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  • 本申请涉及一种纹管本体,所述波纹管本体内壁设置有微沟槽,所述微沟槽宽度为1‑1.5mm,间隔为1‑1.5mm。本申请还公开一种半导体芯片液冷散热用微结构波纹管的微结构处理设备,包括底板、顶架、压槽机构和驱使压槽机构竖向滑移的驱动组件;底板供...
  • 本发明提供一种水油组合散热的功率模块,其在现有水冷功率模块的基础上增设了一条由第二腔室、导流罩、散热器、循环油泵以及相关必要连接管路限定的循环油路。在该功率模块工作时,冷却水在散热器的下方从功率模块的近端流入、远端流出,在该过程中,冷却水在...
  • 本发明公开了一种微电子芯片水冷散热装置及散热方法,属于,包括冷却水循环系统和散热系统,散热系统包括铜板和亚克力板,铜板底部开设有冷却水道,亚克力板上开设有进水主管、进水支管、进水通道、出水通道、出水支管和出水主管,进水主管与进水支管连通,进...
  • 本申请公开一种半导体元件及一种半导体元件的制造方法。此半导体元件包括:一基板;一导电结构,包括:一导电凹层,设置在该基板上;以及一导电填充层,设置于该导电凹层上,其中该导电凹层包括一顶表面,该顶表面具有一V形剖面轮廓;以及一顶部导电层,设置...
  • 本申请公开一种半导体元件及一种半导体元件的制造方法。此半导体元件包括:一基板;一导电结构,包括:一导电凹层,设置在该基板上;以及一导电填充层,设置于该导电凹层上,其中该导电凹层包括一顶表面,该顶表面具有一V形剖面轮廓;以及一顶部导电层,设置...
  • 一种三维集成电路的互连电路,应用于集成电路技术领域,三维集成电路的互连电路包括硅通孔模块和选择器模块;硅通孔模块多个硅通孔阵列,每个硅通孔阵列中包括预设位置分布的至少两个硅通孔;其中,各个硅通孔阵列中的相同位置的硅通孔构成一个互连模块,且不...
  • 一种封装结构和封装方法、以及电子设备;封装结构包括:第一器件结构,第一器件结构包括第一衬底、第一半导体器件和第一导电迹线,第一导电迹线电连接第一半导体器件;第二器件结构,与第一器件结构堆叠设置,第二器件结构包括第二衬底、第二半导体器件和第二...
  • 本申请公开了一种半导体封装。一种半导体封装包括:基板;设置在基板上方的子半导体封装,该子半导体封装包括子半导体芯片、子模制层和重分布导电层,在子半导体芯片的面向基板的有效表面上具有芯片焊盘,子模制层围绕子半导体芯片的侧表面,子模制层具有面向...
  • 本发明涉及一种用于半导体中介层制程的中介层电子模组及其制造方法,所述的中介层电子模组包括有一第一基材、一第二基材、至少一针脚及一胶脂层,所述至少一针脚固定在第一基材与第二基材之间,并在针脚外侧与两基材之间包覆有胶脂层;本发明还涉及了制造上述...
  • 本申请涉及一种具有暴露的有源电路系统的集成电路IC。在一个实例中,方法(100)可包含在第一晶片的第一表面上形成掩模层(102)。所述方法还可包含在所述掩模层中形成图案(104),以通过所述掩模层暴露所述第一晶片的区域。所述方法还可包含从所...
  • 一种半导体器件,其包括:管芯座,所述管芯座具有上表面;焊料层,所述焊料层被设置在所述管芯座的所述上表面上;以及管芯,所述管芯被设置在所述焊料层上,使得所述焊料层在所述管芯座和所述管芯之间;其中所述焊料层包括多个隔离物,所述多个隔离物被配置为...
  • 本发明公开了一种虚设焊盘结构及其制备方法,包括晶圆电介质,在所述晶圆电介质表面形成有凹坑,所述凹坑的曲面与电介质层形成连续平滑曲线的界面,在所述凹坑内依次沉积有阻挡层二和种子层,在种子层内部填充有金属。本发明的虚设焊盘结构使焊盘与电介质间形...
  • 本申请提供了一种用于功率模块芯片互联铜膏及其制备方法,该铜膏包括以下重量份原料组成:铜粉70‑75重量份、金属盐溶液5‑10重量份、有机溶剂体系25‑30重量份。本申请制备方法获得的铜膏具抗氧化性能强,烧结温度低,有效抑制团聚,低温固化速度...
  • 本申请公开了一种半导体装置及电器设备,半导体装置包括:基板,设置有PFC功率侧焊盘和第一地隔离焊盘;功率因数校正器,设置于PFC功率侧焊盘,包括PFC功率开关芯片;驱动侧框架,包括温度检测引脚和第一接地引脚;第一温度检测焊盘和第二温度检测焊...
  • 本发明公开了半导体装置、电路板组件、电控盒和电器设备,半导体装置包括:驱动侧引脚框架,第二逆变第三相高侧输入信号引脚更加邻近PFC驱动引脚框架,设定第二逆变高侧输入信号引脚第一边界和第二逆变高侧栅极驱动供电电压引脚边界。由此,通过将第二逆变...
  • 本发明公开了一种半导体装置、电路板组件、电控盒和电器设备,半导体装置具有横向、纵向和竖向,其包括:塑封体;基板,基板至少部分地设置于塑封体内且为一个,一个基板上设置有横向依次间隔的第一逆变功率焊盘、第二逆变功率焊盘,PFC(功率因数校正)功...
  • 本发明公开了一种半导体装置、电路板组件、电控盒和电器设备,半导体装置包括:基板;驱动侧引脚框架,其至少部分地间隔设置于基板纵向的一侧,塑封体上设置有横向依次间隔设置的第一逆变抽芯针孔、第二逆变抽芯针孔、PFC抽芯针孔和整流桥抽芯针孔,第一逆...
  • 本发明公开了一种半导体装置,半导体装置包括:驱动侧引脚框架,驱动侧引脚框架包括风机驱动引脚框架、压缩机驱动引脚框架、PFC驱动引脚框架和整流桥驱动引脚框架;第一基板,第一基板间隔设置于驱动侧引脚框架纵向的一侧,第一基板包括横向上间隔设置的风...
  • 本发明公开了半导体装置、电路板组件、电控盒和电器设备,半导体装置包括:塑封体;基板;驱动侧引脚框架,第一逆变驱动芯片与第一逆变功率芯片电连接,第二逆变驱动芯片和第二逆变功率芯片电连接,PFC驱动引脚框架上设置有PFC驱动芯片,PFC驱动芯片...
  • 本发明公开了半导体装置、电路板组件、电控盒和电器设备,半导体装置包括:塑封体;基板;驱动侧引脚框架,设定第一逆变低侧驱动芯片横向的一侧为第一逆变低侧驱动芯片边界,第一逆变高侧驱动芯片横向的一侧为第一逆变高侧驱动芯片边界,第二逆变低侧驱动芯片...
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