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最新专利技术
  • 具有高稳定氧化态表面特性的磷化铟清洗方法
    具有高稳定氧化态表面特性的磷化铟清洗方法_云南鑫耀半导体材料有限公司_202511592497.5
    具有高稳定氧化态表面特性的磷化铟清洗方法，涉及磷化铟半导体的表面处理技术领域，具体地说是一种兼具清洁度和高稳定氧化态表面特性的InP晶片清洗技术。本发明的方法包括将晶片置于SC1溶液中浸泡冲洗、依次置于热、冷硫酸中浸泡后冲洗、置于有机溶液中...
    2026-03-20
  • 湿法清洗工艺及其测试方法
    湿法清洗工艺及其测试方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202411196220.6
    本发明提供一种湿法清洗工艺及其测试方法。其中，在所述湿法清洗工艺中，将酸溶液清洗工艺拆分为两次及以上进行实施，以对晶圆表面进行逐次刻蚀清洗。不仅能够有效控制当前站点的总刻蚀量，避免过量刻蚀，还可以大幅度改善晶圆表面出现的水痕缺陷问题，提高湿...
    2026-03-20
  • 化合物晶圆的再构制备工艺
    化合物晶圆的再构制备工艺_中国电子科技集团公司第四十四研究所_202511931517.7
    本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种化合物晶圆的再构制备工艺，包括在化合物晶圆表面沉积第一介质膜，在硅晶圆表面沉积第二介质膜；在第一介质膜上形成第一对位标记和划片道，在第二介质膜上形成第二对位标记和定位区域；对第一介质膜和第二介质膜进...
    2026-03-20
  • 晶圆解键合装置及方法
    晶圆解键合装置及方法_常州英诺激光科技有限公司_202610009767.3
    本发明属于晶圆生产技术领域，具体涉及一种晶圆解键合装置及方法。本发明的晶圆解键合装置包括：旋转吸附平台、高度测量模块、至少两个顶升对插机构和搬运机构；所述顶升对插机构包括顶升组件，和安装在顶升组件上的刀具横移组件和刀具；所述顶升组件用于调整...
    2026-03-20
  • 大线宽深沟槽平坦化方法及晶圆
    大线宽深沟槽平坦化方法及晶圆_上海灵境光启科技有限公司_202511915320.4
    本申请提供了一种大线宽深沟槽平坦化方法，包括步骤：在具有所述大线宽深沟槽的衬底片上方淀积介质层；对所述介质层进行研磨，并将研磨产生的碎屑保留在所述沟槽中；重复上述淀积和研磨的步骤，直至形成平坦的表面。本申请还提供了一种包含使用该平坦化方法加...
    2026-03-20
  • 降低磷化铟晶片划伤的研磨方法
    降低磷化铟晶片划伤的研磨方法_云南鑫耀半导体材料有限公司_202511576574.8
    降低磷化铟晶片划伤的研磨方法，属于半导体加工制备技术领域，具体涉及磷化铟晶片研磨方法。本发明的方法括晶片预处理、配置复合化学机械研磨液、分步研磨及后处理工序。本发明磷化铟复合型研磨方法，通过优化组合多步机械研磨与化学机械抛光，可以使得化学作...
    2026-03-20
  • 一种金属膜层湿法刻蚀方法及其刻蚀夹具
    一种金属膜层湿法刻蚀方法及其刻蚀夹具_中国振华集团云科电子有限公司_202511937165.6
    一种金属膜层湿法刻蚀方法及其刻蚀夹具，属于金属膜刻蚀技术领域。所述方法包括：获取在晶圆衬底或陶瓷基板上已形成金属膜层的产品；旋涂光刻胶并光刻出所需图形；将产品放置于刻蚀夹具中，并将夹具装入刻蚀设备；第一段刻蚀；去离子水浸泡和喷淋去除产品残留...
    2026-03-20
  • 半导体器件的加工方法和半导体器件
    半导体器件的加工方法和半导体器件_拓荆科技(上海)有限公司_202511949658.1
    本申请提供了一种半导体器件的加工方法和半导体器件，涉及半导体技术领域。其中加工方法包括：提供基体层；在所述基体层之上进行第一图形化处理，以形成第一图形，所述第一图形包括间隔设置的多个芯轴，多个所述芯轴沿第一方向延伸、且沿第二方向间隔设置，所...
    2026-03-20
  • 半导体器件的加工方法和半导体器件
    半导体器件的加工方法和半导体器件_拓荆科技(上海)有限公司_202511949647.3
    本申请提供了一种半导体器件的加工方法和半导体器件，涉及半导体技术领域。其中加工方法包括：提供基体层；在基体层之上进行第一图形化处理，以形成第一图形，第一图形包括间隔设置的多个芯轴；在每个芯轴的顶面选择性沉积硬掩膜层；在每个芯轴的侧面选择性沉...
    2026-03-20
  • 一种改善铌酸锂薄膜刻蚀角度的刻蚀方法
    一种改善铌酸锂薄膜刻蚀角度的刻蚀方法_上海新微技术研发中心有限公司_202511863482.8
    本发明涉及集成光电材料加工技术领域，具体涉及一种改善铌酸锂薄膜刻蚀角度的刻蚀方法。该方法包括：S1、基于器件需求预设图形结构，对涂覆有第一光刻胶的铌酸锂薄膜材料进行曝光和显影处理，以形成光刻图形；S2、基于预刻深度对铌酸锂薄膜材料进行离子注...
    2026-03-20
  • 一种改善铌酸锂薄膜刻蚀的方法及其应用
    一种改善铌酸锂薄膜刻蚀的方法及其应用_上海新微技术研发中心有限公司_202511863431.5
    本发明公开了一种改善铌酸锂薄膜刻蚀的方法及其应用，所述方法包括以下步骤：S1、在铌酸锂薄膜表面制作应力隔离层，所述应力隔离层包括隔离区和暴露区，所述暴露区用于暴露部分的所述铌酸锂薄膜，该部分的所述铌酸锂薄膜为待刻蚀区域；S2、在所述暴露区生...
    2026-03-20
  • 处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置、及程序制品
    处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置、及程序制品_株式会社国际电气_202510783325.X
    本发明涉及处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置、及程序制品。其课题在于提供能够高效地进行衬底的表面的蚀刻的技术。解决手段为具有：(a)设置在处理室内配置有制品衬底和吸附有物质M的非制品衬底的状态的工序；和(b)通过向配置有前述制品衬底和...
    2026-03-20
  • 一种半导体结构及制备方法
    一种半导体结构及制备方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411194957.4
    本申请公开了一种半导体结构及制备方法，包括提供基板；所述基板上具有多个待接线元件和硬掩膜层，所述硬掩膜层覆盖所述多个待接线元件；在所述硬掩膜层上形成层间介质层；对所述层间介质层进行第一刻蚀处理，于各所述待接线元件上形成初始接触区；所述初始接...
    2026-03-20
  • 一种应用于LTPO栅极的干法刻蚀方法
    一种应用于LTPO栅极的干法刻蚀方法_信利(惠州)智能显示有限公司_202511484765.1
    本发明公开了一种应用于LTPO栅极的干法刻蚀方法，在现有的干法刻蚀方法进行优化改进，在现有的刻蚀步骤上延长SF6和O2混合气体刻蚀步骤中(S1)的刻蚀时间完成双金属层的垂直刻蚀而去除大部分需刻蚀的金属层，在Cl₂和O₂混合气体刻蚀步骤(S2...
    2026-03-20
  • 用于蚀刻半导体结构及用于调节处理反应器的方法
    用于蚀刻半导体结构及用于调节处理反应器的方法_环球晶圆股份有限公司_202511927013.8
    本申请涉及用于蚀刻半导体结构及用于调节处理反应器的方法，单个半导体结构在处理反应器中处理。工程多晶硅表面层沉积于支撑所述半导体结构的基座上。所述多晶硅表面层可通过控制沉积所述层的温度、通过对所述多晶硅表面层开槽或通过控制所述多晶硅表面层的厚...
    2026-03-20
  • 半导体结构及其制备方法、电子设备
    半导体结构及其制备方法、电子设备_湖北江城芯片中试服务有限公司_202511848597.X
    本申请实施例提供一种半导体结构及其制备方法、电子设备；其中，半导体结构的制备方法，包括：提供待切割晶圆；晶圆包括芯片区域，以及位于芯片区域外围的切割道区域；刻蚀切割道区域，形成刻蚀凹槽；刻蚀凹槽未贯穿晶圆；在刻蚀凹槽暴露的侧壁，形成第一保护...
    2026-03-20
  • 一种半导体器件的刻蚀工艺
    一种半导体器件的刻蚀工艺_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202411261033.1
    本发明公开了一种半导体器件的刻蚀工艺，至少包含以下步骤：提供一硅衬底，硅衬底放置于反应腔内；向反应腔内通入刻蚀气体和钝化气体，对硅衬底进行刻蚀，以形成沟槽；刻蚀气体为含卤素气体，钝化气体为CxHyFz气体，其中，x，y，z分别为碳、氢、氟的...
    2026-03-20
  • 硅片吸杂方法、硅片、电池及制备方法、组件及光伏系统
    硅片吸杂方法、硅片、电池及制备方法、组件及光伏系统_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511772338.3
    本申请涉及太阳能电池技术领域，提供了一种硅片吸杂方法、硅片、电池及制备方法、组件及光伏系统，该方法包括：从拉晶炉产出的多个硅片中确定含杂硅片；含杂硅片为多个硅片中少子寿命小于多个硅片的少子寿命均值的硅片；对含杂硅片进行吸杂处理，以吸收硅片内...
    2026-03-20
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411196412.7
    本发明提供一种半导体结构及其制备方法，在基底上依次形成覆盖金属件的氧化硅层、氮氧化硅过渡层及氮化硅层，通过在氧化硅层与氮化硅层之间制备氮氧化硅过渡层，可使氧化硅层与氮化硅层之间的界面过渡更加平滑，减小氧化硅层与氮化硅层之间的应力不匹配，从而...
    2026-03-20
  • 减小器件LOD效应的方法
    减小器件LOD效应的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511787218.0
    本发明公开了一种减小器件LOD效应的方法，沉积刻蚀停止层并降低刻蚀停止层表面反射率后再执行后续工艺。本发明能改善LOD效应，使ILD0内空洞率显著下降，M0A短路失效基本消除，工艺兼容性强且良率提高。
    2026-03-20
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