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最新专利技术
  • 一种行波电极光电探测器以及提高其带宽的方法
    一种行波电极光电探测器以及提高其带宽的方法_中国科学院半导体研究所_202410056968.X
    本发明提供一种行波电极光电探测器以及提高其带宽的方法，包括：光信号通过光栅耦合进入波导；采用多级功率分束器将波导中的光分成多束等光功率的光信号，其中，多束等光功率的光信号预设有非均匀设计的光程差；将多束等光功率的光信号输入对应的多个光电探测...
    2025-08-23
  • 一种焊带夹取装置及焊带夹取系统
    一种焊带夹取装置及焊带夹取系统_武汉帝尔激光科技股份有限公司_202410057168.X
    本申请公开了一种焊带夹取装置。该焊带夹取装置，包括：基座；两组夹取组件，分别连接于基座的相对两端，且每组夹取组件包括多个夹爪，多个夹爪呈排连接于基座上，夹爪用于夹取或释放焊带；每组夹取组件中的多个夹爪沿第二方向排布，且两组夹取组件中的夹爪彼...
    2025-08-23
  • 光谱传感器及其制造方法
    光谱传感器及其制造方法_北京与光科技有限公司_202410057511.0
    本发明提供一种光谱传感器及其制造方法，本其中所述光谱传感器包括至少一个像素，其中所述像素包括基底、被设置于所述基底的电子器件，以及光谱调制结构，其中所述光谱调制结构具有晶体硅结构，并被一体地形成于所述像素的有源区的表面。
    2025-08-23
  • 一种源体触点的收缩布局及MOS晶体管
    一种源体触点的收缩布局及MOS晶体管_和舰芯片制造(苏州)股份有限公司_202410056872.3
    本发明公开了一种源体触点的收缩布局及MOS晶体管，其中，多个源体触点设置于N+/P+扩散区的交界处，所述源体触点在竖向以列排布，任意两个源体触点水平方向不在一条直线上，交错摆放。本发明区别于常规的收缩布局方式，将源体触点改为设置于N+/P+...
    2025-08-23
  • 一种高镍正极材料及其制备方法和锂离子电池
    一种高镍正极材料及其制备方法和锂离子电池_北京车和家汽车科技有限公司_202410059355.1
    本发明提供了一种高镍正极材料及其制备方法和锂离子电池，属于锂离子电池技术领域。所述高镍正极材料一方面利用低半径、高活性的金属离子实现LizNixCoyA1‑x‑y<...
    2025-08-23
  • 一种箱体结构、显示装置以及组装方法
    一种箱体结构、显示装置以及组装方法_京东方科技集团股份有限公司_202410058301.3
    本申请公开了一种箱体结构、显示装置以及组装方法，箱体结构包括：多个显示基板，每个显示基板包括第一连接部；转接板，转接板包括多个第二连接部；与显示基板一一对应设置的多个浮动连接器，每个浮动连接器包括与第一连接部连接的第一端和与第二连接部连接的...
    2025-08-23
  • 基于数据孪生的自动驾驶测试方法及系统
    基于数据孪生的自动驾驶测试方法及系统_丰田自动车株式会社_202410055434.5
    本申请公开了一种基于数据孪生的自动驾驶测试方法及系统，该方法包括：通过数字孪生仿真平台形成仿真交通环境，以及位于仿真交通环境中的仿真交通参与物和待测仿真车辆，模拟待测仿真车辆的传感器对仿真交通环境和待测仿真车辆进行检测，获取检测数据；通过自...
    2025-08-23
  • 文本集合的处理方法和装置、存储介质以及电子设备
    文本集合的处理方法和装置、存储介质以及电子设备_腾讯科技(深圳)有限公司_202410061383.7
    本公开提供了一种文本集合的处理方法和装置、存储介质以及电子设备。其中，该方法包括：从至少一个文本集合中获取当前文本集合；根据当前文本集合中包括的语料文本的文本特征，确定与当前文本集合匹配的第一质量参数；利用第二语言模型对当前文本集合中的语料...
    2025-08-23
  • 代码检测方法、装置、电子设备及存储介质
    代码检测方法、装置、电子设备及存储介质_腾讯科技(深圳)有限公司_202410056731.1
    本申请公开了一种代码检测方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括遍历待检测代码对应的抽象语法树中的每个节点，每个节点包括待检测代码的参数和参数的属性信息；在遍历到目标节点，且目标节点的目标子节点所包括的参数的属性信息不包括异常处理信息的情...
    2025-08-23
  • 一种冰箱及其食材解冻控制方法
    一种冰箱及其食材解冻控制方法_海信容声(广东)冰箱有限公司_202410065278.0
    本发明公开了一种冰箱及其食材解冻控制方法，包括箱体，在箱体中形成有至少两个储藏室，其中包括冷冻室和保鲜室；所述冷冻室的底部预设的第一位置以及所述保鲜室的底部预设的第二位置均设置有缺口区域；移动装置，其顶部设置有与所述缺口区域形状大小相匹配的...
    2025-08-23
  • 车辆
    车辆_斯特兰蒂斯汽车集团_202410053508.1
    本申请公开了一种车辆。该车辆包括车身后部组件和尾门。尾门适于与车身后部组件相配合。尾门和车身后部组件中的一者设置有第一凸起，尾门和车身后部组件中的另一者设置有至少一个挡止部。在尾门朝向车身后部组件转动第一角度以到达关闭位置时，第一凸起与挡止...
    2025-08-23
  • 一种炭黑分散剂及其制备方法和用途
    一种炭黑分散剂及其制备方法和用途_万华化学集团股份有限公司_202410050152.6
    本发明公开一种炭黑分散剂及其制备方法和用途，包含如下质量百分含量的组分：1)50‑70％的基体树脂；2)5‑15％的离子类聚物；3)10‑20％的炭黑；4)5‑15％的分散剂。可有效提升材料导电性能，提升炭黑的分散性，降低炭黑使用量，提升加...
    2025-08-23
  • 一种挤出稳定性良好的超光滑屏蔽料及其制备方法
    一种挤出稳定性良好的超光滑屏蔽料及其制备方法_万华化学集团股份有限公司_202410050149.4
    本发明提供一种挤出稳定性良好的超光滑屏蔽料及其制备方法。所述方法将助剂乙烯丙烯酸蜡引入该材料体系，材料的挤出稳定性大大增强，同时大大减少炭黑团聚，对于超光滑的实现非常有利。
    2025-08-23
  • 一种低雾度线性低密度聚乙烯树脂及其制备方法和应用
    一种低雾度线性低密度聚乙烯树脂及其制备方法和应用_万华化学集团股份有限公司_202410055679.8
    本发明提供一种低雾度线性低密度聚乙烯树脂及其制备方法和应用，制备方法包括：(1)将乙烯、丙烯、氢气和催化剂体系加入第一反应器中，反应，得到第一步聚合产物；(2)将第一步聚合产物以及乙烯、丁烯、氢气加入第二反应器中，反应，得到第二步聚合产物；...
    2025-08-23
  • 摩托车
    摩托车_浙江春风动力股份有限公司_202410058407.3
    一种摩托车包括车架、行走组件、动力组件、车身覆盖件、检测组件和风翼组件。车身覆盖件包括整流罩。所述风翼组件包括风翼、驱动件、连杆和固定板，风翼通过转接板与固定板连接，固定板与纵向中心平面形成的角度大于等于5度且小于等于45度，转接板带动所述...
    2025-08-23
  • 嵌合多肽TAT-Ae单独或联合AKT抑制剂在治疗肿瘤中的应用
    嵌合多肽TAT-Ae单独或联合AKT抑制剂在治疗肿瘤中的应用_中国医学科学院药物研究所_202410054132.6
    本发明属于生物技术领域，涉及嵌合多肽TAT‑Ae单独或联合AKT抑制剂在治疗肿瘤中的应用。具体公开了一种靶向肿瘤干性与增殖的阻断TRIB3/AKT抑制剂单独或联合AKT抑制剂在制备预防或治疗乳腺癌药物中的应用。所述阻断TRIB3/AKT抑制...
    2025-08-23
  • 电机
    电机_索尤若驱动有限及两合公司_202480005725.1
    一种电机，其具有转子轴、浮动轴承和轴承盖，其中，浮动轴承设置为用于以能转动的方式支承转子轴，其中，浮动轴承具有内圈和外圈，其中，浮动轴承的外圈被接纳在构造在轴承盖中的轴承接纳部中，其中，内圈被套装到转子轴上，其中，轴承接纳部设计为被开口中断...
    2025-08-23
  • 自动分析装置
    自动分析装置_株式会社日立高新技术_202480005415.X
    本发明的目的在于提供一种即使反复进行试剂等的分注也能够抑制试剂等的变稀的自动分析装置。因此，本发明的自动分析装置具备通过使连接于喷嘴的注射器动作来将试剂或试样分注到反应容器的分注机构，其中，在上述喷嘴浸渍于试剂容器或试样容器中的液面的状态下...
    2025-08-23
  • 光电传感器封装结构、其制备方法及摄像模组
    光电传感器封装结构、其制备方法及摄像模组_三赢科技(深圳)有限公司_202410061596.X
    本申请提供了一种光电传感器封装结构、其制备方法及摄像模组，光电传感器封装结构包括基板模块、光发射单元和光接收单元。基板模块包括基板，基板模块具有多个第一通道和多个第二通道；光发射单元和光接收单元设置于基板上，光接收单元包括感光区域和连接于感...
    2025-08-23
  • 一种N型TOPCon电池及其制备方法
    一种N型TOPCon电池及其制备方法_一道新能源科技股份有限公司_202410064316.0
    本发明实施例提供了一种N型TOPCon电池及其制备方法，其中，本发明实施例所提供的N型TOPCon电池的制备方法，在制绒处理后，先在硅片正面的非栅线区域形成第一掩膜氧化层，然后进行硼扩散处理，其中，因作为非栅线区域的第一区域存在第一掩膜氧化...
    2025-08-23
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