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最新专利技术
  • 一种用于MPCVD设备的偏压基台结构
    一种用于MPCVD设备的偏压基台结构_南京三乐微波技术发展有限公司_202511371459.7
    本发明涉及单晶金刚石制备技术领域，公开了一种用于MPCVD设备的偏压基台结构，包括腔体，所述腔体内部设置有陶瓷套筒，所述腔体外侧装有外接电源的KF单芯电极，所述腔体内壁顶部设置有基台环，基台垫板，所述基台垫板上表面设置有生长衬底，铜台，所述...
    2025-11-29
  • 一种硅外延生长用的分区温控石英反应腔
    一种硅外延生长用的分区温控石英反应腔_芯纳百川(无锡)半导体科技有限公司_202511516792.2
    本发明公开了一种硅外延生长用的分区温控石英反应腔，涉及石英反应腔技术领域，包括腔室，所述腔室顶部设置有供气座，所述腔室底部设置有排气口，还包括：载具，所述载具包括：基座，所述基座置于腔室内部，所述基座上表面边缘设置有围挡；多个第一挡环，固定...
    2025-11-29
  • 一种P型碳化硅外延片的掺杂浓度均匀性提高方法
    一种P型碳化硅外延片的掺杂浓度均匀性提高方法_季华实验室_202511506273.8
    本申请属于碳化硅外延生长技术领域，公开了一种P型碳化硅外延片的掺杂浓度均匀性提高方法，该方法包括：向反应室通入预设流量的氢气后，将碳化硅衬底放置于反应室中，保持氢气的输入流量不变，分别将反应室的温度和压力调节至预设的刻蚀温度和预设的刻蚀压力...
    2025-11-29
  • 一种铂、铑、钯单晶粉末的制备方法
    一种铂、铑、钯单晶粉末的制备方法_英特派铂业股份有限公司_202511160587.7
    本申请公开了一种铂、铑、钯单晶粉末的制备方法，属于金属粉体材料制备领域，其步骤包括溶碳、缓冷结晶、单晶粉体制备、除碳等。本操作方法可批量制备铂、铑、钯等贵金属的微米、亚毫米级单晶粉末。
    2025-11-29
  • 一种双激光复合改质实现大尺寸金刚石的高质量剥离方法
    一种双激光复合改质实现大尺寸金刚石的高质量剥离方法_广东工业大学_202511126364.9
    本发明公开了一种双激光复合改质实现大尺寸金刚石的高质量剥离方法，包括以下步骤：将样品放置固定在三维移动平台，样品上表面为(100)晶面；采用超快激光发生器产生的激光透过样品上表面聚焦到样品内部，然后采用超快激光发生器产生的激光对样品进行第一...
    2025-11-29
  • 一种低成本生产单个大尺寸圆形单晶工艺
    一种低成本生产单个大尺寸圆形单晶工艺_宁波硅宁半导体材料有限公司_202511146301.X
    本发明提供一种低成本生产单个大尺寸圆形单晶工艺，属于半导体加工技术领域。包括以下步骤：步骤一，选取圆形坩埚，在圆形坩埚内表面制备一层涂层，烘干后待用；步骤二，在圆形坩埚中心铺设一块圆形籽晶；步骤三，在圆形坩埚内壁与圆形籽晶之间放置陶瓷石英环...
    2025-11-29
  • 重掺＜111＞晶向硅晶体放肩方法、装置、设备及介质
    重掺＜111＞晶向硅晶体放肩方法、装置、设备及介质_中环领先(徐州)半导体材料有限公司_202511159368.7
    本申请公开了一种重掺<111>晶向硅晶体放肩方法、装置、设备及介质，方法包括：获取加热器初始功率，在预设时间间隔内控制加热器按照放肩参数预设表中的功率变化量变化功率；放肩参数预设表为预先得到的放肩成活率不小于预设成活率时的放肩参数表；根据实...
    2025-11-29
  • 拉晶加热功率调控方法、装置、设备及存储介质
    拉晶加热功率调控方法、装置、设备及存储介质_内蒙古中环晶体材料有限公司_202511163716.8
    本申请实施例提供一种拉晶加热功率调控方法、装置、设备及存储介质，属于单晶硅材料生产技术领域。该方法包括：获取实时拉晶参数，实时拉晶参数包括实时剩料重量、实时晶体拉速；基于实时剩料重量、实时晶体拉速以及预先构建的映射表，确定当前加热补偿功率，...
    2025-11-29
  • 一种改善等径生长速率的单晶硅棒拉制方法
    一种改善等径生长速率的单晶硅棒拉制方法_宜宾英发德坤科技有限公司_202511403314.0
    本发明公开了一种改善等径生长速率的单晶硅棒拉制方法，涉及硅棒制备技术领域，包括：手动控制模式下开启参数栏显示功能，核对相关参数，结合生长记录确定坩埚下限位，计算得到临界埚位和放置埚位，设定参数，调整坩埚位置且确保液面不接触导流筒，观察捕捉是...
    2025-11-29
  • 一种电池级单晶四氧化三锰及其制备方法
    一种电池级单晶四氧化三锰及其制备方法_钦州南海化工有限公司_202511197375.6
    本发明涉及四氧化三锰制备技术领域，具体公开了一种电池级单晶四氧化三锰及其制备方法，所述Mn3O4为类球形四方相单晶，锰含量≥75％，平均粒径2‑8μm且D50偏差≤3％，杂质含量极低(Fe、Si、Ni、Co各自≤3ppm，Na+、K+各自≤...
    2025-11-29
  • 一种氧化镓薄膜材料的外延生长方法
    一种氧化镓薄膜材料的外延生长方法_西安电子科技大学_202511197401.5
    本发明是一种氧化镓薄膜材料的外延生长方法，解决了氧化镓外延中因随机岛状成核、各向异性刻蚀导致的薄膜缺陷密度高，及工艺复杂等技术问题。实现包括：超声清洗衬底；退火处理；Al原子与In原子混合预沉积；脉冲Al原子辅助生长氧化镓薄膜。本发明以Al...
    2025-11-29
  • 一种锥模直拉法生长氧化镓晶体的方法
    一种锥模直拉法生长氧化镓晶体的方法_中原关键金属实验室_202511428295.7
    本申请提供了一种锥模直拉法生长氧化镓晶体的方法，包括：在铱坩埚中熔化氧化镓粉末形成氧化镓熔体，通过提拉杆下放籽晶进行下种、引晶、放肩、等径、收尾的步骤；在所述下种步骤之前，还包括：在所述提拉杆的下方连接一个倒锥形的漏斗；所述漏斗的尖端朝下且...
    2025-11-29
  • 碳化硅单晶的生长方法、电阻炉、电子设备及控制系统
    碳化硅单晶的生长方法、电阻炉、电子设备及控制系统_中国电子科技集团公司第四十六研究所_202511050249.8
    本发明提供一种碳化硅单晶的生长方法、电阻炉、电子设备及控制系统，涉及半导体技术领域。该方法包括：采集目标反应炉内的当前温度数据、目标碳化硅单晶的生长速率以及表面形态；根据生长速率和表面形态，确定温度控制参数；根据温度控制参数和当前温度数据，...
    2025-11-29
  • 一种八英寸碳化硅晶体生产装置和装配方法
    一种八英寸碳化硅晶体生产装置和装配方法_中国电子科技集团公司第四十六研究所_202511051471.X
    本申请提供了一种八英寸碳化硅晶体生产装置和装配方法，属于晶体生长技术领域，包括坩埚以及位于坩埚内部的过滤筒，过滤筒从上到下依次设置有上过滤部、中过滤部和下过滤部，上过滤部、中过滤部和下过滤部分别与坩埚的内壁形成依次连通的上放置腔、中放置腔和...
    2025-11-29
  • 一种碳化硅外延片及其制备方法
    一种碳化硅外延片及其制备方法_中环领先半导体科技股份有限公司_202511136849.6
    本申请提供一种碳化硅外延片及制备方法。碳化硅外延片的制备方法包括如下步骤：提供碳化硅衬底，将碳化硅衬底置于反应腔内；控制反应腔进行第一次升温，以缓解碳化硅衬底中的初始应力；控制反应腔进行第一次降温，以消除碳化硅衬底中的应力；控制反应腔进行第...
    2025-11-29
  • 一种外延片及其制备方法
    一种外延片及其制备方法_中环领先半导体科技股份有限公司_202511136856.6
    本申请公开了一种外延片及其制备方法，涉及半导体制造技术领域。一种外延片的制备方法，包括：向反应腔内通入第一载气、第一碳源和第一硅源，以在衬底远离基座的一侧形成外延层；其中，衬底包括第一区域、第二区域以及第三区域，第二区域环绕第一区域设置，第...
    2025-11-29
  • 一种降低碳化硅外延材料缺陷数量的方法
    一种降低碳化硅外延材料缺陷数量的方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511181746.1
    本申请公开了一种降低碳化硅外延材料缺陷数量的方法，涉及碳化硅外延技术领域，传送装置送片前，反应室温度设置为900℃，反应室压力设置为1000～1020mbar，气浮流量设置为0.8L/min，向反应室通入氢气，由20L/min逐步升高至12...
    2025-11-29
  • 利用碳化硅长晶余料进行晶体生长的方法
    利用碳化硅长晶余料进行晶体生长的方法_中科超芯(浙江)新材料科技有限公司_202511191561.9
    本发明公开了利用碳化硅长晶余料进行晶体生长的方法，具体涉及碳化硅材料再利用与晶体制备技术领域；获得具备晶向一致性的再利用单元体；基于所述单元体的晶向参数与热导特性，构建适用于高温热场下的晶体引导模型；将多个单元体阵列排布于长晶炉内设定的多级...
    2025-11-29
  • 一种碳化硅生长坩埚及碳化硅生长装置
    一种碳化硅生长坩埚及碳化硅生长装置_中科超芯(浙江)新材料科技有限公司_202511272279.3
    本发明涉及碳化硅生长技术领域，且公开了一种碳化硅生长坩埚及碳化硅生长装置，包括固定架，还包括：防护机构，所述防护机构设置在固定架上，所述防护机构包括设置在固定架上的顶盖，所述顶盖上螺纹套设有坩埚筒，所述坩埚筒上设置有加热底座，所述坩埚筒的内...
    2025-11-29
  • 氮化铝衬底及其制备方法
    氮化铝衬底及其制备方法_深圳大学_202510913403.3
    本申请提供了一种氮化铝衬底及其制备方法，氮化铝衬底通过中子辐照技术制备而成，载流子浓度为1019～1020cm‑3，电阻率为≤0.01Ω·cm。本申请氮化铝衬底具有比较高的导电性，其制备方法工艺简单、掺杂均匀且成本低。
    2025-11-29
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