述源极区与漏极区之间；栅极，位于所述源极区和漏极区之间，且从所述源极区边缘延伸至所述场氧层上；阻性场板，位于所述场氧层上，所述阻性场板形成有...
    2026-03-23
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