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最新专利技术
  • 功率半导体装置和生产功率半导体装置的方法
    功率半导体装置和生产功率半导体装置的方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202510430855.6
    本公开涉及功率半导体装置和生产功率半导体装置的方法。在功率半导体装置(1)中， 除了阻挡层结构(15)之外， 还提供深半导体区(105)。阻挡层结构(15)在空间上与有源区(1‑2)中的沟槽结构(14， 16)分离， 并且被布置在功率半导体...
    2025-11-21
  • 深沟槽结构、超级结器件及其制造方法
    深沟槽结构、超级结器件及其制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510818459.0
    本发明公开了一种深沟槽结构、超级结器件及其制造方法， 所述深沟槽结构， 其第一导电类型外延上部正中间形成有浮栅。本发明将深沟槽中P型外延填充速度较快时在P柱封口处产生EPI void通过刻蚀去除， 所以本发明能够搭配使用更快的P型外延填充速...
    2025-11-21
  • 一种超结结构及半导体结构的制备方法
    一种超结结构及半导体结构的制备方法_瑶芯微(上海)电子科技股份有限公司_202510903106.0
    本发明提供一种超结结构及半导体结构的制备方法， 方法包括：第一导电类型外延漂移区刻蚀形成深沟槽后填充第二导电类型外延回填柱；后通过多次外延注入形成n层第一类型外延层和第二导电类型离子注入柱。本发明对第一导电类型外延漂移区之间的沟槽填充第二导...
    2025-11-21
  • 半导体结构的形成方法、半导体功率器件及其形成方法
    半导体结构的形成方法、半导体功率器件及其形成方法_杭州奥罗拉半导体有限公司_202510740741.1
    本申请公开一种半导体结构的形成方法和一种功率半导体器件及其形成方法， 半导体结构的形成方法包括：提供衬底， 所述衬底表面形成有待刻蚀材料层；在所述待刻蚀材料层表面形成具有第一开口的图形化掩膜层；采用第一刻蚀工艺， 沿所述第一开口刻蚀所述待刻...
    2025-11-21
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202410934287.9
    本发明的实施方式涉及半导体装置。本实施方式的半导体装置具备：半导体层， 具备第一主面以及与所述第一主面相反侧的第二主面；第一导电部， 设置于所述半导体层的所述第一主面；第二导电部， 设置于所述半导体层的所述第二主面， 经由具有导电性的接合材...
    2025-11-21
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202410926177.8
    实施方式涉及半导体装置。半导体装置具有：第一电极；第二电极；半导体层， 具有在第一方向上排列的多个台面部；栅极电极， 在第一方向上与台面部相邻， 在第二方向上延伸；导电部件， 在第一方向上与台面部相邻， 在第二方向上延伸；第一连接部， 将第...
    2025-11-21
  • 半导体装置的制造方法以及半导体装置
    半导体装置的制造方法以及半导体装置_株式会社东芝_202410926176.3
    本发明的实施方式涉及半导体装置的制造方法以及半导体装置。本实施方式的半导体装置的制造方法包括：在具有第一面与凸部的半导体基板的凸部上形成第一导电型的半导体层， 所述凸部设于第一面的第一区域。本制造方法包括：在第一面上以凸部的台阶部中的膜厚比...
    2025-11-21
  • 一种高密度功率模块及其封装方法
    一种高密度功率模块及其封装方法_天津瑞颐技术有限公司_202510980913.2
    本发明涉及功率电子器件封装技术领域， 提供了一种高密度功率模块及其封装方法， 其中， 印制电路板通过第一塑封层设置在基板上， 功率器件设置在印制电路板上并与印制电路板电连接， 嵌入式冷却板设置在功率器件上侧， 第一绝缘介质层设置在嵌入式冷却...
    2025-11-21
  • 一种智能功率模块、变换器及车载充电机
    一种智能功率模块、变换器及车载充电机_深圳威迈斯新能源(集团)股份有限公司_202511132945.3
    本发明公开了一种智能功率模块、变换器及车载充电机， 所述智能功率模块包括DBC基板、以及依次放置于所述DBC基板同一侧的导热介质层和多组功率组件， 所述DBC基板包括相对的设有多个功率引脚的功率侧和设有多个信号引脚的信号侧；所述功率器件通过...
    2025-11-21
  • 一种基于SIP技术的三通道电源模块
    一种基于SIP技术的三通道电源模块_成都环宇芯科技有限公司_202510886280.9
    一种基于SIP技术的三通道电源模块， 涉及集成电路技术领域， 包括三通道电源电路， 所述三通道电源电路的有源芯片裸芯及无源器件封装到一体化陶瓷管壳内部， 一体化陶瓷管壳顶部采用平行缝焊工艺连接有金属盖板；裸芯采用导电胶与陶瓷基板连接， 裸芯...
    2025-11-21
  • 具有集成电容的半导体芯片及其制备方法
    具有集成电容的半导体芯片及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202510746021.6
    本公开提供了一种具有集成电容的半导体芯片及其制备方法， 属于半导体技术领域。该半导体芯片包括：芯片主体和电容部；所述电容部位于所述芯片主体的外边缘处；所述电容部包括第一电容极板、第二电容极板、第一电极和第二电极， 所述第一电容极板和所述第二...
    2025-11-21
  • 元胞结构及其制作方法、碳化硅器件、电子设备、车辆
    元胞结构及其制作方法、碳化硅器件、电子设备、车辆_比亚迪股份有限公司_202510750742.4
    本申请提供一种元胞结构及其制作方法、碳化硅器件、电子设备、车辆。该元胞结构应用于碳化硅器件， 元胞结构包括：基体， 具有沿基体的厚度方向相对的第一表面和第二表面；栅极结构， 设置于基体内；源极结构， 设置于基体内， 沿基体厚度的方向， 源极...
    2025-11-21
  • 多晶硅薄层电阻矩阵及其设计方法
    多晶硅薄层电阻矩阵及其设计方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510779423.6
    本发明公开了一种多晶硅薄层电阻矩阵的设计方法及一种多晶硅薄层电阻矩阵， 设计多晶硅薄层电阻矩阵的结构， 基于多晶硅薄层电阻在矩阵内部的位置， 设置其具有不同的预定关键尺寸， 该不同尺寸用于补偿LSA引入的位置相关RS变化；对该矩阵执行LSA...
    2025-11-21
  • 形成半导体器件的方法
    形成半导体器件的方法_三星电子株式会社_202510445286.2
    提供形成半导体器件的方法。形成半导体器件的方法包括形成包括阻挡金属的初步背侧(BS)源极/漏极(S/D)触头。在一些实施方式中， 形成所述初步BS S/D触头包括沉积所述阻挡金属， 例如沉积所述阻挡金属作为侧壁间隔物。此外， 所述方法包括在...
    2025-11-21
  • 具有空气隙的内侧墙的制备方法和半导体器件
    具有空气隙的内侧墙的制备方法和半导体器件_中国科学院微电子研究所_202510714282.X
    本申请涉及半导体技术领域， 公开一种具有空气隙的内侧墙的制备方法和半导体器件。其中， 具有空气隙的内侧墙的制备方法包括如下步骤：提供衬底， 并在衬底上形成有源区和包覆部分有源区的伪栅结构。在伪栅结构的两侧形成牺牲侧墙。形成介质层， 介质层至...
    2025-11-21
  • 形成半导体器件的方法
    形成半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510810000.6
    方法包括：在衬底上方形成第一半导体层和第二半导体层；对第一半导体层和第二半导体层实施第一蚀刻工艺以形成第一鳍；横跨第一鳍形成栅极结构；实施第二蚀刻工艺以在第一鳍中形成第一凹槽和第二凹槽；去除第一半导体层；沿第二半导体层和衬底的暴露表面沉积第...
    2025-11-21
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510810006.3
    方法包括在突出鳍的旁边形成浅沟槽隔离区域。突出鳍包括第一半导体纳米结构和第二半导体纳米结构。方法还包括：在浅沟槽隔离区域上形成介电层；在突出鳍上方形成伪栅极堆叠件；以及实施注入工艺以形成保护层。保护层覆盖浅沟槽隔离区域。去除突出鳍中的牺牲层...
    2025-11-21
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510810015.2
    本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。浅沟槽隔离(STI)保护结构形成在纳米结构场效应晶体管(NSFET)器件的STI区上。STI保护结构在随后的选择性蚀刻工艺期间保护STI区， 以去除用于形成NSFET器件的一次性氧化物插入件(DOI...
    2025-11-21
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510830152.2
    本申请的实施例提供了半导体器件及其形成方法。形成半导体器件的方法包括在中心区域形成从衬底突出的第一鳍， 在边缘区域形成从衬底突出的第二鳍， 第一鳍和第二鳍均包括鳍基底上的外延堆叠件和外延堆叠件上的硬掩模层。图案化材料沉积在第一鳍和第二鳍附近...
    2025-11-21
  • 集成的超长时间常数时间测量设备和制造过程
    集成的超长时间常数时间测量设备和制造过程_意法半导体(鲁塞)公司_202510866806.7
    本公开的实施例涉及集成的超长时间常数时间测量设备和制造过程。一种集成的超长时间常数时间测量设备包括串联连接的基本电容性元件。每个基本电容性元件由第一导电区域、介电层和第二导电区域的堆叠形成， 介电层具有的厚度适合于允许电荷通过直接隧道效应流...
    2025-11-21
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