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最新专利技术
  • 电池包热管理方法、存储介质及电池包控制器
    电池包热管理方法、存储介质及电池包控制器_蔚来电池科技(安徽)有限公司_202311619843.5
    本发明涉及一种电池包热管理方法、存储介质及电池包控制器。所述电池包安装于用电设备上，所述电池包包括液冷板，所述液冷板内的换热介质能够通过水泵驱动以循环流动；所述热管理方法应用于所述用电设备处于下电状态，所述方法包括：获取所述电池包内电芯的最...
    2025-07-11
  • 电池单元、电池单元制造方法、航空电池及航空电池的监测方法
    电池单元、电池单元制造方法、航空电池及航空电池的监测方法_空中客车(中国)企业管理服务有限公司_202311595813.5
    本发明涉及电池单元、电池单元制造方法、航空电池及航空电池的监测方法。电池单元包括壳体和电极组件，电极组件容置在壳体内。电池单元还包括一条或多条传感器带，所述一条或多条传感器带嵌置在电极组件与壳体之间，并且围绕电极组件的外周表面螺旋地缠绕。根...
    2025-07-11
  • 维护导管组件
    维护导管组件_长兴太湖能谷科技有限公司_202311594643.9
    本发明公开了维护导管组件，涉及电池维护技术领域，包括放置室、夹持固定单元、移位控制单元和剂料注入单元；放置室的后侧上端固定连接有竖向支板；夹持固定单元包含卡接管道、连接滑杆、夹板、弹簧和限位卡块，所述放置室左右两侧的中间位置处均固定连接有一...
    2025-07-11
  • 一种电解液、钠离子电池、电池包及储能系统
    一种电解液、钠离子电池、电池包及储能系统_华为数字能源技术有限公司_202311612576.9
    本申请提供一种电解液、钠离子电池、电池包及储能系统，电解液包括：第一添加剂、第二添加剂和第三添加剂，第一添加剂为氟代碳酸乙烯酯，第二添加剂选自：硫酸酯类化合物、磺酸内酯类化合物中的至少一种，第三添加剂为第一钠盐；第一添加剂在电解液中的质量百...
    2025-07-11
  • 贴胶机构及贴胶系统
    贴胶机构及贴胶系统_宁德时代新能源科技股份有限公司_202311607525.7
    本申请涉及加工技术领域，特别是涉及一种贴胶机构及贴胶系统，贴胶机构包括吸附组件，被配置为能够吸附胶片并将胶片与电芯的第一棱边进行贴合。吸附组件被配置为能够吸附胶片并将胶片与电芯的第一棱边进行贴合，对电芯的第一棱边进行绝缘保护，降低了包膜工艺...
    2025-07-11
  • 燃料电池系统吹扫方法及装置
    燃料电池系统吹扫方法及装置_未势能源科技有限公司_202311597286.1
    本说明书实施例提供燃料电池系统吹扫方法及装置，其中燃料电池系统吹扫方法包括：获取燃料电池系统状态，基于燃料电池系统状态开启旁通阀；获取旁通阀的反馈开度，基于反馈开度和设定开度确定第一标志位；基于第一标志位开启空气压缩机进行吹扫，并进行吹扫计...
    2025-07-11
  • 极板、电堆及燃料电池
    极板、电堆及燃料电池_未势能源科技有限公司_202311596679.0
    本发明提供了一种极板、电堆及燃料电池，其包括相互连通的分配区和活化区，分配区内设置有多个间隔分布的第一流道，活化区内设置有多个间隔分布的第二流道，多个第一流道与多个第二流道连通以供流体流通，第一流道的侧壁与第一流道的底壁之间的夹角为a，第二...
    2025-07-11
  • 复合集流体及其制备方法、电极极片、电池和用电装置
    复合集流体及其制备方法、电极极片、电池和用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202311606674.1
    本申请涉及一种复合集流体及其制备方法、电极极片、电池和用电装置。该复合集流体包括支撑层以及在支撑层至少一个表面依次层叠设置的粘结层、第一导电层和第二导电层，第一导电层包含第一金属材料，第二导电层包含第二金属材料，第二金属材料的晶粒尺寸小于第...
    2025-07-11
  • 正极复合集流体、正极极片、二次电池和用电装置
    正极复合集流体、正极极片、二次电池和用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202311606664.8
    本申请提供了一种正极复合集流体、正极极片、二次电池和用电装置。正极复合集流体包括聚合物支撑层、导电层和高阻层，导电层设于聚合物支撑层的至少一个表面上；高阻层设于导电层背离聚合物支撑层的表面上，高阻层的电阻率高于导电层的电阻率，高阻层和导电层...
    2025-07-11
  • 复合集流体、极片、二次电池以及用电装置
    复合集流体、极片、二次电池以及用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202311601267.1
    本申请提供了一种复合集流体、极片、二次电池以及用电装置。复合集流体包括基材层、粘结层以及金属层；所述基材层具有相对的第一表面和第二表面；所述第一表面和/或所述第二表面上设有所述粘结层和所述金属层，所述粘结层位于所述基材层和所述金属层之间；所...
    2025-07-11
  • 二次电池和电子装置
    二次电池和电子装置_厦门新能安科技有限公司_202311599609.0
    本申请提供了一种二次电池和电子装置，二次电池中的电极组件通过第一极片、隔膜和第二极片堆叠后卷绕形成，第一极片总圈数为N圈，2≤N≤60。第一极片包括第一集流体和第一材料层，第一材料层涂布面密度为Q1mg/cm2，15≤...
    2025-07-11
  • 容量补偿添加剂及其制备方法、正极极片、电池和用电装置
    容量补偿添加剂及其制备方法、正极极片、电池和用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202311608084.2
    本申请公开了一种容量补偿添加剂及其制备方法、正极极片、电池和用电装置，所述容量补偿添加剂包括容量补偿剂和含催化剂的碳材料，所述含催化剂的碳材料包覆在所述容量补偿剂的至少部分表面上。本申请的容量补偿添加剂具有较低的分解电压，使得容量补偿剂可以...
    2025-07-11
  • 一种复合材料及其制备方法和应用
    一种复合材料及其制备方法和应用_溧阳天目先导电池材料科技有限公司_202311602797.8
    本发明实施例涉及一种复合材料及其制备方法和应用。将碳源材料、表面活性剂和酒精置于搅拌罐中混合均匀，得到混合溶液；将混合溶液置于砂磨机中，加入普鲁士蓝进行砂磨处理，得到混合分散液，之后将混合分散液进行干燥处理，得到多孔碳前驱体；将多孔碳前驱体...
    2025-07-11
  • 一种新型硅碳复合负极材料及其制备方法和应用
    一种新型硅碳复合负极材料及其制备方法和应用_溧阳天目先导电池材料科技有限公司_202311599253.0
    本发明实施例涉及一种新型硅碳复合负极材料及其制备方法和应用。将铌源和柠檬酸钾加入去离子水中配成混合溶液，搅拌分散均匀；将混合溶液转移到砂磨机中进行研磨成纳米悬浊液；将纳米悬浊液由砂磨机中导出，加入碳源，搅拌均匀后喷雾干燥得到前驱体粉末；将前...
    2025-07-11
  • 极片、电极组件及其制造方法
    极片、电极组件及其制造方法_宁德时代新能源科技股份有限公司_202311607725.2
    本申请提供了一种极片、电极组件以及二者的制造方法，所述极片包括集流体、设置于集流体至少一侧的电极活性物质、以及聚合物膜，该聚合物膜具有交联结构。通过使用该极片制备的电极组件能够提高锂离子电池能量密度，同时防止电芯产生破损，从而能够改善锂离子...
    2025-07-11
  • 正极极片及制备方法、电池、用电设备
    正极极片及制备方法、电池、用电设备_宁德时代新能源科技股份有限公司_202311607271.9
    本申请涉及电池技术领域，尤其涉及正极极片及制备方法、电池、用电设备，正极极片包括补锂剂和有机溶剂，至少部分有机溶剂附着在补锂剂上，补锂剂包括Li3N、Li3P、Li2O
    2025-07-11
  • 制备正极材料方法、正极材料、正极片、电池和用电装置
    制备正极材料方法、正极材料、正极片、电池和用电装置_江苏时代新能源科技有限公司_202311599356.7
    本申请提供了一种制备正极材料的方法、正极材料、正极极片、电池和用电装置。本申请方法包括：将锂源与磷酸溶液混合，得到第一混合物；将所述第一混合物与磷酸氢锰、铁源、可选的M元素的源混合，得到第二混合物；将所述第二混合物干燥，烧结，得到磷酸锰铁锂...
    2025-07-11
  • 电子装置
    电子装置_群创光电股份有限公司_202311604797.1
    本公开提供一种电子装置，包含第一面板，第一面板包含第一基板、第二基板、多个第一导电垫、第一导电环以及第一静电防护结构。第一基板包含第一电子组件接合区。第二基板相对于第一基板设置。多个第一导电垫设置于第一电子组件接合区上。第一导电环设置于第一...
    2025-07-11
  • 通孔结构及其制造方法、通孔互连结构的制造方法
    通孔结构及其制造方法、通孔互连结构的制造方法_无锡华润上华科技有限公司_202311601462.4
    本发明涉及一种通孔结构及其制造方法、通孔互连结构的制造方法，所述通孔结构的制造方法，包括：在衬底中形成盲孔；将盲孔底部剩余的衬底材料全部氧化；去除所述氧化层，得到通孔结构，所述通孔结构具有贯穿所述衬底的通孔。本发明在衬底中形成盲孔，不使用支...
    2025-07-11
  • 半导体结构的形成方法、半导体结构及电子装置
    半导体结构的形成方法、半导体结构及电子装置_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202311598463.8
    本申请公开了半导体结构的形成方法、半导体结构及电子装置，该方法包括：提供包括底层金属层、层间介电层、金属硬掩膜层和第一图案化氧化物硬掩膜层的基底，第一图案化氧化物硬掩膜层指示用于形成上层金属层的沟槽的图案；在第一图案化氧化物硬掩膜层上形成平...
    2025-07-11
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