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  • 本发明提供一种半导体制造装置及其参数调整方法。于工艺装置执行图案化工艺前,对晶圆的对准标记进行测量,而产生对准标记的位置数据以及质量数据。依据位置数据以及质量数据校正工艺装置执行图案化工艺以及晶圆接合时使用的对准配方参数以及测量装置测量晶圆...
  • 一种电子装置包括衬底及设置于衬底上的第一电子元件、第二电子元件、第一开关晶体管及共用电垫。第一开关晶体管与第一电子元件及第二电子元件耦接。共用电垫通过第一开关晶体管分别与第一电子元件以及该第二电子元件耦接。当第一开关晶体管导通时,从共用电垫...
  • 一种测试结构及测试方法,结构包括:基底,包括检测区、位于检测区一侧的第一引线区、以及位于检测区另一侧的第二引线区;第一金属线,位于第一引线区的基底中;第二金属线,位于第二引线区的基底中;检测金属层,位于检测区的基底中,检测金属层与第一金属线...
  • 本发明提供一种晶圆背金异常原因的分析方法及改善方法,分析方法包括:在不同区域环境下分别验证晶圆背金是否存在异常,确定导致背金异常的异常区域环境,并初步确定异常区域环境中导致背金异常的环境因素;收集不同区域环境中的环境因素的数据,进一步确定导...
  • 本发明公开了一种晶圆检测设备,主要涉及晶圆检测设备技术领域。本发明的晶圆检测设备包括晶圆吸附装置、光机组件、安装座和移动平台。晶圆吸附装置用于接收晶圆,包括真空吸盘、接片组件、吸附组件和气盘。通过晶圆吸附装置将晶圆吸附在真空吸盘的上表面,使...
  • 本发明公开了一种吸晶装置及方法,涉及固晶机技术领域。该吸晶装置,包括壳体,还包括:进气管,所述进气管固设于壳体顶部;吸嘴,所述吸嘴安装在壳体内,吸嘴与进气管之间具有内侧弹簧;同步环,所述同步环位于壳体内,壳体下移过程中同步环受惯性相对壳体滑...
  • 本发明提供了一种芯片剥离装置及芯片剥离拾取系统,其中的芯片剥离装置包括负压发生装置和多个吸嘴,其中,吸嘴的第一开口与负压发生装置连通,而吸嘴的第二开口定位于芯片与载体之间的粘附界面的边缘,负压发生装置通过持续抽吸吸嘴内的气体,在吸嘴的第二开...
  • 本申请属于晶圆加工设备制造技术领域,具体为一种具有多个环形槽的伯努利吸盘,包括盘本体、垫块,盘本体的上表面上围绕盘本体的中心圆周阵列有多个环形槽、直槽、垫块,直槽的一端连通环形槽,另一端朝向盘本体的圆周面方向延伸到盘本体外,垫块的上表面高于...
  • 本申请属于晶圆制造设备制造技术领域,具体为一种可吸附超薄晶圆的伯努利吸盘,包括底盘、上盖、垫片,底盘的上表面同轴设有凹腔,底盘上设有联通凹腔的进气装置,上盖的下表面上同轴设有凸起,上盖盖合在凹腔处,凸起与凹腔同轴,凸起的圆周面与凹腔的内圆周...
  • 本发明公开了一种用于超薄被测平片双面同步测量的竖直夹持装置及双面干涉仪,竖直夹持装置通过第一气缸带动上夹板沿斜上方移动,第二气缸向前伸出,磁力作用推动配重部,回转长臂顺时针转动,上夹板和顶片让出位置,用于放置超薄被测平片;当超薄被测平片放置...
  • 提供了快速热处理装置,包括:快速热处理腔室,包括工件;多个热源,被配置为加热工件,多个热源被设置在工件的任一侧上;以及可旋转支撑板,能够操作以在热处理期间支撑工件,可旋转支撑板被配置为允许至少一些辐射部分地穿过可旋转支撑板,可旋转支撑板包括...
  • 本发明提供了一种晶圆环夹持机构和晶圆环机械手,属于晶圆夹持领域,具体包括:安装部,连接机械臂的移动端;托板,与安装部连接,且远离安装部的一侧形成承托晶圆环底面且与晶圆环边缘贴合的承托台;夹爪,通过转轴安装在托板上方,与承托台配合夹持晶圆环的...
  • 一种用于衬底支撑件的台板的热屏包括本体和吸收‑反射‑传输区域。所述吸收‑反射‑传输区域与所述本体接触,并被配置成进行下列至少一者:影响或调整介于远端基准表面与所述台板之间的热流图案的至少一部分。所述吸收‑反射‑传输区域包括可调式方面以调整所...
  • 提供了一种机器人升降装置。机器人升降装置包括配置成将衬底搬运机器人提升至升高位置的机器人升降起重机。机器人升降装置还包括轨道区段,其可以从平台上的室延伸到外部区域。机器人升降起重机可以从室提升机器人并沿着轨道将其运输到外部区域用于修理/维护...
  • 本发明提供了一种带定位结构的晶圆承载装置,包括晶圆基座和底座。晶圆基座用于承载晶圆,晶圆基座包括传动钢圈和定位部件,定位部件活动连接于传动钢圈且自凸出于传动钢圈;底座设置于晶圆基座的下方,底座上设置有多个驱动齿轮和定位槽,多个驱动齿轮沿传动...
  • 本发明公开一种支撑载具和半导体工艺设备,所公开的支撑载具应用于半导体工艺设备,用于在半导体工艺设备的工艺管内支撑承载舟,所述支撑载具包括载具本体和设于所述载具本体的支撑部,所述载具本体用于设置于所述工艺管内,所述支撑部用于支撑所述承载舟。上...
  • 本申请提供了一种静电卡盘及其制备方法,涉及静电卡盘技术领域。静电卡盘的制备方法包括:S1:使用氮化硅刮刀清除粘结层周向上厚度≥50μm的凸起;S2:使用飞秒激光仪分阶段清除凸起至凸起的厚度≤2μm,单个阶段的清除厚度≤10μm;S3:使用携...
  • 本发明公开了一种晶圆静电吸附装置,包括静电吸附电源和静电吸盘;静电吸附电源用于产生多路方波电压;静电吸盘包括上电极层、下电极层以及位于两者之间的电介质层;下电极层包含多个电极,分别与静电吸附电源输出的多路电压对应连接;静电吸盘通过多路电压在...
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,公开了一种可重复使用临时载板及其重复使用方法,可重复使用临时载板包括载板及贴附于其表面的多层复合膜材,所述多层复合膜材由上至下依次为外层离型膜一、硅胶层一、基材层、硅胶层二及外层离型膜二;其中,硅胶层一用于包裹...
  • 提供抑制工件最外周部的芯片飞散并且高品质的半导体装置。实施方式的半导体装置制造方法,具备以下步骤:将切割带粘贴于环状框架,该切割带具备基材、设置于上述基材的上表面且包含能够通过光照射而变质的材料的粘合材料、以及以从上方观察时与上述粘合材料的...
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